CMOS逆變器短路功耗的仿真

在邏輯電平轉(zhuǎn)換期間，電流短暫地流過兩個晶體管。本文探討了由此產(chǎn)生的功耗，并為測量電流和功率提供了一些有用的LTspice技巧。

在本系列的第一篇文章中，我們研究了CMOS反相器的動態(tài)和靜態(tài)功耗。在隨后的文章中，我們使用LTspice模擬來進一步了解電容充電和放電引起的功耗。作為討論的一部分，我們創(chuàng)建了如圖1所示的LTspice反相器電路。

增加了負載電阻和電容的CMOS反相器的LTspice示意圖。

圖1。具有負載電阻和電容的CMOS反相器的LTspice示意圖。

我們將在本文中繼續(xù)使用上述原理圖，研究“短路”或“擊穿”電流。這兩個術(shù)語指的是在輸出過渡期內(nèi)流經(jīng)圖1中NMOS和PMOS晶體管的電流。

短路電流是可能的，因為隨著輸入電壓——控制兩個晶體管的柵極電壓——的變化，反相器通過一個電區(qū)域，在該電區(qū)域中NMOS溝道和PMOS溝道都是導電的。

測量短路電流

我們只想測量由于擊穿而從VDD流到地的電流。這意味著我們必須排除在轉(zhuǎn)換期間對負載電容器C1充電和放電的電流。

上升輸出轉(zhuǎn)換期間的短路電流

在圖2中，我們放大了逆變器電路的中心部分。低至高輸出轉(zhuǎn)變的探針位置由NMOS晶體管（M1）的漏極處的綠點示出。

綠點表示當輸出從邏輯低變?yōu)檫壿嫺邥r，我們測量擊穿電流的位置。

圖2:綠點表示當輸出從邏輯低變?yōu)檫壿嫺邥r，我們測量擊穿電流的位置。

在從低輸出到高輸出的轉(zhuǎn)換過程中，充電電流流動：

來自VDD。

通過PMOS晶體管（M2）。

至負載電容器（C1）。

同時，短路電流流動：

來自VDD。

通過PMOS晶體管。

通過NMOS晶體管。

接地。

通過探測圖2中綠點標記的線段，我們測量了充電電流轉(zhuǎn)向電容器后流過兩個晶體管的電流。仿真結(jié)果如圖3所示。

在上升輸出轉(zhuǎn)換期間，逆變器擊穿電流。

圖3。在上升輸出轉(zhuǎn)換期間，逆變器擊穿電流。

當輸入為0.9 V時，測量的電流達到峰值。在該電壓下，NMOS和PMOS晶體管都處于弱導通狀態(tài)。這允許電流直接從VDD流到地。

輸出下降過渡期間的短路電流

對于高輸出到低輸出的轉(zhuǎn)換，情況發(fā)生了逆轉(zhuǎn)。放電電流：

來自負載電容器。

通過NMOS晶體管（M1）

接地。

然而，短路電流的路徑保持不變。它在到達地面的途中仍然經(jīng)過M2和M1。因此，我們在放電電流從電容器到達的節(jié)點之前探測PMOS晶體管的漏極處的電流。探頭位置如圖4所示。

綠點表示當輸出從邏輯高變?yōu)檫壿嫷蜁r，我們測量擊穿電流的位置。

圖4。綠點表示當輸出從邏輯高變?yōu)檫壿嫷蜁r，我們測量擊穿電流的位置。

圖5顯示了下降輸出轉(zhuǎn)換的LTspice模擬結(jié)果。

逆變器在下降輸出轉(zhuǎn)換期間通過電流。

圖5。逆變器在下降輸出轉(zhuǎn)換期間通過電流。

同樣，當輸入電壓接近其中點0.9V時，電流達到峰值。該短路電流在流過NMOS和PMOS電阻時引起功率耗散。

測量瞬時功耗

有兩件事使我們無法輕松地將晶體管電流測量值轉(zhuǎn)換為功耗的數(shù)字估計值：

電流不是通過固定電阻流動的，所以我們不能直接應(yīng)用P=I2R。

晶體管的漏極到源極電壓不是恒定的，所以我們不能直接應(yīng)用P=IV。

然而，LTspice并不反對執(zhí)行必要的計算。如果您在單擊組件時按下Alt鍵（Mac電腦上的Cmd），LTspice將繪制該組件的瞬時功耗。讓我們試試這個。

不斷上升的產(chǎn)出轉(zhuǎn)變

圖6中的紅色軌跡繪制了NMOS在從低到高輸出轉(zhuǎn)換期間消耗的功率。因為在上升過渡期間沒有充電或放電電流流過NMOS，所以這種功率耗散主要由短路電流引起。

在低到高輸出轉(zhuǎn)換期間的瞬時NMOS功率耗散。

圖6。在低到高輸出轉(zhuǎn)換期間的瞬時NMOS功率耗散。

相比之下，圖7顯示了PMOS在相同轉(zhuǎn)變過程中的瞬時功耗。因為充電電流確實流過這個晶體管，所以它的功耗明顯更高。

在低到高輸出轉(zhuǎn)換期間的瞬時PMOS功率耗散。

圖7。在低到高輸出轉(zhuǎn)換期間的瞬時PMOS功率耗散。

下降的過渡

對于從高到低的輸出轉(zhuǎn)變，電容電流流過NMOS而不是PMOS。NMOS（圖8）的功耗現(xiàn)在大于PMOS（圖9）的功耗。

NMOS在高到低輸出轉(zhuǎn)變期間的瞬時功耗。

圖8。NMOS在高到低輸出轉(zhuǎn)變期間的瞬時功耗。

PMOS在高到低輸出轉(zhuǎn)換期間的瞬時功耗。

圖9。PMOS在高到低輸出轉(zhuǎn)換期間的瞬時功耗。

對于下降過渡，PMOS是我們想要檢查的組件，以找到逆變器的短路功耗。

LTspice是如何獲得這些結(jié)果的？

LTspice不僅計算功率，它還通過跟蹤標簽讓我們知道它是如何執(zhí)行計算的。例如，我們可以看到NMOS（M1）在上升轉(zhuǎn)變期間的功耗等于：

其中Id是晶體管的漏極電流（短路電流），Ig是柵極電流。

PMOS（M2）在相同轉(zhuǎn)變期間的功耗為：

其中V+是指電源電壓（在我們的原始示意圖中為VDD）。

在這種特殊情況下，功率耗散幾乎完全是由于漏極電流。然而，兩個方程中Ig的存在應(yīng)該提醒我們，柵極電流也會對總功耗產(chǎn)生影響。

能量損失和平均功耗

最終，本文系列中的概念和仿真旨在為分析CMOS逆變器中的動態(tài)功耗提供一個工具包。本著這種精神，在我們結(jié)束之前，我想再介紹一個LTspice功能。雖然它不會幫助我們找到任何關(guān)于短路功率的其他信息，但它與更廣泛的動態(tài)功耗主題完全相關(guān)。

如果我們按住Ctrl鍵并單擊其中一個瞬時功率波形的跟蹤標簽，LTspice將打開一個光標框。此框中標記為“積分”的底部字段報告模擬過渡過程中的能量損失量。例如，圖10顯示了NMOS在從低到高輸出轉(zhuǎn)換期間的總能量損失。

在一個上升轉(zhuǎn)變過程中通過NMOS晶體管損失的能量。

圖10。在一個上升轉(zhuǎn)變過程中通過NMOS晶體管損失的能量。

圖11顯示了下降躍遷的NMOS總能量損失。

一次下降躍遷通過NMOS損失的能量。

圖11。在一次下降過渡期間通過NMOS損失的能量。

一旦我們找到了PMOS的總能量損失（圖12和13），我們就可以估計逆變器的平均動態(tài)功耗。

在一次上升過渡期間，通過PMOS損失的能量。

圖12。在一次上升過渡期間，通過PMOS損失的能量。

在一次下降過渡期間通過PMOS損失的能量。

圖13。在一次下降過渡期間通過PMOS損失的能量。

為了便于參考，在表1中再現(xiàn)了能量損失值。請注意右邊的“總計”列--我們稍后將使用這些數(shù)字。

表1。在一個上升和一個下降轉(zhuǎn)變期間晶體管的總能量損失。

NMOS PMOS總計（NMOS+PMOS）

我們現(xiàn)在可以如下估計逆變器的平均動態(tài)功耗：

其中f是每秒的循環(huán)次數(shù)。

對于該模擬，我們的PRising=16.2pJ，PFalling=17.4pJ。假設(shè)逆變器的開關(guān)頻率為500赫茲。回想一下，1瓦等于1焦耳每秒（1 W=1 J/s），這給了我們一個估計的功耗：

有了這些，您就可以在CMOS反相器中試驗減少動態(tài)電流和功耗的技術(shù)了。這就結(jié)束了我關(guān)于CMOS反相器功耗的系列，盡管我們將來可能會回到這些模擬中。與此同時，我希望你發(fā)現(xiàn)我們的討論對你有所幫助。