韓研究院報(bào)告：絕大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)已被中國(guó)趕超

2 月 23 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，韓國(guó)科技評(píng)估與規(guī)劃研究院（KISTEP）23 日發(fā)布的一份調(diào)查報(bào)告指出，韓國(guó)絕大多數(shù)的半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)被中國(guó)趕超。

研究院針對(duì) 39 名國(guó)內(nèi)專家實(shí)施問(wèn)卷調(diào)查的結(jié)果顯示，截至去年，韓國(guó)所有半導(dǎo)體領(lǐng)域的基礎(chǔ)力量均落后于中國(guó)。若將技術(shù)最先進(jìn)國(guó)家的水平設(shè)為 100%，韓國(guó)在高集成度、低阻抗存儲(chǔ)芯片技術(shù)領(lǐng)域就為 90.9%，低于中國(guó)（94.1%）位居第二；在高性能、低功耗的人工智能芯片領(lǐng)域，韓國(guó)（84.1%）仍不及中國(guó)（88.3%）。

在功率半導(dǎo)體方面，韓國(guó)為 67.5%，中國(guó)高達(dá) 79.8%；新一代高性能傳感技術(shù)方面，韓中兩國(guó)分別為 81.3% 和 83.9%；半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)方面，兩國(guó)均為 74.2%。

IT之家從報(bào)道獲悉，參與此次調(diào)查的專家曾在 2022 年時(shí)認(rèn)為韓國(guó)在高集成度、低阻抗存儲(chǔ)芯片、先進(jìn)封裝、新一代高性能傳感技術(shù)等方面均領(lǐng)先中國(guó)，但僅兩年就改變了看法。

報(bào)告還指出，韓國(guó)雖在制造工藝和量產(chǎn)方面領(lǐng)先中國(guó)，但在基礎(chǔ)技術(shù)和設(shè)計(jì)領(lǐng)域落后。日本和中國(guó)的崛起、美國(guó)的制裁、東南亞市場(chǎng)增長(zhǎng)等因素給產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了不確定性。