國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)再起飛！

在經(jīng)歷下行周期后，2023年第四季度開始，存儲價格開始止跌回暖，且從各大廠商公布的最新營收來看，存儲芯片市場回溫信號正逐漸凸顯。

一）廠商業(yè)績釋放回溫信號

從國際大廠來看，此前鎧俠、SK海力士、三星、美光、西部數(shù)據(jù)等公布的最新財報數(shù)據(jù)顯示，在AI需求加持下，各大廠商營收和利潤均表現(xiàn)亮眼。

其中，鎧俠、美光和西部數(shù)據(jù)均實現(xiàn)扭虧為盈，鎧俠2023財年第四季度財報實現(xiàn)營業(yè)利潤439億日元、凈利潤103億日元；美光2024財年二財季GAAP凈利潤為7.93億美元；西數(shù)今年一季度在Non-GAAP會計準則下，凈利潤為2.10億美元。而三星的存儲業(yè)務在今年一季度實現(xiàn)營收17.49萬億韓元，同比增長96.1%；SK海力士自去年第四季度實現(xiàn)扭虧為盈，今年一季度的營業(yè)利潤為2.886萬億韓元，創(chuàng)下2018年以來同期第二高記錄。

國內(nèi)方面，近期，A股存儲板塊上市公司瀾起科技、兆易創(chuàng)新、江波龍、佰維存儲、普冉股份、德明利等陸續(xù)披露2024年一季度報告顯示，多家公司一季度業(yè)績實現(xiàn)大幅增長。其中，瀾起科技今年一季度實現(xiàn)凈利潤2.23億元，同比暴增1032.86%，此外，德明利、佰維存儲在當季的凈利潤也分別同比大漲546.49%和232.97%。

△全球半導體觀察根據(jù)公告整理

瀾起科技表示，2024年第一季度公司凈利潤較上年同期大幅增長的原因主要包括：一是營業(yè)收入較上年同期增長75.74%；二是由于DDR5內(nèi)存接口芯片、PCIe Retimer及MRCD/MDB芯片等較高毛利率產(chǎn)品的收入占比提升，互連類芯片產(chǎn)品線毛利率為60.93%，較上年同期增加6.98個百分點，推動公司整體毛利潤較上年同期增長90.29%。

德明利表示，公司第一季營收變動主要系存儲行業(yè)價格持續(xù)上漲，公司業(yè)績大幅度增加所致。

二）多個存儲芯片項目上馬

存儲市場回暖帶動A股上市公司業(yè)績強勁回升，而與此同時，今年以來，國內(nèi)多個存儲項目亦相繼上馬，落戶、動工等消息不斷傳來，如美光西安封裝和測試新廠房項目于3月27日破土動工，朗科科技、憶恒創(chuàng)源等多方參與建設(shè)粵港澳大灣區(qū)存儲產(chǎn)業(yè)基地項目...

近期，國內(nèi)又有多個存儲項目簽約、開工。其中，簽約項目包括康盈半導體高速固態(tài)存儲智能制造基地項目、晶存科技存儲芯片制造總部項目，開工包括致真存儲芯片項目，此外，被媒體報道為“全球領(lǐng)先的芯片存儲項目”的國創(chuàng)芯科技（江蘇）有限公司也正式開業(yè)。

1、致真存儲芯片項目開工

5月16日，致真存儲芯片制造項目舉行開工奠基儀式。

據(jù)“致真存儲”官方消息顯示，該芯片制造項目位于青島市西海岸新區(qū)古鎮(zhèn)口，占地面積50畝，將建設(shè)新一代磁性隨機存儲芯片加工工藝線，以加速磁存儲芯片的產(chǎn)業(yè)化進程。項目將圍繞存儲芯片領(lǐng)域，吸引產(chǎn)業(yè)相關(guān)上下游企業(yè)進行落地布局，有效填補西海岸新區(qū)存儲芯片產(chǎn)業(yè)空白，進一步推動新區(qū)“芯屏”產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。  

項目建成達產(chǎn)后，將實現(xiàn)月產(chǎn)400萬顆高端芯片，年產(chǎn)值數(shù)十億。據(jù)悉，在2023年11月舉行的2023年第四季度青島市高質(zhì)量發(fā)展重大項目建設(shè)現(xiàn)場推進會上，總投資313億元的88個重大項目集中開工建設(shè)。其中包括總投資數(shù)億元的致真存儲芯片制造項目。

根據(jù)此前的資料介紹，致真存儲芯片制造項目將分兩期在新區(qū)建設(shè)8英寸、12英寸新一代存儲芯片工藝線及研發(fā)中心，所產(chǎn)芯片將極大提升物聯(lián)網(wǎng)及汽車芯片存儲器性能，將助力青島市西海岸新區(qū)打造國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)業(yè)新增長極。

致真存儲致力于MRAM芯片的研發(fā)和制造，已落地國內(nèi)目前唯一、國際一流且設(shè)備完善的8英寸MRAM芯片專用后道微納加工工藝研發(fā)線。據(jù)官方介紹，致真存儲已與國內(nèi)數(shù)家相關(guān)領(lǐng)域企業(yè)達成戰(zhàn)略合作協(xié)議，可隨時導入12英寸先進工藝制程MRAM芯片量產(chǎn)工藝線。

2、康盈半導體高速固態(tài)存儲智能制造基地項目簽約

5月16日，維揚經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管委會與深圳康盈半導體簽訂了高速固態(tài)存儲智能制造基地項目進園協(xié)議。

據(jù)“都市維開”消息，本次深圳康盈半導體在維揚經(jīng)濟開發(fā)區(qū)投資的高速固態(tài)存儲智能制造基地項目總投資5億元，用于SSD/PSSD（下一代固態(tài)存儲）模組系列產(chǎn)品線建設(shè)，設(shè)備投資達0.8億元，本項目建成投產(chǎn)后5年實現(xiàn)開票銷售近10億元，可累計實現(xiàn)稅收近億元。

資料顯示，深圳康盈半導體有限公司系康佳集團旗下半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，專注于嵌入式存儲芯片、模組、移動存儲等產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計和銷售。主要產(chǎn)品涵蓋eMMC、eMCP、UFS、MRAM、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、內(nèi)存條等。廣泛應用于智能終端、智能穿戴、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡通信、工控設(shè)備、車載電子、智慧醫(yī)療等領(lǐng)域。

據(jù)介紹，該公司的核心管理團隊脫胎于上市公司康佳集團，同時具備存儲IDM（三星）、存儲模組（康佳芯盈）及存儲品牌廠商（金士頓）全產(chǎn)業(yè)鏈數(shù)十年工作經(jīng)驗。

3、晶存科技存儲芯片制造總部項目落戶廣東中山

4月3日，晶存科技存儲芯片制造總部項目在廣東中山三鄉(xiāng)鎮(zhèn)正式簽約落戶。

晶存科技存儲芯片制造總部項目總投資超10億元，致力于打造先進存儲芯片測試及封裝產(chǎn)線的重要基地。據(jù)悉，該項目選址中山半導體產(chǎn)業(yè)園，是中山半導體產(chǎn)業(yè)園建設(shè)的重要成果，將進一步增添中山在先進儲存芯片測試及封裝領(lǐng)域的實力。

據(jù)悉，晶存科技是是一家集設(shè)計、研發(fā)、測試和銷售于一體的存儲芯片國家高新技術(shù)企業(yè)和深圳市專精特新企業(yè)，深耕存儲控制器芯片設(shè)計、存儲封裝方案開發(fā)及芯片測試領(lǐng)域技術(shù)。涵蓋eMMC、DDR3、DDR4、LPDDR4/4X、LPDDR5、eMCP和uMCP、SSD、DRAM Modules等嵌入式產(chǎn)品，廣泛應用于手機、平板、OTT盒子、TV、車載、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等多個領(lǐng)域。

4、國創(chuàng)芯科技（江蘇）有限公司正式開業(yè)

5月15日，國創(chuàng)芯科技（江蘇）有限公司（以下簡稱“國創(chuàng)芯科技”）在州經(jīng)開區(qū)正式開業(yè)。據(jù)揚州日報等媒體報道，該項目是全球領(lǐng)先的芯片存儲項目。

2023年10月，揚州經(jīng)開區(qū)聯(lián)合合肥大唐存儲科技有限公司，組建國創(chuàng)芯科技。依托母公司強大的研發(fā)實力，國創(chuàng)芯科技目前具有存儲行業(yè)國內(nèi)最高商用安全級芯片防護技術(shù)、超聚合“多芯合一”存儲技術(shù)、高效穩(wěn)定固件技術(shù)、存儲產(chǎn)品解決方案定制化等四大核心技術(shù)。

據(jù)揚州經(jīng)開區(qū)投資集團總經(jīng)理孫曉軍介紹，國創(chuàng)芯科技落戶7個多月就實現(xiàn)了開票1億元