美芯片禁令失算！日媒：中國(guó)大陸只落后臺(tái)積電這么少

美國(guó)對(duì)大陸下達(dá)芯片禁令，反而推動(dòng)中國(guó)大陸芯片業(yè)驚人大躍進(jìn)，根據(jù)「日經(jīng)新聞」報(bào)導(dǎo)，大陸芯片業(yè)實(shí)力持續(xù)進(jìn)步，目前只差臺(tái)積電3年水平。而美國(guó)出口管制的目標(biāo)，是想讓大陸在芯片競(jìng)賽中落后長(zhǎng)達(dá)10年的時(shí)間。

報(bào)導(dǎo)引述半導(dǎo)體調(diào)查公司TechanaLye社長(zhǎng)清水洋治說(shuō)法指出，大陸半導(dǎo)體實(shí)力僅落后臺(tái)積電3年，他以華為2024年4月開(kāi)賣(mài)的最新智能手機(jī)「Huawei Pura 70 Pro」應(yīng)用處理器(AP)「KIRIN 9010」，以及華為「KIRIN 9000」為例，「KIRIN 9010」是由華為旗下海思半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、加上中芯采用7納米技術(shù)，「KIRIN 9000」則是海思半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、采用臺(tái)積電2021年時(shí)的5納米制程量產(chǎn)。

清水洋治續(xù)指，中芯采用7納米量產(chǎn)的芯片，該款芯片面積118.4平方毫米，與臺(tái)積電5納米芯片面積107.8平方毫米差距不大，不過(guò)處理性能幾乎相同，雖然兩者在良率上有落差，但從出貨的芯片性能來(lái)看，中芯的實(shí)力只落后臺(tái)積電3年，尤其中芯采用7納米技術(shù)，卻能和臺(tái)積電5納米性能同等，代表海思半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)能力已進(jìn)一步提升。

另以華為Pura 70 Pro為例，其搭載37個(gè)主要半導(dǎo)體產(chǎn)品，海思半導(dǎo)體就負(fù)責(zé)14個(gè)，其他陸廠負(fù)責(zé)18個(gè)，非陸制產(chǎn)品僅有5個(gè)，包括DRAM和運(yùn)動(dòng)傳感器是由SK Hynix、Bosch生產(chǎn)，代表該產(chǎn)品高達(dá)86%半導(dǎo)體為大陸自制。

清水洋治最后總結(jié)，美國(guó)政府的管制只是稍微拖慢大陸的技術(shù)革新，反而刺激了大陸芯片產(chǎn)業(yè)的自主化。