三星公布新工藝節(jié)點(diǎn),2nm工藝SF2Z將于2027年大規(guī)模生產(chǎn)
據(jù)韓媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月12日,三星電子在美國(guó)硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024(Samsung Foundry Forum,SFF)”,并公布了其晶圓代工技術(shù)戰(zhàn)略。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202406/459974.htm活動(dòng)中,三星公布了兩個(gè)新工藝節(jié)點(diǎn),包括SF2Z和SF4U。其中,SF2Z是2nm工藝,采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù),通過(guò)將電源軌置于晶圓背面,以消除與電源線和信號(hào)線有關(guān)的互聯(lián)瓶頸,計(jì)劃在2027年大規(guī)模生產(chǎn)。與第一代2nm技術(shù)相比,SF2Z不僅提高了PPA,還顯著降低了電壓降(IR drop),從而提高了高性能計(jì)算(HPC)的性能。SF4U則是4nm工藝變體,通過(guò)結(jié)合光學(xué)縮放技術(shù)改進(jìn)功率、性能和面積(PPA),該工藝計(jì)劃于2025年量產(chǎn)。
目前,三星對(duì)SF1.4(1.4nm)的準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利,正在按計(jì)劃達(dá)成性能和量產(chǎn)目標(biāo),預(yù)計(jì)該工藝將于2027年量產(chǎn)。
在技術(shù)路線上,三星重點(diǎn)介紹了全環(huán)繞柵極(GAA)工藝技術(shù)的進(jìn)展。三星的GAA工藝已進(jìn)入量產(chǎn)的第三年,基于GAA技術(shù)演進(jìn),三星計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)第二代3nm工藝(SF3),并計(jì)劃在即將推出的2nm工藝上采用GAA。
三星電子晶圓代工事業(yè)部總裁崔思英在演講中表示:“在所有技術(shù)都在圍繞AI發(fā)生革命性變革的時(shí)代,最重要的是能夠?qū)崿F(xiàn)AI的高性能、低功耗半導(dǎo)體,”三星電子將通過(guò)針對(duì)AI半導(dǎo)體優(yōu)化的GAA(Gate-All-Around)工藝技術(shù)和光學(xué)器件技術(shù),提供客戶在AI時(shí)代所需的一站式AI解決方案,以實(shí)現(xiàn)低功耗的高速數(shù)據(jù)處理。到2027年,該公司計(jì)劃將光學(xué)元件集成到其AI解決方案中。
評(píng)論