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          美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠,生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

          作者: 時間:2024-09-24 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

          美國和印度達(dá)成協(xié)議,將共同在印度建立一家制造廠,助力印度總理莫迪加強(qiáng)該國制造業(yè)的雄心計劃。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202409/463128.htm

          據(jù)白宮消息人士稱,擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、(GaN)和(SiC),這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱,該工廠的建立將得到印度計劃(ISM),以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。

          印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機(jī)會提供了新的關(guān)注點。在過去十年中,莫迪曾多次表示,他將把印度定位為中國的替代品,并且已經(jīng)開始吸引蘋果和三星轉(zhuǎn)移部分制造業(yè)。

          9月初,印度科技部長Ashwini Vaishnaw表示,該國正試圖發(fā)展整個芯片價值鏈。印度的目標(biāo)是在本世紀(jì)末將其電子行業(yè)規(guī)模擴(kuò)大到5000億美元。

          莫迪正在美國參加美日印澳“四方峰會”,在為期三天的訪問中,他將與美國領(lǐng)導(dǎo)人舉行雙邊會晤,還將會見印度僑民和美國科技行業(yè)高管。



          關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 氮化鎵 碳化硅

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