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          鎧俠公布藍(lán)圖:2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

          作者: 時(shí)間:2024-07-01 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

          近日,據(jù)媒體報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片廠商公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖,目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202407/460504.htm

          表示,自2014年以來(lái),3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng),從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長(zhǎng)。正是基于這種每年平均1.33倍的增長(zhǎng)速度,預(yù)測(cè)到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。

          而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年,據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道,鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)演講會(huì)上表示,公司計(jì)劃于2030至2031年間推出1000層的3D NAND閃存芯片。

          鎧俠是全球知名的存儲(chǔ)芯片廠商,不過(guò)為應(yīng)對(duì)需求低迷的市場(chǎng)環(huán)境,2022年10月,鎧俠宣布將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn),將晶圓生產(chǎn)量減少約30%。

          最新消息是,鎧俠已結(jié)束了為期20個(gè)月的減產(chǎn)動(dòng)作,并將上述兩座NAND Flash工廠的產(chǎn)線開(kāi)工率提升至100%。此外,隨著業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn),債權(quán)銀行已同意為6月份到期的5,400億日元貸款進(jìn)行再融資。他們還將設(shè)立總額為2,100億日元的新信貸額度。

          除了公布最新3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖外,鎧俠的IPO計(jì)劃似乎也迎來(lái)了新的進(jìn)展。

          據(jù)媒體援引兩位知情人士的消息報(bào)道,鎧俠計(jì)劃在未來(lái)幾天提交一份在東京證交所上市的初步申請(qǐng)。知情人士稱,這家芯片制造商計(jì)劃在8月提交一份完整的申請(qǐng),并預(yù)計(jì)于10月底上市,不過(guò)上市時(shí)間有可能會(huì)推遲到12月。



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