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          創(chuàng)新的極紫外光刻技術(shù)極大地造福了半導體制造

          作者:EEPW 時間:2024-07-30 來源:EEPW 收藏

          沖繩科學技術(shù)研究所(OIST)的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越制造標準的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202407/461497.htm

          基于此設計的EUV光刻可以使用更小的EUV光源,降低成本并顯著提高機器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統(tǒng)EUV光刻機的十分之一,有助于行業(yè)變得更加環(huán)??沙掷m(xù)。

          通過解決兩個以前被認為在該領域不可克服的問題,這項技術(shù)得以實現(xiàn)。第一個問題涉及一種僅包含兩個鏡子的全新光學投影系統(tǒng)。第二個問題涉及一種新的方法,可以有效地將EUV光引導到平面鏡(光掩模)上的邏輯圖案,而不會阻擋光學路徑。

          EUV光刻的挑戰(zhàn)
          使人工智能(AI)成為可能的處理器、移動設備如手機中使用的低功耗芯片以及我們?nèi)粘I钪胁豢苫蛉钡脑O備中使用的高密度DRAM內(nèi)存——所有這些先進的芯片都是使用EUV光刻制造的。然而,半導體生產(chǎn)面臨設備的高功耗和復雜性問題,極大地增加了安裝、維護和電力消耗的成本。

          正如Shintake教授所說,“這項發(fā)明是一項突破性技術(shù),幾乎可以完全解決這些鮮為人知的問題?!?/p>

          在傳統(tǒng)的光學系統(tǒng)中,如相機、望遠鏡和傳統(tǒng)的紫外光刻,光學組件如光圈和鏡頭沿中軸對稱(相對于中央軸對稱)排列在一條直線上。這種配置確保了最高的光學性能,具有最小的光學像差,能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量圖像。然而,這對EUV射線不起作用,因為它們的波長極短,大多數(shù)會吸收它們,這意味著它們無法通過透明鏡頭傳播。

          因此,EUV光是通過反射在彎曲鏡子上的路徑以Z字形模式通過開放空間來引導的(見下圖)。然而,因為這種方法使光偏離中軸,它犧牲了重要的光學性能,降低了系統(tǒng)的整體性能。

          為解決這一問題,這種新型光刻技術(shù)通過在一條直線上排列兩個軸對稱的帶有小中心孔的鏡子來實現(xiàn)其卓越的光學性能。

          顯著減少功耗
          由于EUV能量的高吸收性,每次鏡面反射都會削弱40%的能量。在行業(yè)標準中,只有大約1%的EUV光源能量通過10個鏡子到達晶圓,這意味著需要非常高的EUV光輸出來滿足需求。為滿足這一需求,EUV光源的CO2激光驅(qū)動需要大量電力,以及大量用于冷卻的水。

          相比之下,通過將鏡子的數(shù)量限制為從EUV光源到晶圓的總共四個,超過10%的能量可以通過,這意味著即使是輸出僅幾十瓦的小型EUV光源也能同樣有效地工作。這可以顯著減少功耗。

          克服的兩個挑戰(zhàn)
          EUV光刻的核心投影儀,即將光掩模圖像轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的設備,只包含兩個反射鏡,就像一個天文望遠鏡。

          “這種配置是不可想象的簡單,因為傳統(tǒng)的投影儀至少需要六個反射鏡。這是通過仔細重新考慮光學的像差校正理論實現(xiàn)的。這是經(jīng)典物理學在量子物理學之前的一次勝利,”Shintake教授解釋道。

          “通過使用光學仿真軟件(OpTaliX)驗證了性能,確保其足夠用于生產(chǎn)先進的半導體?!?/p>

          Shintake教授通過設計一種新的照明光學方法,名為“雙線場”,解決了這一問題,該方法從正面用EUV光照射平面鏡光掩模,而不干擾光學路徑。

          Shintake教授解釋說:“如果你每只手握住一個手電筒,并以相同的角度對準前方的鏡子,那么一個手電筒的光總會擊中對面的手電筒,這在光刻中是不可接受的。但是,如果你在不改變手電筒角度的情況下將手移向外,直到中間從兩側(cè)完美地被照亮,光線就可以反射而不會與對面手電筒的光線相撞?!?/p>

          由于兩個光源對稱地定位并以相同角度照亮掩模,因此平均而言,掩模從正面被照亮。這也最大限度地減少了掩模的3D效應。

          OIST已為這項技術(shù)提交了專利申請,預計將通過示范實驗投入實際應用?!叭駿UV光刻市場預計將從2024年的89億美元增長到2030年的174億美元,年均增長率約為12%。這項專利有可能帶來巨大的經(jīng)濟利益,”Shintake教授總結(jié)道。

          OIST執(zhí)行副總裁兼OIST創(chuàng)新領導人Gil Granot-Mayer表示:“OIST致力于創(chuàng)造對人類產(chǎn)生影響的前沿科學。這項創(chuàng)新捕捉了OIST探索不可能并提供原創(chuàng)解決方案的精神?!?/p>

          “雖然我們在開發(fā)這項技術(shù)方面還有很長的路要走,但我們致力于這樣做。我們希望這項來自沖繩的技術(shù)能對半導體行業(yè)產(chǎn)生變革性影響,并幫助解決全球問題,如能源消耗和脫碳?!?/p>



          關(guān)鍵詞: 半導體 材料

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