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          谷歌Tensor G5芯片或已進(jìn)入流片階段,基于臺(tái)積電3nm制程

          作者: 時(shí)間:2024-07-02 來源:SEMI 收藏

          據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,最新消息稱預(yù)計(jì)用于明年旗艦智能手機(jī)的將基于臺(tái)積電3nm制程,目前已成功進(jìn)入流片階段。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202407/460545.htm

          據(jù)了解,代號(hào)為Laguna Beach“拉古納海灘”,該芯片采用臺(tái)積電InFo_PoP晶圓級(jí)扇出封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)SoC和DRAM的堆疊,支持16GB以上內(nèi)存。這種封裝技術(shù)能有效提升芯片的性能,并減小其物理尺寸,為Pixel設(shè)備帶來更強(qiáng)大的性能和更緊湊的設(shè)計(jì)。

          此前推出的前四代Tensor芯片均基于三星Exynos的修改版本,并由三星代工生產(chǎn)。而Tensor G5的全自研,意味著谷歌將能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)Pixel設(shè)備從芯片到設(shè)備整機(jī)再到操作系統(tǒng)乃至應(yīng)用程序的全方位掌控。這種深度整合的軟硬件設(shè)計(jì),將有助于谷歌更快地將應(yīng)用部署在自家設(shè)備上,從而打造差異化產(chǎn)品,提升市場競爭力。



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