DDR內(nèi)存接口的設(shè)計與實現(xiàn)
摘 要: 針對當(dāng)今電子系統(tǒng)對高速大容量內(nèi)存的需要,本文闡述了使用DDR控制器IP核來設(shè)計實現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。該方法能使設(shè)計盡可能簡單,讓設(shè)計者更專注于關(guān)鍵邏輯設(shè)計,以便達到更高的性能。該設(shè)計經(jīng)過仿真顯示,完全符合要求。
關(guān)鍵字:DDR內(nèi)存 IP核 地址產(chǎn)生邏輯 FIFO
1.引言
在當(dāng)今的電子系統(tǒng)設(shè)計中內(nèi)存被使用的越來越多,用來存放數(shù)據(jù)和程序。并且對內(nèi)存的要求越來越高,要求內(nèi)存讀寫速度盡可能的快,容量盡可能的大。面對這種趨勢,設(shè)計實現(xiàn)大容量高速讀寫的內(nèi)存顯得尤為重要。
本文結(jié)合筆者承擔(dān)的T比特路由器項目,對其中的大容量高速DDR內(nèi)存接口的設(shè)計實現(xiàn)進行了詳細闡述。本文第2節(jié)對與DDR內(nèi)存相關(guān)的知識做了簡單的介紹,從總體上對DDR內(nèi)存有個認識;第3節(jié)闡述了DDR內(nèi)存接口模塊的整體設(shè)計;第4節(jié)對整個設(shè)計中的關(guān)鍵設(shè)計地址產(chǎn)生邏輯進行了詳細闡述;最后總結(jié)全文。
2.DDR內(nèi)存相關(guān)知識介紹
DDR SDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器的縮寫。它能夠在一個時鐘周期內(nèi)傳送兩次數(shù)據(jù),也就是說數(shù)據(jù)速率是時鐘頻率的兩倍,可以達到很高的數(shù)據(jù)讀寫速度。此外它通過對地址線的分時復(fù)用,可以做到很大的容量。比如我們設(shè)計實現(xiàn)的DDR內(nèi)存時鐘頻率可達到150MHz,數(shù)據(jù)速率為300MHz,容量達到1M x 72bit。
DDR內(nèi)存為了更精確的同步使用若干對差分時鐘;它還有一個獨特的數(shù)據(jù)脈沖信號(DQS)。DDR內(nèi)存就是根據(jù)DQS來分割一個時鐘周期內(nèi)的兩次數(shù)據(jù)。更需要注意的是:DDR內(nèi)存沒有一個信號是發(fā)送讀或?qū)懙拿鞔_命令的,而是通過芯片的可寫狀態(tài)來達到讀/寫的目的。具體為:片選信號(CS),行地址有效信號(RAS),列地址有效信號(CAS),寫允許信號(WE)。它們都是低電平有效,它們的不同組合構(gòu)成了對DDR內(nèi)存的不同命令。比如CS,CAS有效,RAS無效,WE無效,表示從現(xiàn)在地址線指示的存儲單元處讀出一個數(shù)據(jù)放到數(shù)據(jù)線上;再如CS,CAS有效,RAS無效,WE有效,表示將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)寫入現(xiàn)在地址線指示的存儲單元處。
DDR內(nèi)存可以支持突發(fā)讀寫,并能根據(jù)不同的需要選擇不同的突發(fā)長度(BL);位寬也可以選擇,并能利用掩碼技術(shù)靈活的選擇每次讀寫的有效數(shù)據(jù)寬度(以8bit為單位);此外由于DDR內(nèi)存讀寫時需要先激活(Active)將要讀寫的存儲單元行,然后再讀寫,但DDR內(nèi)存任何時候只能有一存儲行是打開的(處于激活態(tài)),因此在需要讀寫不同存儲行時,要先關(guān)閉前已打開的存儲行,才能打開現(xiàn)在將要讀寫的存儲單元行,這一操作被稱為預(yù)充電(precharge)。另外由于DDR內(nèi)存是動態(tài)存儲器,需要對存儲體進行周期性的刷新(refresh)。
從上面的介紹中可以看出DDR內(nèi)存的性能雖然好,但接口控制很復(fù)雜。為了快速實現(xiàn)DDR內(nèi)存接口,縮短設(shè)計周期,我們使用已經(jīng)成熟的商業(yè)化內(nèi)存控制器 IP 核對DDR內(nèi)存進行控制。我們使用的是Altera公司的DDR Controller IP核,版本為2.2.0,使用的開發(fā)工具為Quartus II 4.1,使用VHDL語言進行描述。
3.獨立內(nèi)存接口模塊整體設(shè)計
為了將內(nèi)存接口模塊設(shè)計成相對獨立的模塊,也為了調(diào)整不同模塊之間的時鐘相位差,使數(shù)據(jù)穩(wěn)定輸入輸出,我們給DDR內(nèi)存接口模塊前端增加了一個入口FIFO,出口增加了一個出口FIFO。我們的功能需求是根據(jù)出口FIFO的狀態(tài)確定是否將數(shù)據(jù)送往DDR內(nèi)存條中進行緩存,并且設(shè)計中必須充分考慮DDR內(nèi)存條存儲器帶寬的利用效率,設(shè)計成批量讀寫的模式,減少讀寫切換工作的開銷。該內(nèi)存模塊具體完成以下功能:
1)使用DDR控制器IP核完成對DDR內(nèi)存的初始化配置,產(chǎn)生讀寫命令和其他各種控制信號;
2)根據(jù)出口FIFO狀態(tài)產(chǎn)生對DDR內(nèi)存接口的讀寫請求;
3)并且整個系統(tǒng)對數(shù)據(jù)的緩存處理應(yīng)該公平,不能有系統(tǒng)差別,也就是說要保證在任何情況下讀出的數(shù)據(jù)都是有效的數(shù)據(jù),寫入的數(shù)據(jù)不覆蓋DDR中的原有效數(shù)據(jù);DDR內(nèi)存接口模塊主要功能由DDR控制器IP核完成,對DDR內(nèi)存進行初始化配置,產(chǎn)生讀寫命令和其他各種控制信號。DDR控制器有兩個接口:DDR-interface和local-interface。DDR-interface直接與DDR內(nèi)存條相連,不需要干預(yù)。local-interface就是根據(jù)不同需要輸入不同信號,可以增加自己的邏輯。我們需要設(shè)計的邏輯就是產(chǎn)生讀寫請求信號和對應(yīng)的地址信息送給DDR控制器,DDR控制器把這些請求轉(zhuǎn)換為對DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀寫。因此DDR內(nèi)存接口模塊的重點是對地址產(chǎn)生邏輯的設(shè)計。我們的內(nèi)存模塊設(shè)計框圖詳見圖1。
圖1 DDR內(nèi)存接口模塊設(shè)計框圖
4.內(nèi)存讀寫地址產(chǎn)生邏輯的FPGA設(shè)計實現(xiàn)
根據(jù)本模塊的功能需求,在出口FIFO的狀態(tài)為忙時,要將數(shù)據(jù)送往DDR內(nèi)存條緩存,當(dāng)出口FIFO的狀態(tài)為非忙時,要將數(shù)據(jù)從DDR內(nèi)存條讀出送到出口FIFO。并且設(shè)計必須充分考慮DDR內(nèi)存條存儲器帶寬的利用效率,設(shè)計成批量讀寫的模式,減少讀寫切換工作的開銷。出口FIFO的狀態(tài)能由門限信號th1和th2反映出來,從而根據(jù)th1和th2反饋控制地址產(chǎn)生邏輯。
此外還要注意數(shù)據(jù)的次序,要保證對數(shù)據(jù)的公平處理,不能對數(shù)據(jù)造成系統(tǒng)差別,因此整個DDR內(nèi)存邏輯上是一個循環(huán)隊列。還要保證:DDR內(nèi)存滿時,不應(yīng)再寫DDR內(nèi)存;DDR內(nèi)存空時,不應(yīng)再讀DDR內(nèi)存。DDR內(nèi)存的空滿對地址產(chǎn)生邏輯也有重要影響。
從上面分析中看出:對地址產(chǎn)生邏輯有影響的信號是出口FIFO的狀態(tài)指示信號th1和th2,DDR內(nèi)存的空滿信號;輸出信號為對DDR內(nèi)存的讀請求rd_req和寫請求wr_req,地址addr。規(guī)定:th1=1表示出口FIFO幾乎空,出口FIFO狀態(tài)為非忙,可以對DDR內(nèi)存發(fā)出讀請求,直到th2=1為止;th2=1表示出口FIFO幾乎滿,出口FIFO狀態(tài)為忙,可以對DDR內(nèi)存發(fā)出寫請求,直到th1=1為止。
DDR內(nèi)存的空滿由讀寫地址的比較得出,并且要提前幾個時鐘周期置出。非空標(biāo)志由這樣的地址比較得出:rdaddr/= wraddr-2 and rdaddr/= wraddr-1 and rdaddr/=wraddra;非滿標(biāo)志由這樣的地址比較得出:wraddr+2/=rdaddr and wraddr+3/=rdaddr and rdaddr/= wraddr+1。
讀請求rd_req產(chǎn)生條件是: ①DDR內(nèi)存非空,DDR內(nèi)存滿且th2=0;
②DDR內(nèi)存非空,DDR內(nèi)存非滿且th1=1至th2=1。
寫請求wr_req產(chǎn)生條件是:①DDR內(nèi)存非滿,DDR內(nèi)存空;
②DDR內(nèi)存非滿,DDR內(nèi)存非空且th2=1至th1=1。
DDR內(nèi)存模塊的地址產(chǎn)生邏輯使用VHDL語言在Quartus II 4.1上實現(xiàn),最后編程例化到Altera公司的Stratix GX系列FPGA中物理實現(xiàn)。具體仿真波形詳見圖2。
圖 2 DDR內(nèi)存模塊地址產(chǎn)生程序的信號仿真波形
仿真說明:輸入時鐘為150M,復(fù)位信號高有效,ready為DDR控制器準(zhǔn)備好信號,th1=1表示出口FIFO幾乎空,在DDR內(nèi)存非空時,應(yīng)該讀DDR內(nèi)存;th2=1表示出口FIFO幾乎滿,在DDR內(nèi)存非滿時,應(yīng)該寫DDR內(nèi)存;輸出數(shù)據(jù)為讀請求信號rdreq,寫請求信號wrreq,輸出地址信號ddraddr(為仿真方便,仿真時的地址位寬設(shè)定為5bit)。
通過仿真從Quartus II 4.1的報告中可以看到如此設(shè)計的時鐘可以最高達到162.92MHz,符合設(shè)計要求的150MHz。其它功能要求也能滿足。
5.結(jié)束語
本文根據(jù)電子系統(tǒng)對高速大容量內(nèi)存的需要,使用成熟商業(yè)化DDR控制器IP核來設(shè)計獨立的DDR內(nèi)存接口模塊,不僅能從控制的細節(jié)中解脫出來,專注于系統(tǒng)的關(guān)鍵功能設(shè)計,并且能夠獲得更高的性能,完全滿足我們的功能性能需要。經(jīng)測試該設(shè)計性能穩(wěn)定,整個工作流程簡單實用,符合設(shè)計要求。
參考文獻
1 stratix_GX_datasheet. Altera公司,2003
2 Double Data Rate(DDR)SDRAM Handbook.Micron公司,2004
3邊計年,薛宏熙.用VHDL設(shè)計電子線路[M].北京:清華大學(xué)出版社,2000
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