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          美光新內(nèi)存模塊 開始送樣

          作者: 時(shí)間:2024-07-19 來源: 收藏

          18日宣布,該公司多重存取雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)開始送樣,針對(duì)內(nèi)存需求高達(dá)每DIMM 插槽128GB以上的應(yīng)用,其效能更勝目前的硅晶穿孔型(TSVRDIMM

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202407/461177.htm

          光第一代MRDIMM,與IntelR XeonR 6處理器兼容。MRDIMM現(xiàn)已上市,將于2024年下半年開始大量出貨。

          指出,開始送樣的內(nèi)存是美光MRDIMM系列的第一代產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)最高帶寬、最大容量、最低延遲,以及更高的每瓦效能,加速內(nèi)存密集型如虛擬化多租戶、HPCAI數(shù)據(jù)中心等的工作負(fù)載。

          美光副總裁暨運(yùn)算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Praveen Vaidyanathan表示,美光最新推出的創(chuàng)新主存儲(chǔ)器解決方案MRDIMM,以更低的延遲提供業(yè)界迫切需要的高帶寬與大容量,有助在下一代服務(wù)器平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)大規(guī)模AI推論和高效能運(yùn)算(HPC)應(yīng)用。

          MRDIMM顯著降低每項(xiàng)任務(wù)的功耗,同時(shí)延續(xù)了與RDIMM相同的可靠性、可用性和可維護(hù)性功能與接口,為客戶提供靈活擴(kuò)充效能的解決方案。

          由于美光與業(yè)界緊密合作,因此,新產(chǎn)品不僅能夠無縫整合到現(xiàn)有服務(wù)器基礎(chǔ)架構(gòu)中,更可順暢銜接未來運(yùn)算平臺(tái)。

          MRDIMM技術(shù)采用DDR5的物理與電氣標(biāo)準(zhǔn),帶來更先進(jìn)的內(nèi)存,每核心的帶寬與容量雙雙提升,為未來運(yùn)算系統(tǒng)做好準(zhǔn)備,更滿足數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載日益成長的需求。



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