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          集成電路可靠性試驗―鹽霧技術(shù)研究

          作者: 時間:2013-11-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          EXT-TRANSFORM: none; TEXT-INDENT: 0px; DISPLAY: inline !important; FONT: 14px/25px 宋體, arial; WHITE-SPACE: normal; ORPHANS: 2; FLOAT: none; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">3.1 溶液溫度的影響

            從公式(5)中可知,溶液溫度升高,使溶液粘度降低,從而使溶解氧的擴(kuò)散系數(shù)D增加,所以溫度升高可以加速腐蝕過程。試驗結(jié)果見圖1 (由表1中①的結(jié)果轉(zhuǎn)化而來)。

            

          集成電路可靠性試驗―鹽霧技術(shù)研究

            從圖1中知道,隨著溫度的升高,腐蝕速度也 在逐漸增大,但是當(dāng)溫度超過35℃后,腐蝕速度反而隨著溫度的增大而變?nèi)?。這一現(xiàn)象的產(chǎn)生主要 是在溶液濃度一定的情況下,由于氧氣在溶液中的溶解度是與溫度成反比的。而腐蝕速度是受到兩個主要的因素來控制的,即溫度與溶解在溶液中的氧含量。在溫度低于35℃時,雖然氧的含量隨著溫 度的升高而降低,由于在這種情況下電化學(xué)反應(yīng)所需要的氧是足夠的,因而腐蝕速度受溫度控制。由于溫度的升高可以使溶解氧的擴(kuò)散系數(shù)D變大,所以在溫度小于35℃時,腐蝕速度(即電化學(xué)反應(yīng)速度)是與溫度成正比的。當(dāng)溫度高于35℃,隨著溫度的升高,溶液中的氧的含量降低,不能滿足電化學(xué)反應(yīng)所需要的含量。這時,腐蝕速度是受溶解氧的含量控制的,雖然溫度升高會使化學(xué)反應(yīng)速度提高,但由于是氧在參與電化學(xué)反應(yīng),因氧濃度降低,所以腐蝕速度逐漸地隨溫度的升高而減慢。

            3.2 溶液濃度的影響

            在鹽霧試驗中,Cl離子的半徑小,破壞性很強(qiáng)。由于它的存在,使電路發(fā)生腐蝕現(xiàn)象。當(dāng)NaCl溶液濃度增大,則Cl離子濃度也就變大,這時, 電化學(xué)反應(yīng)速度就應(yīng)當(dāng)變快。試驗結(jié)果見圖2(表1中②的結(jié)果轉(zhuǎn)化而來)。

            由圖2可知,隨著鹽濃度的增大,腐蝕速度開始是與濃度成正比的,但當(dāng)濃度超過3%后,腐蝕速度與濃度的關(guān)系是反比的,即反應(yīng)速度隨鹽濃度的增加而降低。氧的溶解度與濃度成反比關(guān)系。這是由于在一定溫度條件下,腐蝕速度是由兩個主要的因素,即鹽濃度與溶解在溶液中的氧含量來控制的。當(dāng)溶液中氧的含量能滿足電化學(xué)反應(yīng)時,腐蝕速度受鹽濃度控制,即Cl離子濃度越大,發(fā)生的 反應(yīng)越強(qiáng)。當(dāng)濃度超過3%后,隨濃度的增加,溶解的氧的含量降低,不能滿足電化學(xué)反應(yīng)的需要, 這時,腐蝕速度是受溶液中氧的含量來控制。雖然Cl離子濃度變大,但此時起主要作用的是氧, 所以腐蝕速度隨濃度的增加而變小。

            

          集成電路可靠性試驗―鹽霧技術(shù)研究

            3.3 氧的溶解度

            從公式(5)中可知,溶解氧的濃度C增加,極限電流密度id增大,這樣溶液導(dǎo)電性增加,腐蝕 速度加快。表2是氧在海水中的溶解度關(guān)系。

            

          集成電路可靠性試驗―鹽霧技術(shù)研究

            從表2中可以看出,溶解度是與外界環(huán)境條件 密切聯(lián)系的,即隨著濃度或溫度的增加而降低,此時擴(kuò)散速度減小,使腐蝕速度下降。我們通過降低外界環(huán)境溫度或降低鹽濃度,來使溶液中氧的濃度的提高。當(dāng) C增大,id變

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