0.75 NA 突破芯片設(shè)計(jì)極限！Hyper-NA EUV 首現(xiàn) ASML 路線圖：2030 年推出，每小時(shí)產(chǎn) 400-500 片晶圓

IT之家 6 月 14 日消息，全球研發(fā)機(jī)構(gòu) imec 表示阿斯麥（ASML）計(jì)劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機(jī)，目前仍處于開發(fā)的“早期階段”。

阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利時(shí)安特衛(wèi)普（Antwerp）召開、由 imec 舉辦 ITF World 活動(dòng)中，表示：“從長遠(yuǎn)來看，我們需要改進(jìn)光刻系統(tǒng)，因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時(shí)，我們必須將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高到每小時(shí) 400 到 500 片晶圓”。

High-NA 將數(shù)值孔徑 (NA) 從早期 EUV 工具的 0.33 NA 提高到 0.55 NA。而根據(jù) van den Brink 在 imec 活動(dòng)上展示的圖片，該公司將在 2030 年左右提供 Hyper-NA，達(dá)到 0.75 NA。

Imec 高級圖案設(shè)計(jì)項(xiàng)目總監(jiān) Kurt Ronse 表示，這是 ASML 首次將 Hyper-NA EUV 加入其路線圖，他與 ASML 合作開發(fā)光刻技術(shù)已有 30 多年。IT之家附上相關(guān)圖片如下：

Ronse 表示現(xiàn)階段想要突破 0.55 NA 面臨諸多挑戰(zhàn)，其中問題之一是光偏振。

Ronse 表示：“NA 一旦超過 0.55，由于偏振方向基本上會(huì)抵消光線，因此會(huì)破壞對比度”。

解決方案之一就是在光刻設(shè)備中加入偏振片，而這又會(huì)帶來新的問題，偏振片會(huì)阻擋光線，降低能效，增加生產(chǎn)成本。

Hyper-NA 的另一個(gè)挑戰(zhàn)是電阻。

Ronse 表示：“在 0.55 NA 的情況下，我們就必須降低電阻。有了 Hyper-NA，情況會(huì)更糟。這將給蝕刻選擇性帶來更多挑戰(zhàn)”。