全球半導(dǎo)體進入增長周期，但喜憂參半

AI人工智能浪潮推動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走出“陰霾”，迎來了較為明顯的增長，這可以從近期業(yè)界披露的各項產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)得到佐證。不過縱觀全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局，各地區(qū)發(fā)展節(jié)奏并不相同，歐美半導(dǎo)體擴產(chǎn)潮開始遇到阻力，東南亞市場則不斷崛起。全球半導(dǎo)體市場喜憂參半，機遇、挑戰(zhàn)并存，看點仍舊十足。

AI驅(qū)動，半導(dǎo)體市場進入增長周期

近期，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）發(fā)布數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額累計達1499億美元，同比增長18.3%，環(huán)比增長6.5%。其中，今年6月單月銷售額達500億美元，同比增長22.9%，環(huán)比增長1.7%。業(yè)界指出，這是自2022年4月以來全球半導(dǎo)體增長率創(chuàng)下的新高。生成式AI的蓬勃發(fā)展，帶動了整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求上升。

存儲器與晶圓代工兩大行業(yè)受AI驅(qū)動，正呈現(xiàn)出良性發(fā)展的態(tài)勢。

存儲器領(lǐng)域，AI生成式大模型應(yīng)用同時為DRAM以及NAND Flash帶來利好：AI應(yīng)用需要使用高性能GPU，與之相關(guān)的HBM需求水漲船高。全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，隨著AI芯片的迭代，單一芯片搭載的HBM（高帶寬內(nèi)存）容量也明顯增加。在AI芯片與單芯片容量的增長推動下，對產(chǎn)業(yè)整體的HBM的消耗量有顯著提升，2024年預(yù)估年增率將超過200%，2025年HBM消耗量將再翻倍。

AI也需要更高存儲容量的閃存產(chǎn)品，企業(yè)級固態(tài)硬盤關(guān)注度持續(xù)提升。集邦咨詢表示，由于AI需求大幅升溫，最近兩季AI服務(wù)器相關(guān)客戶向供應(yīng)商進一步要求加單Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤），預(yù)計今年AI相關(guān)SSD采購容量將超過45EB，未來幾年，AI服務(wù)器有望推動SSD需求年增率平均超過60%。上游供應(yīng)商為了滿足SSD在AI應(yīng)用上的供給，加速制程升級，開始規(guī)劃推出2YY產(chǎn)品，預(yù)期于2025年量產(chǎn)。

晶圓代工方面，由于AI大模型應(yīng)用熱度有增無減，推動AI芯片需求高漲，先進制程成為“香餑餑”，迎來漲價與擴產(chǎn)潮。今年年初臺積電已經(jīng)告知客戶，5/3nm制程產(chǎn)品將在2024年漲價。7月下旬臺積電陸續(xù)向多家客戶發(fā)出通知，2025年1月起 5/3nm制程產(chǎn)品價格將再度調(diào)漲，按投片規(guī)劃、產(chǎn)品與合作關(guān)系等不同，漲幅約落在3~8%。

先進制程火熱發(fā)展行情吸引晶圓廠加速布局2nm、1nm等更新產(chǎn)品，今年年初臺積電告知客戶，5/3nm制程產(chǎn)品將在2024年漲價。臺積電、三星規(guī)劃2025年量產(chǎn)2nm，Rapidus則計劃同年開始試產(chǎn)2nm。此外，2027年至2030年，業(yè)界有望看到1nm級別芯片量產(chǎn)。

喜憂參半，全球半導(dǎo)體發(fā)展步調(diào)各不相同

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展此消彼長，當前歐美半導(dǎo)體擴產(chǎn)步伐受補貼、勞動力資源不足等因素影響，有所放緩，與此同時，亞洲市場以東南亞為代表的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展加速。

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大廠布局歐美市場遇阻

臺積電、三星、英特爾等大廠在歐美市場的相關(guān)半導(dǎo)體項目推遲，其中臺積電美國亞利桑那州首座晶圓廠原計劃今年量產(chǎn)，推遲至2025年上半年；當?shù)氐诙A廠計劃于2026年量產(chǎn)，延期至2028年。

英特爾將在俄亥俄州建設(shè)兩家新的尖端晶圓廠，計劃2025年開始芯片制造。由于市場低迷以及美國補貼發(fā)放延遲，英特爾推遲了該芯片項目。經(jīng)過調(diào)整，英特爾俄亥俄州一號項目的Fab1和Fab2兩座工廠將推遲至2026~2027年完工，約2027~2028年正式投運。此外，英特爾在德國馬格德堡投資300億歐元興建的Fab 29.1和Fab 29.2兩座晶圓廠原本計劃在2023年下半年開工，但是由于歐盟補貼的推遲確認、建廠地區(qū)需要移除黑土，英特爾已經(jīng)將開工時間將推遲到2025年5月。

三星位于美國得克薩斯州泰勒市的首座晶圓廠原定于2024年投產(chǎn)，今年媒體報道三星該座晶圓廠的量產(chǎn)時間推遲到了2026年。另據(jù)媒體最新消息，三星提出在美國德州建立存儲芯片工廠的大規(guī)模投資計劃，不過美國商務(wù)部半導(dǎo)體支持法案辦公室決定不提供與此計劃相關(guān)的財務(wù)支持，業(yè)界分析，這等同于拒絕三星在美國建立存儲芯片工廠。

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東南亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸崛起

亞洲市場東南亞地區(qū)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)初具規(guī)模，并呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢，馬來西亞與新加坡是典型代表，越南則是新勢力。

馬來西亞在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈封測端扮演著重要角色，全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計，約50家半導(dǎo)體企業(yè)先后在馬來西亞布局后道封測廠，包括英特爾、美光、德州儀器、恩智浦、日月光、安世半導(dǎo)體、英飛凌、華天科技、通富微電、蘇州固锝、瑞薩電子、安森美、安靠、意法半導(dǎo)體等。

今年5月，馬來西亞公布了一項國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略（National Semiconductor Strategy，簡稱NSS），將關(guān)注集成電路設(shè)計、先進封裝與制造設(shè)備，以及存儲芯片領(lǐng)域的發(fā)展。

新加坡是東南亞半導(dǎo)體生產(chǎn)重鎮(zhèn)，具備設(shè)計、制造、封裝、測試到設(shè)備、材料、分銷等各個環(huán)節(jié)的半導(dǎo)體完整產(chǎn)業(yè)鏈，包括德州儀器、意法半導(dǎo)體、英飛凌、美光、格芯、臺積電、聯(lián)電、世界先進、日月光等許多半導(dǎo)體企業(yè)紛紛在新加坡開設(shè)分公司或擴大工廠。其中，晶圓代工領(lǐng)就有臺積電、格芯、聯(lián)電、世界先進在此建廠，涉及8英寸以及12英寸工廠。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是越南9個國家級產(chǎn)品之一，已被列入越南未來30~50年國家發(fā)展重點之一。根據(jù)《越南半導(dǎo)體微芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略草案》，越南計劃到2030年，致力于成為全球半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的設(shè)計、封裝和測試中心。目前，越南已經(jīng)吸引了英特爾、日月光、三星電子、安靠、高通、安森美、瑞薩、TI、NXP美滿、新思科技、恒諾微電子、安培等外資企業(yè)。

最新消息顯示，越南近日成立國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展指導(dǎo)委員會。指導(dǎo)委員會主要任務(wù)和職能包括幫助總理和政府研究指導(dǎo)、配合解決有關(guān)推動與越南半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展有關(guān)的重要和跨部門事務(wù)；研究、咨詢、建議推動越南半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的方向和解決方案；指導(dǎo)各部門、政府機構(gòu)、有關(guān)機關(guān)和組織間的配合，有力推動越南半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。