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          電動車風(fēng)潮迭起,功率模組封裝改革勢在必行

          作者: 時間:2013-12-11 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          市場研究機構(gòu)Yole Developpement預(yù)期,未來15~20年車廠將賣出幾千萬與油電混合車。此需求使得功率電子封裝發(fā)展出現(xiàn)前所未有的急迫性,并為帶來可觀的商機。目前主要模組制造商,如英飛凌(Infineon)、丹佛斯(Danfoss)和西門康(Semikron)、日本的富士電子(Fuji Electronics)都在因應(yīng)此一趨勢,開發(fā)新的制程技術(shù)。

            電動車風(fēng)潮迭起,功率模組封裝改革勢在必行

            Yole Developpement功率電子分析師Alexandre Avron

            滿可靠度要求 DBC打線制程勢力抬頭

            目前汽車的變頻器仍由馬達運轉(zhuǎn),就如工業(yè)應(yīng)用中的裝置,但它具備更高階的規(guī)格,例如能在各個不同的溫度及駕駛狀況下保持可靠度。因此,現(xiàn)今市場亟需一個耐用的,這對于或油電混合車(EV/HEV)產(chǎn)品的研發(fā)有很大的幫助。

            未來市場將會開始看到像丹佛斯、西門康及英飛凌等業(yè)者展現(xiàn)直接覆銅基板(DBC Substrates)、黏晶、互連及冷卻的較新解決方案,預(yù)期有許多創(chuàng)新的封裝,將轉(zhuǎn)移到其他產(chǎn)業(yè)。

            在芯片互連方面,功率電子業(yè)目前廣泛運用的技術(shù)是鋁打線,但其他解決方案可能更具低阻抗值、較高導(dǎo)熱性和壽命更長的效能。由于鋁打線很脆弱,且它必須傳送電流,可能會因熱循環(huán)而使電流分離,在機械上經(jīng)由振動或沖擊也可能發(fā)生上述狀況。目前可能替代它的一個選項是帶式焊接(Ribbon Bonding),這就像是以一個非常大的打線取代許多打線,豐田已經(jīng)將其用于油電混合車的某些模組中。

            在其他解決方案能取代鋁打線之前,鋁打線在功率電子互連上的運用將相當(dāng)有限。目前各家半導(dǎo)體業(yè)者都在研發(fā)取代的解決方案。其中,第一個方式是以銅替換鋁線,此舉能用封裝廠現(xiàn)有設(shè)備焊接,且銅能讓阻抗值大幅下降,增加導(dǎo)熱性,有利提高打線壽命。

            第二個解決方案是在芯片之上使用軟層或DBC。此技術(shù)不用線材或點對點連結(jié),而是用整片金屬箔片蓋在芯片上。西門康利用軟箔片,而其他模組廠商用硬箔片或某種DBC基板。模組廠商也須將電晶體和二極體黏著在模組封裝中,可處理較高的功率密度和更大的熱負荷。此外,對黏晶來說,概念是觀察能禁得起高溫的材料,DBC的熱膨脹係數(shù)也較低,而熱循環(huán)造成的分離亦能改善。

            確保零組件可靠度 模組封裝技術(shù)再進化

            另一方面,微量銀粉材料則用于由西門康首創(chuàng)的燒結(jié)方式中,現(xiàn)在材料制造商也計畫以微量銀粉進行燒結(jié),此方式的缺點在于制程,微量銀粉需要時間、30MPa壓力和250°C溫度將芯片燒結(jié)在DBC,這是個很大的技術(shù)問題,因為很困難、需時甚久,而芯片所有點的壓力都要一樣。德國料商賀利氏(Heraeus)也在研究利用白銀奈米顆粒,就可不受壓力及溫度限制進行燒結(jié)。有些公司也提供放在金屬箔片上的微量粉煳劑,相較于凝膠或煳劑,它更容易傳送及應(yīng)用。

            替代黏晶的方式為共熔接合,利用熔合銅及錫而產(chǎn)生的抗熱性。英飛凌生產(chǎn)它的.XT功率模組,使用銅及錫進行共熔焊接,該公司已能夠在DBC上混合非常薄層的銅和錫,并將芯片置于此夾層上。在高溫下,兩者混在一起,以更高的熔解溫度做熔合。

            採用新一代封裝技術(shù)的功率模組不只是意味著能確保零組件,還有它們之間的連結(jié)和黏合可因應(yīng)較高溫度與冷卻狀況。實現(xiàn)此一方式最主要概念是使冷卻液體更靠近變熱的芯片。目前已經(jīng)有許多公司移除了芯片和冷卻系統(tǒng)間的夾層。例如,有的公司已去掉常會出現(xiàn)在DBC基板及冷卻系統(tǒng)間的基礎(chǔ)薄板,使液體直接碰觸到DBC。

            新的封裝技術(shù)正推動油電混合車也帶動創(chuàng)新,日本企業(yè)如豐田、富士(Fuji)及叁菱(Mitsubishi)為其中最明顯的例子。舉例來說,在豐田Prius由2004年到2010年的演進中,功率模組已擺脫了基礎(chǔ)薄板,使液體直接碰觸DBC;富士與叁菱亦跟隨其腳步。這樣的努力可使由硅晶及寬能隙(Wide-bandgap)半導(dǎo)體做成的元件受惠,以絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)制造的功率模組,其冷卻效果較好,壽命也較長。另外,硅化碳(SiC)也具相同特性,且利益

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