什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)
什么是 GDDR7 內(nèi)存?它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存,例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來(lái)幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品,為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級(jí),從而提高游戲和其他類型的工作負(fù)載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。
自從第二代GDDR內(nèi)存(用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”)推出以來(lái),這種模式就非常清晰。GDDR(前身為 DDR SGRAM)早在 1998 年就問(wèn)世了,每隔幾年就會(huì)有新的迭代到來(lái),擁有更高的速度和帶寬。
當(dāng)前一代 GDDR6 于 2018 年問(wèn)世,首次用于 Nvidia RTX 20 系列和 AMD RX 5000 系列 GPU,從 14 GT/s(每秒千兆傳輸速度)開(kāi)始,最終達(dá)到 20 GT/秒。還有 GDDR6X 內(nèi)存,僅供 Nvidia 在更高級(jí)別的 RTX 30 和 40 系列 GPU 上使用,初始速度為 19 GT/s,最終達(dá)到 23 GT/s——至少在出貨產(chǎn)品中是這樣。
自三星于 2022 年首次討論該技術(shù)以來(lái),GDDDR7 已經(jīng)出現(xiàn)了好幾年,最終的 JEDEC 規(guī)格于 2024 年 3 月 5 日發(fā)布。所有主要的內(nèi)存制造商——美光、三星和SK海力士——都已經(jīng)承諾支持該標(biāo)準(zhǔn),芯片現(xiàn)在應(yīng)該可以大規(guī)模生產(chǎn)。我們預(yù)計(jì)今年秋天將看到第一批使用 GDDR7 的零售產(chǎn)品。
GDDR7 速度
GDDR7 最初將以 32 GT/s 的速度啟動(dòng)——比最快的 GDDR6 內(nèi)存高 60%,比最快的 GDDR6X 內(nèi)存高 33%(盡管沒(méi)有產(chǎn)品使用過(guò) 24 GT/s 的速度)。但這只是基線起點(diǎn)。
美光和三星已公開(kāi)披露計(jì)劃發(fā)布速度高達(dá) 36 GT/s 的 GDDR7,而 SK 海力士表示將擁有高達(dá) 40 GT/s 的速度。最后一項(xiàng)將使頂級(jí) GDDR6 解決方案的帶寬增加一倍,我們可能會(huì)在 2025 年看到此類芯片出貨。
展望未來(lái),GDDR7 計(jì)劃達(dá)到 48 GT/s。我們預(yù)計(jì)至少在一兩年內(nèi)不會(huì)看到這樣的記憶,但可以想象,我們最終可能會(huì)看到更高的時(shí)鐘,這取決于中間幾年發(fā)生的事情。
實(shí)際內(nèi)存時(shí)鐘并不像上述數(shù)字所暗示的那么高。與 GDDR6 一樣,GDDR7 將使用四數(shù)據(jù)速率 (QDR)——所以從技術(shù)上講,它更像是 GQDR7,但命名人員已經(jīng)決定堅(jiān)持使用 DDR。數(shù)據(jù)也以塊的形式從內(nèi)存中獲取,并且基本時(shí)鐘比名稱所暗示的要低得多。事實(shí)上,即使是“QDR”也有點(diǎn)用詞不當(dāng),因?yàn)?GDDR6X 的基本時(shí)鐘為 1188 MHz (“19Gbps”) 至 1438 MHz (“24Gbps”),而 GDDR6 的基本時(shí)鐘為 1375–2500 MHz (11–20 Gbps)。
會(huì)有GDDR7X內(nèi)存嗎?
過(guò)去兩代 GDDR 都出現(xiàn)了“X”變體,GDDR5X 和 GDDR6X。這兩者都來(lái)自美光,與英偉達(dá)合作,為基本內(nèi)存創(chuàng)造了更高帶寬的變體。GDDR5 在 GTX 1060 6GB 中達(dá)到 9 GT/s,而 GDDR5X 則達(dá)到 12 GT/s。同樣,GDDR6 的最大速度為 20 GT/s,而 GDDR6X 將其提高到 24 GT/s。GDDR5X 的速度提高了 33%,GDDR6X 的速度提高了 20%。
那么,我們能否看到 GDDR7X 將速度提高到超過(guò) GDDR7 最終達(dá)到的任何水平?我們?cè)?GTC 2024 上向美光詢問(wèn)了此事,并被告知目前還沒(méi)有正式進(jìn)行任何工作。這確實(shí)是有道理的——直到使用 GDDR6 的第二代顯卡問(wèn)世,我們才獲得 GDDR6X,而 GDDR7 甚至還沒(méi)有在產(chǎn)品中發(fā)貨。
美光不太可能討論GDDR7X的未來(lái)計(jì)劃,無(wú)論它現(xiàn)在是否正在開(kāi)發(fā)中——就像英偉達(dá)還沒(méi)有談?wù)撐磥?lái)的GPU魯賓架構(gòu)一樣??吹矫拦馀c英偉達(dá)在 GDDR7X 上的又一次合作也就不足為奇了,但我們預(yù)計(jì)至少在未來(lái)兩三年內(nèi)不會(huì)以某種方式聽(tīng)到它。如果它真的成為現(xiàn)實(shí),希望它能像GDDR6X一樣提供至少20%的帶寬提升。
哪些產(chǎn)品將使用GDDR7?
目前,還沒(méi)有關(guān)于任何將使用 GDDR7 的產(chǎn)品的官方消息,但有傳言稱 Nvidia 的更高級(jí)別的 Blackwell GPU 是第一個(gè)使用新內(nèi)存的產(chǎn)品。我們預(yù)計(jì)第一批將于 2024 年秋季到貨。
早先的預(yù)期是AMD的RDNA 4 GPU也將采用新的內(nèi)存類型,但現(xiàn)在有跡象表明RDNA 4將堅(jiān)持使用GDDR6內(nèi)存。這只是泄密者的說(shuō)法,但也有跡象表明,AMD可能會(huì)在其即將推出的架構(gòu)中專注于主流GPU。如果這是正確的,那么繼續(xù)依賴更便宜的 GDDR6 內(nèi)存也就不足為奇了。
英特爾的 Battlemage GPU 怎么樣?據(jù)英特爾代表稱,這些產(chǎn)品也針對(duì)主流用戶,因此也可能與GDDR6一起使用?;蛘撸覀兛梢钥吹讲捎?GDDR7 的高端型號(hào)和采用 GDDR6 的主流解決方案。
無(wú)論發(fā)生什么,目前的謠言表明 AMD RDNA 4 可能要到 2025 年才會(huì)到來(lái)。有傳言說(shuō) Battlemage 將在今年發(fā)貨,但現(xiàn)在其他傳聞?wù)f它也已經(jīng)滑入 2025 年。目前,關(guān)于各種新顯卡何時(shí)出貨還沒(méi)有明確的答案。
GDDR7 也可以用于其他設(shè)備,特別是與 AI 加速器一起使用。頂級(jí) AI 加速器一直在使用 HBM 內(nèi)存類型(現(xiàn)在主要是 HBM3 和 HBM3E),但以推理為中心的設(shè)計(jì)仍然可以從 GDDR7 提供的額外帶寬中受益,即使它不像 HBM 那樣密集。
GDDR7 技術(shù)細(xì)節(jié)
我們已經(jīng)介紹了 GDDR7 的速度和帶寬,以及我們可能看到它使用的時(shí)間和地點(diǎn),但新內(nèi)存帶來(lái)了哪些根本性的變化?
最大的變化之一將是工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)的縮小,從目前的“10納米級(jí)”到21納米,再到10納米到15納米。美光目前使用 GDDR6/GDDR6X 的最小節(jié)點(diǎn),稱其為 10nm 級(jí),但我們預(yù)計(jì)它將轉(zhuǎn)向 GDDR7 的精細(xì)和/或更小的節(jié)點(diǎn)。SK海力士(SK海力士)和三星(Samsung)也是如此,前者目前在21nm節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)GDDR6,后者也使用10nm級(jí)的GDDR6。
目前的 GDDR6 解決方案通常使用 1.35V,而 GDDR7 會(huì)將其降低到 1.2V,潛在的 1.1V 版本也在開(kāi)發(fā)中(用于低時(shí)鐘)。這應(yīng)該會(huì)降低同等性能的功率要求,盡管更高的速度可能會(huì)抵消這一優(yōu)勢(shì)。
GDDR7 最大的根本性變化是它將使用 PAM3 信令,其中 GDDR6 使用 NRZ(不歸零)信令,而 GDDR6X 使用 PAM4 信令。與 NRZ 相比,PAM3(3 級(jí)脈沖幅度調(diào)制)降低了能源需求,同時(shí)比 PAM4(4 級(jí) PAM)實(shí)施起來(lái)更簡(jiǎn)單。這應(yīng)該使GDDR7制造設(shè)備不那么復(fù)雜和便宜,盡管這并不意味著它會(huì)便宜。
GDDR7 還將支持非 2 次供電配置,我們預(yù)計(jì)會(huì)看到 24Gb 和最終的 48Gb 內(nèi)存芯片。GDDR6 也可能推出 24Gb 解決方案,盡管目前還沒(méi)有公司發(fā)布使用這種配置的產(chǎn)品。這意味著每個(gè) 32 位接口可以多放置 50% 的內(nèi)存,例如,典型的 128 位顯卡可以具有 12GB 的 VRAM,而不是只有 8GB。
另一個(gè)變化是 32 位 GDDR7 內(nèi)存接口被細(xì)分為四個(gè) 8 位通道,這有助于獲取更大的數(shù)據(jù)塊。GDDR5 是 8n 預(yù)取,GDDR6 是 16n,GDDR7 將具有 32n 預(yù)取架構(gòu)。這是一種從DRAM提取大量數(shù)據(jù)的方法,同時(shí)仍以相對(duì)較低的時(shí)鐘運(yùn)行。
GDDR7 還支持 ECC(糾錯(cuò)碼),即使偶爾的位被翻轉(zhuǎn),芯片也能繼續(xù)運(yùn)行。ECC可以檢測(cè)到這一點(diǎn)并提高可靠性,隨著速度和密度的增加,這是一個(gè)關(guān)鍵因素。
展望 GDDR7 之外
正如我們已經(jīng)從GDDR2到GDDR7一樣——如前所述,“GDDR1”被稱為DDR SGRAM——可以肯定的是,我們將在未來(lái)看到GDDR8,可能是四到七年后。真正的問(wèn)題是,在看似不可避免的 GDDR9 之后會(huì)發(fā)生什么。我們只需添加一個(gè)數(shù)字即可獲得 GDDR10 嗎?不過(guò),我們也可能在某個(gè)時(shí)候從 DDR 轉(zhuǎn)向 QDR 或 ODR(八進(jìn)制數(shù)據(jù)速率)命名。
2003 年的 GDDR2 最高運(yùn)行速度僅為 1 GT/s (Gbps),32 位芯片可產(chǎn)生高達(dá) 4 GB/s 的帶寬。第二年,GDDR3 開(kāi)始使用,每個(gè) 32 位芯片的帶寬高達(dá) 8 GB/s。Nvidia跳過(guò)了GDDR4,而AMD在2006-2007年X1000和HD 2000系列的一些GPU中使用了它,最高帶寬為9 GB / s。2009 年躍升到 GDDR5 帶來(lái)了帶寬的顯著增加,最慢的芯片提供 16 GB/s,后來(lái),GDDR5 最終將這一數(shù)字翻倍至 32 GB/s。
自 GDDR5 以來(lái),引入新變體的速度已經(jīng)放緩。GDDR5 堅(jiān)持了整整六年,GDDR6 也做到了同樣的事情。GDDR7 很可能至少會(huì)存在這么長(zhǎng)時(shí)間,與主要用于數(shù)據(jù)中心和 AI 產(chǎn)品的各種形式的 HBM(高帶寬內(nèi)存)共存。但在某些時(shí)候,即使每個(gè) 32 位芯片的帶寬高達(dá) 160 GB/s,甚至 GDDR7 最終也需要被替換——工程師們可能已經(jīng)在討論如何為接下來(lái)的任何事情推動(dòng)更高的帶寬。
但現(xiàn)在,我們期待看到第一波配備 GDDR7 的顯卡。憑借更大的內(nèi)存容量和更高的帶寬,GDDR7 將實(shí)現(xiàn)更高水平的 GPU 計(jì)算。如果一切按計(jì)劃進(jìn)行,這些應(yīng)該在今年秋天到來(lái)。
評(píng)論