美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

美國和印度達成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠，助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。

據(jù)白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體，這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。

印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機會提供了新的關(guān)注點。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并且已經(jīng)開始吸引蘋果和三星轉(zhuǎn)移部分制造業(yè)。

9月初，印度科技部長Ashwini Vaishnaw表示，該國正試圖發(fā)展整個芯片價值鏈。印度的目標是在本世紀末將其電子行業(yè)規(guī)模擴大到5000億美元。

莫迪正在美國參加美日印澳“四方峰會”，在為期三天的訪問中，他將與美國領(lǐng)導(dǎo)人舉行雙邊會晤，還將會見印度僑民和美國科技行業(yè)高管。