芯片制造轉(zhuǎn)移，價(jià)格大變

7 月，處在 2024 年中，不僅是上下半年的過渡期，也是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由衰轉(zhuǎn)盛的過渡期，因?yàn)樾袠I(yè)正在從 2023 年的低谷期向上走，根據(jù)各大市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)，2024 上半年依然處于恢復(fù)期，下半年的行情會(huì)比上半年好很多。在這種情況下，處于年中過渡期的 6、7 月份，受多種因素影響，也成了多事之秋，特別是芯片制造，訂單和制造產(chǎn)線轉(zhuǎn)移輪番上演，芯片價(jià)格也隨之變化。

晶圓代工轉(zhuǎn)單加劇

臺(tái)積電最新財(cái)報(bào)顯示，2024 年第二季度以客戶總部所在地劃分，北美占比仍然最大，達(dá)到 65%，中國(guó)大陸市場(chǎng)則急速拉升至 16%，與第一季度 9%，以及 2023 年同期 12% 相比大增，并取代亞太區(qū)，成為第二大市場(chǎng)，亞太區(qū)域占比降至 9%，日本維持 6%。

受美國(guó)出口政策影響，不少尚未遭受出口管制的中國(guó)大陸企業(yè)提前下單囤貨，特別是 5nm 及以下先進(jìn)制程，產(chǎn)能吃緊，如果不盡快下定的話，再過幾個(gè)月恐怕就很難拿到產(chǎn)能了。特別是中國(guó)正在積極發(fā)展 AI，對(duì)先進(jìn)芯片的需求量很大，目前也只有臺(tái)積電和三星兩個(gè)選擇，臺(tái)積電是優(yōu)先選項(xiàng)。

不止中國(guó)大陸訂單，國(guó)際芯片大廠訂單也在向臺(tái)積電轉(zhuǎn)移。

很長(zhǎng)時(shí)間以來，高通一直是三星的五大客戶之一（包括但不限于晶圓代工業(yè)務(wù)），不過，近兩年高通將大量訂單轉(zhuǎn)移到臺(tái)積電。前一段時(shí)間，三星發(fā)布的報(bào)告顯示，前五大客戶分別是蘋果、德國(guó)電信、香港創(chuàng)科、至上電子和 Verizon，合計(jì)約占三星總營(yíng)收的 13%，高通不在其中，這是高通 3 年來首次跌出三星客戶的前五名。

此前，高通將大量驍龍系列處理器訂單交給三星代工生產(chǎn)，而現(xiàn)在很大部分已經(jīng)被臺(tái)積電取代了。不過，隨著近期中國(guó)智能手機(jī)銷量的增長(zhǎng)，一些來自中國(guó)大陸和中國(guó)臺(tái)灣的公司訂單填補(bǔ)了高通的空白。

2023 年就有報(bào)道稱，高通出于對(duì)臺(tái)積電產(chǎn)能有限的考慮，原打算在 2024 年開始執(zhí)行雙代工廠策略，第四代驍龍 8 一方面采用臺(tái)積電 N3E 制程工藝，另一方面，供應(yīng) Galaxy 系列智能手機(jī)的版本采用三星 3GAP（SF3）工藝。不過，由于三星 3nm 制程良率不穩(wěn)定，產(chǎn)能有限，錯(cuò)過了不少商機(jī)，高通就是其中的大戶。

據(jù)悉，高通仍打算在 2025 年轉(zhuǎn)向雙代工廠策略，已要求臺(tái)積電和三星提供 2nm 制程芯片樣品，以便做進(jìn)一步評(píng)估。高通希望通過新策略降低 SoC 的生產(chǎn)成本。

2023 年，三星晶圓代工業(yè)務(wù)贏得了谷歌 Tensor G4 芯片訂單，之后，谷歌將 Tensor G4 的生產(chǎn)委托給三星的 4nm 代工產(chǎn)線，該芯片將搭載在定于 2024 下半年發(fā)布的 Pixel 9 系列手機(jī)上。

不過，7 月初，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電與谷歌近期已進(jìn)入第五代處理器 Tensor G5 量產(chǎn)前的流片階段，該處理器將搭載在定于 2025 年發(fā)布的 Pixel 10 系列手機(jī)上。

業(yè)內(nèi)人士表示，Tensor G5 將采用臺(tái)積電 3nm 制程工藝生產(chǎn)，預(yù)計(jì)性能將比 Tensor G4 大幅提升。

此前，業(yè)界只是猜測(cè)臺(tái)積電與谷歌在 Tensor G5 上合作的可能性，但最近兩家公司似乎正在進(jìn)行量產(chǎn)準(zhǔn)備，這表明谷歌的晶圓代工合作伙伴關(guān)系發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變。

據(jù)了解，三星的 3nm 制程產(chǎn)線尚未獲得任何明確的大規(guī)模客戶訂單，因此，2024 年第一季度，三星晶圓代工的市場(chǎng)份額比上一季度（14%）下降了 1 個(gè)百分點(diǎn)，至 13%，同期，臺(tái)積電的市場(chǎng)份額從 61% 上升至 62%。

不止臺(tái)積電和三星掌控的最先進(jìn)制程晶圓代工市場(chǎng)在轉(zhuǎn)單，相對(duì)成熟（28nm 以下）和成熟制程（28nm 以上）市場(chǎng)轉(zhuǎn)單也在加劇，受惠的廠商主要包括聯(lián)電、力積電、世界先進(jìn)等。下半年，預(yù)估聯(lián)電的產(chǎn)能利用率將落在 70%~75% 之間，力積電 12 英寸廠產(chǎn)能利用率可達(dá) 85%~90%，世界先進(jìn)產(chǎn)能利用率將提升至 75% 以上，均優(yōu)于預(yù)期。

集邦研究分析，這波轉(zhuǎn)單潮，主要來自高通、芯源系統(tǒng)（MPS）等廠商，賽普拉斯（Cypress，已經(jīng)被英飛凌收購）、兆易創(chuàng)新等廠商也向力積電洽談編碼型閃存投產(chǎn)計(jì)劃，聯(lián)電憑借產(chǎn)地多元布局優(yōu)勢(shì)，吸引德州儀器（TI）、英飛凌、微芯（Microchip）等大廠洽談長(zhǎng)期合作計(jì)劃。

力積電表示，為順應(yīng)供應(yīng)鏈調(diào)整及中國(guó)大陸晶圓廠競(jìng)爭(zhēng)，該公司正在調(diào)整產(chǎn)品線投資策略，試著迎接有轉(zhuǎn)單需求的大客戶，積極開發(fā)先進(jìn) BCD 制程，用于電源管理 IC 生產(chǎn)，希望爭(zhēng)取物聯(lián)網(wǎng)及重要的 AI、高性能計(jì)算（HPC）、電動(dòng)車等高增長(zhǎng)市場(chǎng)商機(jī)。

TechInsights 預(yù)計(jì)，受益于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，以及 AI 數(shù)據(jù)中心對(duì) NAND 閃存使用量的增長(zhǎng)，2024 下半年，全球晶圓廠（包括邏輯和存儲(chǔ)芯片）產(chǎn)能利用率有望達(dá)到 80% 左右。

存儲(chǔ)市場(chǎng)的強(qiáng)勁復(fù)蘇也為晶圓代工市場(chǎng)提供了穩(wěn)定的訂單來源，Omdia 預(yù)測(cè)，2024 年全球純晶圓代工行業(yè)收入將增長(zhǎng) 16.4%。此外，AI 加速器領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模將在 2025 年超過 1500 億美元。

晶圓代工價(jià)格走向

由于消費(fèi)電子、新能源車、通信等應(yīng)用需求強(qiáng)勁，群智咨詢（Sigmaintell）預(yù)計(jì)，2024 年第二季度，全球 28nm、40nm 制程晶圓代工產(chǎn)能利用率約 90%，28nm 代工價(jià)格微漲，40nm 價(jià)格基本持平。相對(duì)而言，28nm 需求增長(zhǎng)動(dòng)力更明顯，預(yù)計(jì)第三季度仍有個(gè)位數(shù)百分比環(huán)比上漲空間。

55nm、90nm 制程芯片的下游應(yīng)用主要為消費(fèi)類電子。由于中國(guó)大陸晶圓廠在 55nm、90nm 制程上積極擴(kuò)產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)能利用率提升并不顯著，群智咨詢預(yù)計(jì)，2024 年第三季度仍在 75%-80% 之間。由于過去 3~4 個(gè)季度該制程價(jià)格降幅較大，從 2024 年第二季度起，多數(shù)晶圓廠在該制程范圍的價(jià)格策略以收窄降幅為主，目標(biāo)是在 2024 年底止跌。預(yù)計(jì)第三季度整體價(jià)格環(huán)比降幅為 2%~3%。

得益于消費(fèi)類電子庫存調(diào)整完成，自 2024 年第一季度起，8 英寸晶圓代工廠迎來更多訂單，整體產(chǎn)能利用率平穩(wěn)回升，但是，第二季度整體產(chǎn)能利用率仍較低，約為 60%-65%，預(yù)計(jì)第三季度可恢復(fù)至 70%。部分客戶將一部分模擬芯片訂單從中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移至其它地區(qū)的晶圓代工廠，群智咨詢預(yù)計(jì)，第三季度中國(guó)大陸 8 英寸晶圓代工廠價(jià)格環(huán)比降幅在 5% 左右，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū) 8 英寸晶圓代工價(jià)格環(huán)比降幅預(yù)計(jì)為 1%-3%。

三星晶圓代工調(diào)整了 2024 年第一季度定價(jià)，不僅提供了 5%-15% 的折扣，還明確表示，可根據(jù)訂單量提供更優(yōu)惠的價(jià)格。業(yè)界人士分析，三星這波降價(jià)，主要是因?yàn)楫?dāng)下市場(chǎng)需求沒預(yù)期好，另外，就是要靠降價(jià)搶臺(tái)積電的客戶訂單。

中芯國(guó)際預(yù)計(jì)，隨著芯片制造商提高產(chǎn)能，芯片價(jià)格將繼續(xù)下降。

中芯國(guó)際聯(lián)席 CEO 趙海軍在 5 月的業(yè)績(jī)說明會(huì)上表示，中芯國(guó)際面臨低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)，可能導(dǎo)致價(jià)值數(shù)千萬美元的訂單流失。他表示，芯片平均單價(jià)（ASP）每個(gè)季度會(huì)下降，但不會(huì)那么快。他說，12 英寸晶圓產(chǎn)能滿載的部分訂單，價(jià)格會(huì)相對(duì)穩(wěn)定，但標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品遇到競(jìng)爭(zhēng)時(shí)，中芯國(guó)際會(huì)順應(yīng)市場(chǎng)，隨行就市，與客戶一同面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)，后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品價(jià)格可能會(huì)進(jìn)一步下降。

不同于成熟制程的降價(jià)競(jìng)爭(zhēng)，最先進(jìn)制程（5nm 及以下）產(chǎn)能則供不應(yīng)求，漲價(jià)聲四起。

此前有報(bào)道稱，臺(tái)積電打算提高 2025 年先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝的訂單報(bào)價(jià)，其中，3nm 制程的報(bào)價(jià)將提高 5% 以上，CoWoS 封裝的報(bào)價(jià)也將提高 10%~20%。傳聞臺(tái)積電的 3nm 漲價(jià)方案已得到客戶同意，雙方達(dá)成了新協(xié)議，以確保穩(wěn)定的供應(yīng)。

有業(yè)內(nèi)人士透露，面向人工智能和高性能計(jì)算客戶的 4nm、5nm 制程可能會(huì)漲價(jià) 11%，也就是說，4nm 晶圓的價(jià)格從 18000 美元提高到 20000 美元，這意味著相比 2021 年的報(bào)價(jià)漲了至少 25%。有分析師預(yù)計(jì)，2025 年，3nm 制程的價(jià)格將平均上漲 4%，主要取決于訂單的數(shù)量和具體協(xié)議條款，目前的晶圓報(bào)價(jià)在 20000 美元以上。

不過，像 16nm 這樣相對(duì)成熟的制程產(chǎn)能充裕，不太可能漲價(jià)。有消息稱，目前，臺(tái)積電 6nm、7nm 產(chǎn)能利用率已經(jīng)跌至 60%，明年不但不漲價(jià)，甚至還會(huì)降價(jià)，幅度在 10% 左右。

內(nèi)存芯片產(chǎn)能大挪移

在過去半年多時(shí)間內(nèi)，爭(zhēng)奪英偉達(dá) HBM 內(nèi)存訂單成為國(guó)際存儲(chǔ)芯片三巨頭的大事，由于 SK 海力士早早布局，因此在競(jìng)爭(zhēng)中處于明顯優(yōu)勢(shì)地位，這給三星帶來了很大壓力，為了拿到相關(guān)訂單，三星甚至更換了業(yè)務(wù)高層負(fù)責(zé)人。

三星的努力似乎得到了回報(bào)，據(jù)悉，其 HBM3e 內(nèi)存已經(jīng)通過了英偉達(dá)認(rèn)證，預(yù)計(jì)第三季度開始供貨。為了保障供貨，三星采取了大動(dòng)作，將現(xiàn)有 DRAM 總產(chǎn)能的 30% 劃撥給了 HBM3e。

7 月 16 日，有消息稱，三星平澤 P4 廠第二期 (PH2) 產(chǎn)線建設(shè)將暫停，P4 廠主要包括 DRAM 和晶圓代工產(chǎn)線。按照原計(jì)劃，三星將先建設(shè) PH1 內(nèi)存產(chǎn)線，然后建設(shè) PH2 代工產(chǎn)線，之后依次建設(shè)用于生產(chǎn) DRAM 產(chǎn)品的 PH3 內(nèi)存線和 PH4 代工線?，F(xiàn)在，三星決定暫時(shí)停工 PH2，優(yōu)先建設(shè) PH3 產(chǎn)線。

三星是全球存儲(chǔ)芯片龍頭，將 30% 內(nèi)存產(chǎn)能劃撥給 HBM3e，算下來，全球現(xiàn)有 13% 的 DRAM 產(chǎn)能不再生產(chǎn) DDR4 或 DDR5 等，很可能會(huì)引發(fā)連鎖反應(yīng)，特別是在消費(fèi)類電子產(chǎn)品旺季來臨之際，在供給銳減、需求大增的情況下，相關(guān) DRAM 芯片有望漲價(jià)。

作為全球 DDR4、DDR5 生產(chǎn)商中的主要企業(yè)，南亞科有望在這一波變化中受惠，該公司總座李培瑛指出，HBM、DDR5 供不應(yīng)求，有望抬升 DRAM 市況，預(yù)計(jì)南亞科下半年的產(chǎn)能利用率將上升，以滿足市場(chǎng)需求。李培瑛認(rèn)為，在三大原廠都忙于生產(chǎn) HBM 的情況下，將減少全球 DDR4 產(chǎn)出，那時(shí)，南亞科有把握調(diào)漲 DDR4 價(jià)格，在供不應(yīng)求的大背景下，南亞科會(huì)有較大的議價(jià)能力。

威剛董事長(zhǎng)陳立白表示，目前，存儲(chǔ)芯片大廠的產(chǎn)能配置以毛利率最高的 HBM 為優(yōu)先項(xiàng)，之后才是一般用途的 DDR5 和 DDR4，這樣，DDR5 價(jià)格大概率會(huì)繼續(xù)上漲，DDR4 去庫存也將告一段落，價(jià)格將從 8 月開始進(jìn)入第二波上漲周期，漲幅至少 30%。

十銓公司表示，由于 DDR5 原廠的供給量不足，價(jià)格仍會(huì)上漲。

在所有芯片細(xì)分領(lǐng)域，存儲(chǔ)器周期波動(dòng)最大，在上行周期的頂部，2010 年、2017 年存儲(chǔ)器銷售額同比增長(zhǎng)分別為 55%、61%，在下行周期的底部，2002 年、2019 年存儲(chǔ)器銷售額同比下降了 30%、33%。DRAM 的上一輪周期在 2017 年 12 月左右見頂，在 2019 年 12 月觸底，下行周期持續(xù)時(shí)間在兩年左右，隨后經(jīng)歷了一年半左右的上行周期，上一輪周期持續(xù)了 3-4 年。本輪 DRAM 周期在 2021 年 4 月見頂，在 2023 年 9 月觸底，10 月價(jià)格反彈。本輪下行周期持續(xù)時(shí)間已達(dá)兩年半，新一輪的 DRAM 上行周期已經(jīng)開始。

從 2024 全年的發(fā)展趨勢(shì)來看，全球內(nèi)存市場(chǎng)一直在向上走，價(jià)格也在上漲，這方面，各大市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)都給出了統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，各家之間沒有實(shí)質(zhì)性差異。在這樣的背景下，三星將很大一部分產(chǎn)能劃撥給 HBM 內(nèi)存，是對(duì)全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的再一次攪動(dòng)，會(huì)起到推波助瀾的作用，它會(huì)進(jìn)一步強(qiáng)化全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)自 2022~2023 年表現(xiàn)低迷以來，觸底反彈的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。