Littelfuse推出高性能超級(jí)結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET
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提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻，使電池儲(chǔ)能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)更加簡化，性能得到提升。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202411/464932.htmLittelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級(jí)結(jié)X4-Class功率MOSFET。
這些新器件在當(dāng)前200V X4-Class超級(jí)結(jié)MOSFET的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)展，有些具有最低導(dǎo)通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設(shè)計(jì)人員能夠用來替換多個(gè)并聯(lián)的低額定電流器件，從而簡化設(shè)計(jì)流程，提高應(yīng)用的可靠性和功率密度。此外，SOT-227B封裝的螺釘安裝端子可確保安裝堅(jiān)固穩(wěn)定。
這些新的200V MOSFET提供最低的導(dǎo)通電阻，增強(qiáng)并補(bǔ)充了現(xiàn)有的Littelfuse X4-Class超級(jí)結(jié)系列產(chǎn)品組合。與當(dāng)下最先進(jìn)的X4-Class MOSFET解決方案相比，這些MOSFET的額定電流最高可提高約2倍，導(dǎo)通電阻值最高可降低約63%。
新型MOSFET非常適合必須最大限度降低導(dǎo)通損耗的一系列低壓功率應(yīng)用，包括：
● 電池儲(chǔ)能系統(tǒng)（BESS）
● 電池充電器
● 電池成型
● DC/電池負(fù)載開關(guān)，以及
● 電源
“新器件將允許設(shè)計(jì)人員用一個(gè)器件解決方案取代多個(gè)并聯(lián)的低額定電流器件?！?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/Littelfuse">Littelfuse全球產(chǎn)品營銷工程師Sachin Shridhar Paradkar表示， “這種獨(dú)特的解決方案簡化了柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)，提高了可靠性，改善了功率密度和PCB空間利用率。”
超級(jí)結(jié)X4級(jí)功率MOSFET具有以下主要性能優(yōu)勢(shì)：
● 低傳導(dǎo)損耗
● 最少的并行連接工作量
● 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)簡化，驅(qū)動(dòng)器損耗最小
● 簡化的熱設(shè)計(jì)
● 功率密度增加
為什么對(duì)于看重極小導(dǎo)通損耗的應(yīng)用來說具有低導(dǎo)通電阻的MOSFET是首選？
對(duì)于看重極小導(dǎo)通損耗的應(yīng)用來說，具有低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是理想選擇。這類器件能顯著降低工作期間的功耗，從而降低傳導(dǎo)損耗，提高效率，并減少發(fā)熱。因此，它們非常適合電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池供電設(shè)備等功率敏感型應(yīng)用，在這些應(yīng)用中，保持高效率和熱管理至關(guān)重要。
性能指標(biāo)
性能指標(biāo) | IXTN500N20X4 | IXTN400N20X4 |
封裝 | 氮化鋁陶瓷基隔離SOT-227B | |
通態(tài)電阻 | RDS(on) =1.99m? @Tvj = 25°C | RDS(on)=3m? @ Tvj = 25°C |
高標(biāo)稱額定電流 | 500A @ TC = 25°C | 340A@TC=25°C |
柵極電荷 | Qg = 535nC | Qg = 348nC |
熱阻 | RthJC = 0.13K/W | RthJC = 0.18K/W |
供貨情況
超級(jí)結(jié)X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供貨。可通過Littelfuse全球各地的授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。
評(píng)論