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          三星否認(rèn)HBM3E品質(zhì)問題,聲明巧妙回避

          作者: 時(shí)間:2024-05-28 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

          有報(bào)導(dǎo)稱,的高頻寬存儲(chǔ)器()產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題,未能通過Nvidia品質(zhì)測試,對此否認(rèn)。韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)稱,表示正與多間全球合作伙伴順利開展供應(yīng)測試,強(qiáng)調(diào)將繼續(xù)合作,確保品質(zhì)和可靠性。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202405/459296.htm

          三星聲明表示,“我們正與全球各合作伙伴順利測試供應(yīng),努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性,也嚴(yán)格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能,以便為客戶提供最佳解決方案?!?/p>

          三星近期開始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品,即8-Hi(24GB)和12-Hi(36GB)容量的HBM3E設(shè)備。

          外媒Tom′s Hardware認(rèn)為,三星雖然聲稱最新HBM產(chǎn)品可與多種處理器正常工作,但沒明確說明能否與Nvidia所有處理器正常工作。Nvidia有多種GPU采用HBM3E存儲(chǔ)器,包括H200及B200、B100和GB200,雖然都需要HBM3E存儲(chǔ)器堆疊,但對功耗和散熱要求不同。

          因此該報(bào)導(dǎo)認(rèn)為,三星HBM3E存儲(chǔ)器可能非常適合H200、B200及AMD即將推出的Instinct MI350X,但可能無法滿足Nvidia GB200要求。




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