ASML第二臺(tái)High-NA設(shè)備,即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠
英特爾正接收ASML第二臺(tái)耗資3.5億歐元(約3.83億美元)的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會(huì)議紀(jì)錄,CEO Pat Gelsinger表示,英特爾12月開(kāi)始接收第一臺(tái)大型設(shè)備,安裝時(shí)間需要數(shù)月,預(yù)計(jì)可帶來(lái)新一代更強(qiáng)大的電腦英文。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202408/461714.htmGelsinger在電話中指出,第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。
由于英特爾財(cái)報(bào)會(huì)議后股價(jià)表現(xiàn)不佳,因此這番話并未引起注意。
ASML高階主管7月曾表示,該公司已開(kāi)始出貨第二臺(tái)High NA設(shè)備給一位未具名客戶,今年只記錄第一臺(tái)的收入。不過(guò),客戶何時(shí)采用仍存在一些疑問(wèn)。
ASML已獲得十多臺(tái)High NA機(jī)器的訂單,客戶包括臺(tái)積電、三星、英特爾、美光及SK海力士。英特爾計(jì)劃2027年前將此技術(shù)用于量產(chǎn),臺(tái)積電也將于今年收到設(shè)備,但還沒(méi)透露何時(shí)投入生產(chǎn)。
ASML CEO Christophe Fouquet于7月17日表示,DRAM存儲(chǔ)器英文制造商,這可能意指三星、SK海力士或美光,可能2025或2026年開(kāi)始使用High NA設(shè)備。
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