三星HBM3E沒過英偉達驗證，原因與臺積電有關(guān)

存儲器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過英偉達驗證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過驗證。

外媒報導，三星至今未通過英偉達驗證，是卡在臺積電。身為英偉達數(shù)據(jù)中心GPU制造和封裝廠，臺積電也是英偉達驗證重要參與者，傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗證標準，而三星制程與SK海力士有差異，SK海力士采MR-RUF，三星則是TC-NCF，對參數(shù)多少有影響。

三星2024年第一季財報表示，八層垂直堆疊HBM3E4月量產(chǎn)，第二季會量產(chǎn)12層垂直堆疊，比原計劃下半年提前。三星說是為了應付生成式AI應用日漸成長的需求，故加速新HBM生產(chǎn)進度。

市場傳聞三星八層垂直堆疊HBM3E沒有通過英偉達與臺積電驗證，是因有缺陷，三星說傳聞不正確，重申提供最佳產(chǎn)品的承諾。市場人士表示，如果檢測標準調(diào)整，三星HBM3E就能通過驗證。