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          MEMS加速計(jì)的三種高壓滅菌器失效機(jī)理

          作者: 時(shí)間:2013-11-19 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          介紹

          高壓滅菌器測(cè)試也叫高壓鍋測(cè)試,是惡劣環(huán)境所用的器件通常都要求進(jìn)行的一種質(zhì)量測(cè)試。 直到最近,汽車(chē)安全行業(yè)才開(kāi)始提出高壓滅菌器測(cè)試要求,以檢驗(yàn)用于氣囊傳感器的 [1]。為了進(jìn)行此測(cè)試,器件在環(huán)境試驗(yàn)箱不帶電存儲(chǔ)96/168小時(shí),環(huán)境試驗(yàn)箱的氣壓為15psig、溫度為120oC,相對(duì)濕度為100%。高壓滅菌器經(jīng)過(guò)一定的暴露時(shí)間后,器件在室溫下重新測(cè)試。

          盡管傳感器的傳感結(jié)構(gòu)在密封環(huán)境下封裝,以防止水分入侵,但仍要承受高壓滅菌壓力,因?yàn)樗芰习b材料可在過(guò)壓和過(guò)濕條件下吸收水分。要測(cè)試對(duì)高壓滅菌器壓力的易感性,我們將80個(gè) 加速計(jì)置于高壓滅菌器測(cè)試條件下。如圖1所示,加速計(jì)由MEMS傳感單元(g-cell)和控制ASIC組成,采用堆疊芯片結(jié)構(gòu)組裝在一個(gè)QFN 封裝中。傳感單元由飛思卡爾二聚表面微流構(gòu)成,使用玻璃熔塊通過(guò)晶片鍵合技術(shù)密封在密封腔里。

          高壓滅菌器測(cè)試結(jié)果顯示,25oC時(shí),9個(gè)部件無(wú)法達(dá)到偏移規(guī)范,要求9位輸出的偏移變化少于+/- 26個(gè)計(jì)數(shù)。失效部件的最大偏移變化是-48/+39個(gè)計(jì)數(shù)。 當(dāng)部件進(jìn)行168小時(shí)測(cè)試時(shí),發(fā)現(xiàn)了更多器件失效(與偏移變化的失效行為相同)。還發(fā)現(xiàn)這些部件在-40oC 和125oC下具有較小的偏移變化和較緊湊的分布。失效器件還顯示在空氣中暴露一段時(shí)間后,出現(xiàn)緩慢回歸規(guī)范的“自愈”行為。在正常大氣條件下進(jìn)行120℃焙燒,可以加速恢復(fù)過(guò)程。失效和恢復(fù)流程是可重復(fù)和可逆的。


          圖 1. MEMS 加速計(jì): (a) QFN 封裝視圖(模具帽未顯示);(b) LSM角度的傳感單元芯片視圖

          為了確定高壓滅菌器失效的根源,我們創(chuàng)建了一個(gè)失效分析魚(yú)骨圖(圖2),全面查看高壓滅菌器測(cè)試條件下(濕度、壓力和溫度)偏移變化的所有可能原因。從以下四個(gè)主要方面審查了設(shè)計(jì)和制造工藝:封裝、ASIC、傳感器(g-cell)和測(cè)試。因此發(fā)現(xiàn)了微機(jī)械傳感獨(dú)有的三種失效機(jī)理。這三種機(jī)理是:

          • 導(dǎo)致偏移變化的封裝應(yīng)力
          • 電阻漏電
          • 寄生電容變化

          II. 封裝應(yīng)力影響

          環(huán)氧樹(shù)脂塑封(EMC)材料能吸收水分,且吸熱會(huì)膨脹 [2]。掃描聲學(xué)顯微鏡(C-SAM)檢測(cè)還揭示,復(fù)合模具和引線框架之間出現(xiàn)過(guò)多分層。這些變化會(huì)改變封裝和傳感單元的應(yīng)力狀態(tài),從而引起偏移變化。FEA 封裝建模(圖3)用于模擬這種應(yīng)力變化的影響。這個(gè)模型考慮了 EMC 和引線框架之間的非對(duì)稱(chēng)分層。根據(jù)達(dá)到平衡時(shí)水分?jǐn)z取大于0.54%這一原理,試驗(yàn)還假設(shè)吸濕應(yīng)力為0.15%。


          圖 2. 高壓滅菌器失效分析魚(yú)骨圖

          FEA 模擬結(jié)果顯示,傳感器的慣性質(zhì)量位移相當(dāng)對(duì)稱(chēng),但是由于分層和吸濕膨脹,封裝的位移場(chǎng)不對(duì)稱(chēng)。模擬顯示,吸濕膨脹引起的位移與125℃時(shí)熱應(yīng)變引起的位移數(shù)量級(jí)相同。 封裝應(yīng)力引起的最大偏移變化預(yù)測(cè)只有4個(gè)計(jì)數(shù)(最壞情況)。

          用激光蝕刻去除傳感單元周?chē)闹饕狤MC部分,進(jìn)一步分析失效器件。這一做法思路是,封裝的應(yīng)力場(chǎng)將大幅改變,如果器件對(duì)封裝應(yīng)力敏感,這可能導(dǎo)致偏移變化。但測(cè)試結(jié)果顯示,大部分EMC移除之后,器件只有非常小的偏移變化。這一結(jié)果符合原來(lái)的 FEA預(yù)測(cè),EMC的吸濕膨脹只會(huì)對(duì)偏移變化產(chǎn)生非常小的影響,封裝應(yīng)力作為高壓滅菌器失效的根源被排除。

          盡管研究顯示封裝應(yīng)力不是高壓滅菌器失效的根源,值得一提的是,這歸因于應(yīng)力不敏感傳感器/封裝設(shè)計(jì)。封裝吸濕應(yīng)力非常大,如果傳感器設(shè)計(jì)不正確,可能成為導(dǎo)致高壓滅菌器失效的主要原因。減少封裝應(yīng)力易感性的設(shè)計(jì)策略已在[3]中討論。


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