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          一種低電壓開關(guān)電流甲乙類存儲單元的設(shè)計

          作者: 時間:2007-08-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          引言

          是電流模式采樣數(shù)據(jù)信號處理系統(tǒng)的基本單元電路,其性能的優(yōu)劣直接影響采樣系統(tǒng)的整體性能,因此,研究設(shè)計性能優(yōu)良的是研究技術(shù)的重要環(huán)節(jié)。根據(jù)出現(xiàn)時間的先后,可將其分為第一代開關(guān)電流和第二代開關(guān)電流存儲單元。第一代開關(guān)電流存儲單元的優(yōu)點是瞬態(tài)虛假信號很小,可以輸出非單位增益電流信號,以及采用相對簡單的單相時鐘方案。它的不足是需要由兩個晶體管組成,因此存在失配誤差問題和較大的功耗。為克服失配誤差等問題,人們進而研究出第二代開關(guān)電流存儲單元。第二代開關(guān)電流存儲單元采用單管存儲方式來避免失配誤差、降低功耗,這是它的優(yōu)點。它的缺點是:電路工作時有較大幅度的瞬態(tài)虛假信號,雖然可以采用三相時鐘方案來減小瞬態(tài)虛假信號,但是由于定時方案的復(fù)雜性,該方案在實際應(yīng)用中并未得到廣泛采納;取樣時無信號輸出;只能輸出單位增益的電流信號。如果要輸出非單位增益的電流信號,則必須以電流鏡輸出方式。這一點與第一代開關(guān)電流存儲單元類似,即也存在諸如失配誤差和功耗增加等問題。因此,盡管第二代開關(guān)電流技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)很長時間,但第一代開關(guān)電流技術(shù)仍然在實際應(yīng)用巾起著重要的作用。

          1 甲乙類存儲單元

          在便攜式電子系統(tǒng)中,功耗是一個關(guān)鍵性問題。甲類存儲單元的輸入信號擺幅受偏置電流制約,即輸入信號幅度不能超過偏置電流幅度;如果要增大信號擺幅,必須相應(yīng)增大偏置電流,這無疑會使電路的靜態(tài)功耗增大,因此甲類電路無法滿足現(xiàn)代電子系統(tǒng)的、低功耗設(shè)計需求。而甲乙類結(jié)構(gòu)的電路僅需要極小的偏置電流就能實現(xiàn)較大的信號擺幅,即輸入信號的幅度可以超過偏置電流幅度,所以很適合于低功耗電路應(yīng)用。

          本文采用如圖1所示的甲乙類存儲單元進行電路設(shè)計,電路原理如下:M1、M2為二極管接法的晶體管,M3、M4為存儲管,電路采用單相時鐘控制。在采樣相φ1[n]:Vgs1=Vgs3,Vgs2=Vgs4,其中Vgs1、Vgs2、Vgs3和Vgs4分別為晶體管M1~M4的柵-源電壓;輸出電流為iout[n]=-Aiin[n],其中A為電流增益因子。在保持相φ1[n+1/2]:M3、M4的柵電容上的柵電壓保持為Vgs1和Vgs3,所以輸出電流為iout[n+1/2]=-Aiin[n]。電路實現(xiàn)的z域傳遞函數(shù)為H(z)=-Az-1/2。

          2 甲乙類延遲單元

          甲乙類開關(guān)電流延遲單元如圖2所示,由兩級甲乙類存儲單元串聯(lián)而成。M3、M4、M7、M8用做存儲管,電路工作過程如下。在φ1[n]相,第1級存儲單元的存儲管M3、M4對輸入電流取樣;在φ2[n+1/2]相,開關(guān)φ1斷開,M3、M4將取樣相電流輸出到第2級存儲單元,由存儲管M7、M8輸出電流。電路實現(xiàn)的傳遞函數(shù)為H(z)=Az-1。

          3 雙線性積分器

          圖3(a)所示為采用圖2所示延遲單元設(shè)計的雙線性積分器,電路采用兩相控制時鐘。雙線性積分器的工作時序波形如圖3(b)所示。電路的工作原理如下。M1~M6構(gòu)成電流增益為A的輸入級,輸入電流在φ1相的取樣值由M3、M4的公共端輸出,在φ2相的取樣值由M5、M6的公共端輸出。M 11~M 16構(gòu)成電流增益為1的反饋級,輸出電流由M 15、M 16的公共端反饋到M7、M8的公共端。

          在φ1[n]相,輸出電流為:

          在φ2[n+1/2]相,輸出電流為:

          由式(1)和式(2)可以發(fā)現(xiàn)兩者具有相同的z域傳遞函數(shù)表達式:

          當時鐘頻率足夠高時,φ1[n]相和φ2[n+1/2]相的輸出信號近似相等,因此時鐘φ1[n]相和φ2[n+1/2]相都可以用于信號輸出,從而實現(xiàn)了雙頻采樣輸出。

          4 仿真結(jié)果分析

          采用HSPICE分別對設(shè)計的存儲單元、延遲單元和積分器電路進行了仿真,晶體管模型選用TSMC0.18μm標準數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為1 V;輸入電流iin=40μA,信號頻率fin=100 kHz,采樣頻率fs=1 MHz;開關(guān)管的寬長比W/L=0.4μn/0.4μm。所有PMOS存儲管的W/L=28μm/4μm,所有NMOS存儲管的W/L=12μm/8μm。

          甲乙類存儲單元的仿真結(jié)果如圖4所示,由圖4(b)測得的-3 dB頻率為12.9 MHz,即電路的最大采樣信號頻率為12.9 MHz。

          延遲單元和雙線性積分器的仿真結(jié)果如圖5和圖6所示。

          從圖4~6可以看出,輸出達到了預(yù)期功能。仿真波形中沒有出現(xiàn)瞬態(tài)虛假信號,所有信號波形相當理想。




          5 結(jié)束語

          本文設(shè)計了一種甲乙類開關(guān)電流存儲單元,電源電壓1 V,其最大采樣信號頻率12.9 MHz,并且具有結(jié)構(gòu)簡單、容易設(shè)計的優(yōu)點。HSPICE電路仿真結(jié)果表明,所設(shè)計的電路有良好的工作性能,所有波形都很理想。本文設(shè)計的雙線性積分器可用于開關(guān)電流濾波器和開關(guān)電流調(diào)制器的設(shè)計中,在實際應(yīng)用中還可以通過采用共源-共柵電路結(jié)構(gòu)以及S2I等技術(shù)來進一步提升電路性能。



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