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          HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求

          —— 國際大廠產(chǎn)能受排擠,南亞科、威剛及十銓等將受惠
          作者: 時(shí)間:2024-05-21 來源:工商時(shí)報(bào) 收藏

          三星、SK海力士及美光等國際內(nèi)存巨擘,皆積極投入高帶寬內(nèi)存()制程,法人表示,在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下,下半年產(chǎn)品恐供不應(yīng)求,預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202405/459011.htm

          據(jù)研究,原廠提高先進(jìn)制程投片,產(chǎn)能提升將集中今年下半年,預(yù)期1alpha nm(含)以上投片,至年底將占總投片比重約40%。

          由于獲利表現(xiàn)佳,加上需求續(xù)增,生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以最新發(fā)展進(jìn)度來看,2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流,集中在2024年下半年出貨。

          SK海力士依舊是主要供貨商,與美光均采1beta nm制程,兩家業(yè)者現(xiàn)已出貨輝達(dá)(NVIDIA);三星則采用1alpha nm制程,預(yù)期2024年第二季完成驗(yàn)證,于年中開始交付。

          PC、服務(wù)器、智能型手機(jī)三大應(yīng)用單機(jī)搭載容量增長(zhǎng),對(duì)先進(jìn)制程的消耗量也逐季提升,其中,又以服務(wù)器容量提升最高,隨著Intel、AMD新平臺(tái)Sapphire Rapids、Genoa量產(chǎn)后,其內(nèi)存規(guī)格僅能采用DDR5,預(yù)期2024年DDR5滲透率至年底將逾50%。

          HBM3e出貨將集中下半年,期間同屬內(nèi)存需求旺季,DDR5與LPDDR5(X)預(yù)期需求也將看增。在HBM投片比重?cái)U(kuò)大的情況下,將使得產(chǎn)出有限,下半年產(chǎn)能配置,將會(huì)是供給是否充足的關(guān)鍵。

          三星現(xiàn)有廠房年底產(chǎn)能大致滿載,新廠房P4L規(guī)劃于2025年完工,同時(shí)Line15廠區(qū)將進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換,由1Ynm轉(zhuǎn)換至1beta nm以上。

          SK海力士M16產(chǎn)能將于2025年擴(kuò)大,M15X規(guī)劃于2025年完工,并于年底量產(chǎn)。美光中國臺(tái)灣廠區(qū)估2025年恢復(fù)滿載,后續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張將以美國為主,Boise廠區(qū)2025年完工并陸續(xù)移機(jī),并計(jì)劃2026年量產(chǎn)。

          由于NVIDIA GB200將于2025年放量,其規(guī)格為HBM3e 192/384GB,預(yù)期HBM產(chǎn)出將接近翻倍,各原廠將投入HBM4研發(fā),因各家產(chǎn)能規(guī)劃皆以HBM為優(yōu)先,在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下,DRAM產(chǎn)品恐供應(yīng)不及。



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