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          HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

          —— 平均售價將是DRAM產(chǎn)品的三至五倍
          作者: 時間:2024-10-17 來源:中時電子報 收藏

          指出,隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建,高帶寬內(nèi)存()市場處高成長階段,平均售價約是產(chǎn)品的三至五倍,待下一代3e量產(chǎn),加上產(chǎn)能擴張,營收貢獻將逐季上揚。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202410/463741.htm

          指出,市場仍處于高成長階段,由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器,在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下,HBM成為其中不可或缺的一環(huán),帶動HBM規(guī)格容量上升。

          如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。

          由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著改善空間,推高整體生產(chǎn)成本,平均售價約是產(chǎn)品的三至五倍,待HBM3e量產(chǎn),加上產(chǎn)能擴張,對三星、SK海力士及美光等廠商的營收貢獻,將逐季上揚。

          在NAND Flash后市部分,指出,NAND Flash供貨商經(jīng)歷2023年的巨額虧損后,資本支出轉(zhuǎn)趨保守。同時,DRAM和HBM等內(nèi)存產(chǎn)品需求,受惠AI浪潮的帶動,將排擠2025年NAND Flash的設(shè)備投資,使得過去嚴重供過于求的市況,將有所緩解。

          隨著AI技術(shù)快速發(fā)展,NAND Flash市場正經(jīng)歷前所未有的變革。AI應(yīng)用對高速、大容量儲存的需求日益增加,長期而言,將推動enterprise SSD(eSSD)市場的蓬勃發(fā)展。



          關(guān)鍵詞: HBM DRAM TrendForce

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