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          臺積電大舉拉貨EUV光刻機(jī)

          作者: 時間:2024-07-09 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

          臺積電依然是 設(shè)備的最大買家。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202407/460799.htm

          臺積電 2nm 先進(jìn)制程產(chǎn)能將于 2025 年量產(chǎn),設(shè)備廠正如火如荼交機(jī),尤以先進(jìn)制程所用之 (極紫外光刻機(jī))至為關(guān)鍵,今明兩年共將交付超過 60 臺 ,總投資金額上看超過 4000 億元新臺幣。在產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充之下,ASML 2025 年交付數(shù)量增長將超過 3 成,臺廠供應(yīng)鏈沾光,其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā),另外帆宣、意德士、公準(zhǔn)、京鼎及翔名等有望同步受惠。

          設(shè)備廠商透露,EUV 設(shè)備供應(yīng)吃緊,交期長達(dá) 16~20 個月,因此,2024 年訂單大部分會于后年開始交付; 據(jù)法人估計,今年臺積電 EUV 訂單達(dá) 30 臺、明年 35 臺,不過會因為資本支出進(jìn)行微幅調(diào)整。而除了研發(fā)中心之外,High-NA EUV 明后年尚無量產(chǎn)設(shè)備規(guī)劃。

          ASML 因應(yīng)客戶需求,于去年規(guī)劃新產(chǎn)能,明年交付數(shù)量成長性明確。今年預(yù)估總交付數(shù)量達(dá) 53 臺,而明年預(yù)計達(dá)到 72 臺以上。

          供應(yīng)鏈指出,ASML 對 2025 年度產(chǎn)能規(guī)劃,EUV 90 臺、DUV 600 臺、High-NA EUV 20 臺目標(biāo)并未改變,今年 11 月 14 將舉行 2024 Investor Day,將對下個 5 年提出最新藍(lán)圖。

          臺積電先進(jìn)制程產(chǎn)能逐漸開出,以 3nm 臺南廠來說,第三季將進(jìn)入量產(chǎn),明年 P8 廠也會有 EUV 機(jī)臺陸續(xù)導(dǎo)入,新竹寶山 2nm 在接續(xù)三年 EUV 拉貨動能強(qiáng)勁、高雄 2nm 也同步進(jìn)行。

          供應(yīng)鏈同時透露,臺積電美國 P1A 工程追加款項有望第三季到位,且該廠區(qū)已進(jìn)入建設(shè)尾聲,加上臺積在島內(nèi)外其余廠區(qū)建設(shè)需求,如新竹寶山、日本熊本、高雄楠梓及封測廠等、CSP 數(shù)據(jù)中心建置需求,設(shè)備需求不看淡。

          更多的 EUV 設(shè)備,帶動 EUV 光罩盒使用量同步增長,法人認(rèn)為,家登將為其中最受惠廠商,F(xiàn)OUP(前開式晶圓傳送盒)持續(xù)搶攻市占率,相較競爭對手,家登自建熱風(fēng)抽氣環(huán)境,將塑膠?;蚴俏廴玖W优懦?,直接送至客戶廠區(qū)即可上機(jī); 同時,ASML High-NA EUV 家登也投入合作研發(fā)。

          ASML 推出首款 2nm 低數(shù)值孔徑 EUV 設(shè)備 Twinscan NXE:3800E

          狂熱的讀者傾向于關(guān)注使用前沿制程工藝技術(shù)制造的微芯片,就英特爾而言,這意味著未來幾年將使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)。但是,我們將在未來幾年內(nèi)使用的絕大多數(shù)芯片都將使用低數(shù)值孔徑(Low-NA)EUV 光刻設(shè)備制造。這就是為什么 ASML 的最新公告特別引人注目的原因。

          正如 Computerbase 所發(fā)現(xiàn)的那樣,ASML 于今年 3 月交付了其第一臺更新的 Twinscan NXE:3800E 光刻機(jī),用于晶圓廠安裝。NXE:3800E 是該公司 0.33 數(shù)值孔徑(Low-NA)光刻掃描儀系列的最新版本,旨在制造 2nm 和 3nm 制程芯片。

          ASML 尚未公布有關(guān)該設(shè)備功能的全部細(xì)節(jié),但該公司之前的路線圖表明,更新后的 3800E 將提供更高的晶圓吞吐量和更高的晶圓對準(zhǔn)精度,ASML 稱之為「匹配機(jī)器覆蓋」?;谠撀肪€圖,ASML 預(yù)計其第五代低數(shù)值孔徑 EUV 掃描儀每小時可加工 200 片晶圓,這標(biāo)志著該技術(shù)的一個重要里程碑,因為 EUV 光刻技術(shù)的缺點之一是其吞吐率低于當(dāng)今經(jīng)過充分研究和調(diào)整的深紫外(DUV)光刻設(shè)備。

          對于 ASML 的邏輯和存儲芯片晶圓廠客戶來說(目前這個名單總共只有大約 6 家公司),更新后的掃描儀將幫助這些晶圓廠繼續(xù)改進(jìn)和擴(kuò)大其尖端芯片的生產(chǎn)。即使大型晶圓廠正在通過增加設(shè)施來擴(kuò)大運(yùn)營規(guī)模,提高現(xiàn)有設(shè)施的產(chǎn)量仍然是滿足產(chǎn)能需求以及降低生產(chǎn)成本(或至少控制生產(chǎn)成本)的重要因素。

          由于 EUV 掃描儀并不便宜——一臺典型的掃描儀成本約為 1.8 億美元,而 Twinscan NXE:3800E 的成本可能會更高——這些設(shè)備成本需要一段時間才能完全攤銷。與此同時,更快地推出新一代 EUV 掃描儀將對 ASML 產(chǎn)生重大的財務(wù)影響,ASML 已經(jīng)享有作為這種關(guān)鍵設(shè)備的唯一供應(yīng)商的地位。

          繼 3800E 之后,ASML 至少還有一代低數(shù)值孔徑 EUV 掃描儀正在開發(fā)中,包括 Twinscan NXE:4000F。預(yù)計將于 2026 年左右發(fā)布。

          高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)受關(guān)注

          去年 12 月,ASML 向英特爾交付了業(yè)界首臺數(shù)值孔徑達(dá)到 0.55 的 EUV 光刻設(shè)備 Twinscan EXE:5000,目前,該設(shè)備主要用于開發(fā)目的,并使該公司的客戶熟悉新技術(shù)及其功能。高數(shù)值孔徑設(shè)備的商業(yè)使用計劃在 2025 年及以后進(jìn)行。

          英特爾宣布計劃從 2025 年開始采用 ASML 的高數(shù)值孔徑 Twinscan EXE 掃描儀進(jìn)行大批量生產(chǎn)(HVM),屆時該公司打算開始使用其 18A(1.8nm)制程技術(shù)。為此,英特爾自 2018 年以來一直在嘗試使用高數(shù)值孔徑光刻設(shè)備,當(dāng)時它獲得了 ASML 的 Twinscan EXE:5000,該公司訂購了 ASML 的下一代高數(shù)值孔徑商用設(shè)備 Twinscan EXE:5200。

          高數(shù)值孔徑 EUV 設(shè)備對于更高分辨率(<8 nm,目前的 0.33 NA EUV 的分辨率為 13nm)至關(guān)重要,可實現(xiàn)更小的晶體管和更高的晶體管密度。除了完全不同的光學(xué)設(shè)計外,高數(shù)值孔徑掃描儀還有望提供更快的光罩和晶圓平臺以及更高的生產(chǎn)率。例如,Twinscan EXE:5200 的生產(chǎn)率超過每小時 200 個晶圓(WPH)。相比之下,ASML 的頂級 0.33 NA EUV 設(shè)備 Twinscan NXE:3600D 的 WPH 為 160。

          英特爾可能會在其 18A 后的制程工藝技術(shù)中采用 ASML 的高 NA 工具,而競爭對手臺積電和三星將在本十年晚些時候使用它們。這些掃描儀不會便宜,據(jù)估計,每臺這樣的設(shè)備成本可能超過 3 億美元,這將進(jìn)一步提高最先進(jìn)制程晶圓廠的成本。

          ASML 已經(jīng)交付給客戶的最先進(jìn) EUV 掃描儀具有 0.33 NA 和 13nm 分辨率,可以通過單次曝光圖案打印金屬間距約為 30nm 的芯片,這對于 5nm 或 4nm 級等制程節(jié)點來說已經(jīng)足夠了。對于更精細(xì)的制程,芯片制造商要么需要使用 EUV 雙重曝光或圖案塑造技術(shù),這就是他們未來幾年要做的事情。但除此之外,他們計劃使用 ASML 的下一代高數(shù)值孔徑 EUV 掃描儀,其數(shù)值孔徑為 0.55,分辨率約為 8nm。

          需要注意的是,0.55 NA EUV 設(shè)備不會取代晶圓廠目前使用的深紫外(DUV)和 EUV 設(shè)備,就像引入 0.33 NA EUV 不會逐步淘汰 DUV 光刻機(jī)一樣。在可預(yù)見的未來,ASML 將繼續(xù)推進(jìn)其 DUV 和 0.33 NA EUV 掃描儀。同時,高數(shù)值孔徑 EUV 光刻技術(shù)將在縮小晶體管尺寸和提高其性能方面繼續(xù)發(fā)揮關(guān)鍵作用。



          關(guān)鍵詞: EUV

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