<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

          消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

          作者: 時(shí)間:2024-08-01 來(lái)源:IT之家 收藏

          IT之家 8 月 1 日消息,韓媒 ETNews 報(bào)道稱,SK 海力士將加速下一代 閃存的開(kāi)發(fā),計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 的量產(chǎn)準(zhǔn)備,2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202408/461569.htm

          SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 閃存的樣品,并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

          SK 海力士 321 層 NAND 閃存

          ▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存

          按照韓媒的說(shuō)法,SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年,明顯短于業(yè)界平均水平。

          IT之家注:從代際發(fā)布間隔來(lái)看,美光從 232 層 NAND 閃存到 276 層用時(shí) 2 年,三星 V8 NAND 和 V9 NAND 間隔約 1.5 年。

          韓媒在報(bào)道中還提到,SK 海力士新的 400+ 層堆疊 NAND 閃存將采用不同于現(xiàn)有“4D NAND”的整體結(jié)構(gòu)

          SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC(Peri Under Cell,單元下外圍)技術(shù),將外圍控制電路放置在存儲(chǔ)單元的下方,較更傳統(tǒng)的外圍電路側(cè)置設(shè)計(jì)可減少芯片占用空間。

          PUC 結(jié)構(gòu)

          而 SK 海力士未來(lái)的 NAND 將在兩塊晶圓上分別制造外圍電路和存儲(chǔ)單元,此后采用 W2W(晶圓對(duì)晶圓)形式的混合鍵合技術(shù),將這兩部分整合為完整的閃存。

          換句話說(shuō),SK 海力士也將采用類似長(zhǎng)江存儲(chǔ) Xtacking、鎧俠-西部數(shù)據(jù) CBA 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

          報(bào)道指出,SK 海力士已在著手構(gòu)建 NAND 混合鍵合所需的原材料與設(shè)備供應(yīng)鏈,正對(duì)混合鍵合技術(shù)與材料進(jìn)行新的審查;此外三星電子也考慮在下一代 NAND 生產(chǎn)中應(yīng)用混合鍵合。




          關(guān)鍵詞: SK海力士 內(nèi)存 NAND

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();