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          臺(tái)積電要抄三星的后路

          作者: 時(shí)間:2024-07-23 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

          在芯片制造領(lǐng)域,先進(jìn)制程的影響力和統(tǒng)治力越來(lái)越大,已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領(lǐng)域,拓展到最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片制造,這在臺(tái)積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202407/461288.htm

          當(dāng)下的 3nm 制程晶圓代工,臺(tái)積電的市場(chǎng)統(tǒng)治力很明顯,三星處于弱勢(shì)地位。未來(lái)的 2nm 制程,三星必須加緊趕上,否則會(huì)越來(lái)越困難。

          在高帶寬內(nèi)存()芯片制造方面,原本都由存儲(chǔ)芯片 IDM 大廠自家完成,但是,到了下一代的 4,技術(shù)難度和制造難度提高了不少,需要更先進(jìn)的制程工藝參與進(jìn)來(lái)。

          2nm 制程針?shù)h相對(duì)

          據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電將于 7 月中旬開(kāi)始試生產(chǎn) 2nm 制程工藝芯片,早于市場(chǎng)預(yù)估的第四季度。

          臺(tái)積電 2nm 工藝首次應(yīng)用 GAA(全環(huán)繞柵極晶體管)技術(shù),可以在更小的制程節(jié)點(diǎn)上提供更好的性能。

          據(jù)臺(tái)積電介紹,與 3nm 制程相比,2nm 的能效提升 10%~15%,功耗降低 30%。當(dāng)試產(chǎn)良率達(dá)到一定標(biāo)準(zhǔn)時(shí),便可以推進(jìn)到量產(chǎn)階段。

          臺(tái)積電的 2nm 制程將包括 N2、N2P 和 N2X 三個(gè)版本,預(yù)計(jì) 2025 下半年開(kāi)始量產(chǎn)其第一代 GAAFET N2 節(jié)點(diǎn)芯片,下一個(gè)版本 N2P 將在 2026 年底量產(chǎn)。臺(tái)積電這兩個(gè)版本 2nm 工藝沒(méi)有使用背面供電技術(shù),不過(guò),整個(gè) N2 系列將增加臺(tái)積電新的 NanoFlex 功能,該功能允許芯片設(shè)計(jì)人員在同一模塊中匹配來(lái)自不同庫(kù)(高性能、低功耗、不同面積)的單元,以提高性能或降低功耗。

          N2P 之后將是電壓增強(qiáng)型的 N2X。盡管臺(tái)積電曾表示 N2P 將在 2026 年增加背面供電技術(shù),但看起來(lái)情況并非如此,N2P 將使用常規(guī)供電電路,具體原因尚不清楚。

          有消息稱蘋(píng)果已經(jīng)與臺(tái)積電達(dá)成獨(dú)家協(xié)議,包下臺(tái)積電 2nm 制程首批全部產(chǎn)能。

          據(jù)外媒報(bào)告,臺(tái)積電 2024 年資本支出可能達(dá)到上限值 320 億美元,2025 年有望進(jìn)一步升至 370 億美元,主要用于提前部署 2nm 工藝量產(chǎn),采購(gòu)先進(jìn)設(shè)備。目前,三星也在發(fā)力 2nm 工藝,臺(tái)積電提前部署產(chǎn)能的目的是為保持在晶圓代工領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

          今年初就有報(bào)道稱,三星已經(jīng)從日本人工智能(AI)初創(chuàng)公司 Preferred Networks Inc.(PFN)收到 2nm 制程芯片訂單,從而在 2nm 晶圓代工業(yè)務(wù)中搶得先機(jī)。

          7 月 9 日,三星發(fā)布公告,官宣了與 Preferred Networks Inc. 的合作,將基于 2nm 制程工藝和 2.5D 封裝技術(shù) Interposer-Cube S(I-Cube S),提供一站式解決方案,為對(duì)方制造 AI 芯片。

          Preferred Networks Inc. 主要進(jìn)行人工智能深度學(xué)習(xí)開(kāi)發(fā)。據(jù)悉,三星之所以被選中,是因?yàn)槠渫瑫r(shí)具備存儲(chǔ)器和晶圓代工服務(wù),有著較強(qiáng)的綜合能力和技術(shù)積累,可以提供 設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和先進(jìn)封裝的全套解決方案。

          三星原計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) 2nm(SF2)制程芯片,然后于 2026 年采用背面供電技術(shù)。與 3nm 工藝(SF3)相比,三星的 2nm 工藝性能提升 12%,功率效率提升 25%,面積減少 5%。

          臺(tái)積電和三星在 2nm 制程芯片量產(chǎn)方面在較勁,雙方也都有需要解決的問(wèn)題。

          IBS 估計(jì),與 3nm 處理器相比,2nm 芯片成本將增長(zhǎng)約 50%。

          正是有蘋(píng)果、英偉達(dá)、AMD 等大客戶下單,臺(tái)積電才會(huì)大規(guī)模投資最先進(jìn)制程,否則,像 2nm 這樣燒錢的制程產(chǎn)線,是很難持續(xù)支撐下去的。目前,臺(tái)積電正在全方位控制成本,包括 EUV 設(shè)備的支出,電能的節(jié)省等。雖然其它幾家廠商也會(huì)面臨 2nm 成本問(wèn)題,但為了追趕臺(tái)積電,三星和英特爾似乎在成本方面沒(méi)有臺(tái)積電那么敏感。另外,由于臺(tái)積電要在美國(guó)新建至少兩座先進(jìn)制程晶圓廠,這給它帶來(lái)了很多額外的成本壓力。因此,臺(tái)積電的 2nm 制程產(chǎn)線必須精打細(xì)算。

          對(duì)于晶圓代工來(lái)說(shuō),良率非常重要,它直接影響生產(chǎn)成本和客戶認(rèn)可度。

          自從進(jìn)入 5nm 制程時(shí)代以來(lái),良率一直是三星晶圓代工業(yè)務(wù)所面對(duì)的最大問(wèn)題,特別是在 3nm 制程節(jié)點(diǎn)上,三星率先引入了全新的 GAA 架構(gòu)晶體管,與以往使用的 FinFET 晶體管有較大區(qū)別,制造難度增加不少。

          據(jù) Notebookcheck 報(bào)道,三星的 3nm 工藝良率在 50% 附近徘徊,依然有一些問(wèn)題需要解決。

          今年 2 月,據(jù)韓媒報(bào)道,三星新版 3nm 工藝存在重大問(wèn)題,試產(chǎn)芯片均存在缺陷,良率為 0%。報(bào)道指出,采用 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過(guò)質(zhì)量測(cè)試。

          為了追趕臺(tái)積電,三星的 3nm 制程工藝采取了比較激進(jìn)的策略,主要體現(xiàn)在 GAA 晶體管架構(gòu)上,臺(tái)積電的 3nm 依然采用 FinFET。2nm 才會(huì)轉(zhuǎn)向 GAA 晶體管,激進(jìn)的結(jié)果就是要在良率方面付出一些代價(jià)。

          臺(tái)積電統(tǒng)治 3nm 代工

          據(jù)了解,臺(tái)積電 3nm 制程產(chǎn)能已經(jīng)被各大客戶預(yù)定到 2026 年。

          最新一波訂單正在被聯(lián)發(fā)科和高通爭(zhēng)搶。新一輪 5G 手機(jī)旗艦芯片大戰(zhàn)將于今年第四季度開(kāi)打,聯(lián)發(fā)科的天璣 9400 和高通的驍龍 8 Gen 4 對(duì)決,兩大廠商的新處理器都將采用臺(tái)積電 3nm 制程生產(chǎn),近期進(jìn)入投片階段,使得相關(guān)產(chǎn)能更加緊張,因?yàn)橛ミ_(dá)、AMD、蘋(píng)果都在積極爭(zhēng)取更多臺(tái)積電 3nm 產(chǎn)能。據(jù)悉,臺(tái)積電計(jì)劃將今年的 3nm 制程產(chǎn)能擴(kuò)充 3 倍,但仍呈現(xiàn)供不應(yīng)求的局面。

          為了讓天璣 9400 順利上市,聯(lián)發(fā)科正在努力確保 3nm 制程產(chǎn)能供應(yīng)。目前,聯(lián)發(fā)科的旗艦款天璣 9300/9300+芯片,都是用臺(tái)積電 4nm 制程制造。

          高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍 8 Gen 4 亮相時(shí)間和細(xì)節(jié),外界認(rèn)為,該款芯片也將采用臺(tái)積電 3nm 制程生產(chǎn),并于第四季度推出,芯片性能也將升級(jí)。據(jù)悉,驍龍 8 Gen 4 將采用臺(tái)積電 N3E 制程生產(chǎn),每個(gè)芯片報(bào)價(jià) 220~240 美元,比驍龍 8 Gen 3 高出 25%~30%。

          據(jù)悉,臺(tái)積電打算提高 2025 年先進(jìn)制程工藝和先進(jìn)封裝的訂單報(bào)價(jià),其中,3nm 的報(bào)價(jià)將提高 5% 以上,具體情況取決于訂單的數(shù)量和協(xié)議條款,目前的晶圓報(bào)價(jià)在 20000 美元以上。CoWoS 封裝的報(bào)價(jià)將提高 10%~20%。傳聞臺(tái)積電的 3nm 漲價(jià)方案已得到客戶的同意,雙方達(dá)成了新協(xié)議,以確保穩(wěn)定的供應(yīng)。

          此外,有業(yè)內(nèi)人士透露,面向高性能計(jì)算客戶的 4nm/5nm 制程工藝可能會(huì)漲價(jià) 11%,也就是說(shuō) 4nm 晶圓的價(jià)格從 18000 美元提高到約 20000 美元,比 2021 年的報(bào)價(jià)上漲了至少 25%。

          臺(tái)積電的 3nm、4nm、5nm 制程都要漲價(jià),從一個(gè)側(cè)面說(shuō)明三星在這些制程市場(chǎng)上的窘境,因?yàn)槿蛑挥羞@兩家能夠提供相應(yīng)制程工藝的量產(chǎn)代工產(chǎn)能,為了追趕臺(tái)積電,自從 7nm 制程實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)以來(lái),很多年,三星都是在低價(jià)促銷,特別是最先進(jìn)的 3nm 制程工藝,比臺(tái)積電的報(bào)價(jià)少了很多。如今,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)能供不應(yīng)求,還要漲價(jià),說(shuō)明三星 3nm 的客戶訂單少得可憐,臺(tái)積電才有底氣漲價(jià)。

          總之,在已經(jīng)量產(chǎn)的最先進(jìn)制程方面,臺(tái)積電優(yōu)勢(shì)明顯,三星在這方面的競(jìng)爭(zhēng)力已經(jīng)很難追趕上,只能寄希望于 2nm 制程了。

          臺(tái)積電要在 HBM 市場(chǎng)分一杯羹

          7 月初,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,SK 海力士將深化與臺(tái)積電、英偉達(dá)的合作,并在 9 月的國(guó)際半導(dǎo)體展(Semicon Taiwan)上,宣布這三家公司更緊密的合作計(jì)劃。

          2022 年,臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇宣布成立 OIP 3DFabric 聯(lián)盟,將存儲(chǔ)器與載板合作伙伴納入,當(dāng)時(shí),SK 海力士資深副總裁暨 PKG 開(kāi)發(fā)主管 Kangwook Lee 就透露,該公司一直和臺(tái)積電在前幾代及目前的 HBM 技術(shù)方面緊密合作,以支持 CoWoS 制程的兼容性與 HBM 的互連性。SK 海力士加入 3DFabric 聯(lián)盟之后,通過(guò)與臺(tái)積電更深入的合作,為未來(lái)的 HBM 產(chǎn)品(HBM4)提供解決方案.

          據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,業(yè)界消息人士稱,SK 海力士社長(zhǎng)金柱善將于 9 月在臺(tái)北舉行的國(guó)際半導(dǎo)體展上發(fā)表專題演講,這是 SK 海力士首度參與專題演講。演講結(jié)束后,金柱善將和臺(tái)積電高級(jí)主管見(jiàn)面,討論下一代 HBM 的合作計(jì)劃,英偉達(dá) CEO 黃仁勛也可能加入會(huì)談,進(jìn)一步鞏固 SK 海力士、臺(tái)積電和英偉達(dá)之間的三方聯(lián)盟。

          據(jù)悉,三強(qiáng)的合作是在 2024 上半年敲定的,SK 集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源 4 月會(huì)見(jiàn)黃仁勛,討論了半導(dǎo)體合作事宜,6 月,崔泰源拜訪了臺(tái)積電新任董事長(zhǎng)魏哲家,以進(jìn)一步推動(dòng)后續(xù)合作。

          SK 海力士將采用臺(tái)積電的邏輯制程,生產(chǎn) HBM 的基礎(chǔ)接口芯片(base die)。報(bào)道稱,SK 海力士和臺(tái)積電已同意合作開(kāi)發(fā)并生產(chǎn) HBM4,將于 2026 年量產(chǎn)。

          HBM 將核心芯片堆疊在基礎(chǔ)接口芯片之上,彼此垂直相接。SK 海力士生產(chǎn)的 HBM3E 產(chǎn)品,采用的是自家制程工藝制造的基礎(chǔ)接口芯片,但從 HBM4 開(kāi)始,將采用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯制程。報(bào)道稱,SK 海力士將在論壇上介紹合作成果,據(jù)悉,HBM4 的功耗比原本目標(biāo)還低 20% 以上。

          自從 HBM 問(wèn)世并量產(chǎn)以來(lái),SK 海力士一直是英偉達(dá)為其 AI GPU 配備該類內(nèi)存的獨(dú)家供應(yīng)商,發(fā)展到 HBM3E 版本,依然如此,只是從 2024 年第二季度開(kāi)始,另外兩家內(nèi)存大廠三星和美光才開(kāi)始加入英偉達(dá) HBM 供應(yīng)鏈,這兩家內(nèi)存大廠準(zhǔn)備花費(fèi)數(shù)十億美元來(lái)擴(kuò)大 HBM 芯片生產(chǎn)能力。

          不久前,三星推出了其 12 層堆疊的 HBM3E,挑戰(zhàn) SK 海力士 8 層堆疊產(chǎn)品的行業(yè)地位。三星的一位高管表示,該公司計(jì)劃今年將芯片產(chǎn)量增加兩倍。面對(duì)競(jìng)爭(zhēng),SK 海力士的 HBM 項(xiàng)目正在提速,預(yù)計(jì)首批 12 層堆疊的下一個(gè)版本 HBM4 最快會(huì)在 2025 下半年到來(lái),到 2026 年還會(huì)有 16 層堆疊的產(chǎn)品,會(huì)向更加定制化的方向發(fā)展。

          HBM3E 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)落后,希望落在了 HBM4 上,三星正在加快研發(fā)腳步,以縮小與 SK 海力士之間的差距。在代號(hào)為「Snowbolt」的第六代 HBM 芯片 HBM4 方面,三星計(jì)劃將緩沖芯片應(yīng)用于堆疊內(nèi)存的底層以提高效率。

          正當(dāng)三星加緊追趕存儲(chǔ)芯片競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士的時(shí)候,后者與三星的晶圓代工「死敵」臺(tái)積電在深化合作。對(duì)三星來(lái)說(shuō),這顯然是個(gè)壞消息。

          5 月中旬,在 2024 年歐洲技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)積電表示,將使用其 12FFC+(12nm 級(jí))和 N5(5nm 級(jí))制程工藝制造 HBM4 接口芯片。

          臺(tái)積電設(shè)計(jì)與技術(shù)平臺(tái)高級(jí)總監(jiān)表示:「我們正在與主要的 HBM 內(nèi)存合作伙伴合作,開(kāi)發(fā) HBM4 全棧集成的先進(jìn)制程,N5 制程可以使 HBM4 以更低的功耗提供更多的邏輯功能?!箵?jù)悉,N5 制程允許將更多的邏輯功能封裝到 HBM4 中,并實(shí)現(xiàn)非常精細(xì)的互連間距,這對(duì)于邏輯芯片上的直接鍵合至關(guān)重要,可以提高 AI 和 HPC 處理器的內(nèi)存性能。

          相對(duì)于 N5,臺(tái)積電的 12FFC+工藝更加經(jīng)濟(jì),制造的基礎(chǔ)芯片能構(gòu)建 12 層和 16 層的 HBM4 堆棧,分別提供 48GB 和 64GB 的容量。

          臺(tái)積電還在優(yōu)化封裝技術(shù),特別是 CoWoS-L 和 CoWoS-R,以支持 HBM4 集成。這些先進(jìn)的封裝技術(shù)有助于組裝 12 層的 HBM4 內(nèi)存堆棧。據(jù)臺(tái)積電介紹,實(shí)驗(yàn)性 HBM4 內(nèi)存在 14mA 時(shí)的數(shù)據(jù)傳輸速率已達(dá)到 6 GT/s。

          臺(tái)積電的先進(jìn)制程工藝能力,以及 SK 海力士的先進(jìn)存儲(chǔ)芯片制造能力,可以將結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜的 HBM4 內(nèi)存的制造分解開(kāi),發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì),制造出最佳的邏輯接口和 DRAM 裸片,然后用先進(jìn)的封裝技術(shù)將它們組裝起來(lái),以最大化地發(fā)揮該類內(nèi)存的性能優(yōu)勢(shì)。

          對(duì)三星來(lái)說(shuō),在先進(jìn)制程晶圓代工市場(chǎng)被臺(tái)積電壓制,但作為存儲(chǔ)芯片龍頭企業(yè),三星還是很自信的。如今,臺(tái)積電與自己的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士在內(nèi)存領(lǐng)域深度合作,簡(jiǎn)直是在抄三星的后路。要發(fā)展 HBM4,就繞不開(kāi)先進(jìn)的邏輯芯片制程工藝,如果三星的晶圓代工業(yè)務(wù)短期內(nèi)做不好這些的話,恐怕也躲不開(kāi)找臺(tái)積電合作的選項(xiàng)。



          關(guān)鍵詞: HBM

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