M31X高塔半導體 65納米內(nèi)存方案問世
全球領先的硅智財供貨商M31宣布與高塔半導體(Tower Semiconductor)達成重要合作里程碑。雙方連手成功開發(fā)出65納米制程的SRAM(靜態(tài)隨機存取內(nèi)存)和ROM(只讀存儲器)IP產(chǎn)品,并已將設計模塊交付客戶端完成驗證,為半導體產(chǎn)業(yè)帶來全新的先進內(nèi)存解決方案。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202408/461661.htmM31與高塔半導體共同優(yōu)化的設計架構(gòu),巧妙結(jié)合低功耗組件Analog FET(模擬場效晶體管),不僅能夠完美滿足當前SoC芯片對低功耗的嚴格要求,更為未來物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能型穿戴裝置、車聯(lián)網(wǎng)(V2X)以及人工智能(AI)等新興應用領域提供了關(guān)鍵技術(shù)支持。
為了進一步提升產(chǎn)品的靈活性與適用性,M31特別在此IP中提供了多組Deep NWell電壓組合(0~8V、8~16V、16~24V),讓客戶能夠更加靈活地與其他外部IC進行整合。值得一提的是,M31的研發(fā)團隊在追求低功耗的同時,也成功克服了諸多設計挑戰(zhàn),實現(xiàn)了速度性能的顯著提升,為客戶帶來效能優(yōu)化的雙贏方案。
M31研發(fā)副總連南鈞表示,與高塔半導體這樣的業(yè)界翹楚攜手合作,共同加速產(chǎn)品研發(fā)進程,為客戶提供更加優(yōu)質(zhì)、創(chuàng)新的半導體解決方案。
在此次合作中,M31特別專注于模擬IC和低功耗組件的技術(shù)整合,不僅展現(xiàn)了高度的協(xié)同效應,更能有效協(xié)助客戶在日益復雜的SoC芯片架構(gòu)中,實現(xiàn)性能和功能的全面優(yōu)化。這次的成功合作再次證明了M31在全球晶圓廠供應鏈中的重要地位和多元化發(fā)展戰(zhàn)略。
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