MEMS加速計的三種高壓滅菌器失效機理
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其中 l是鍵合線的長度，r 是鍵合線的半徑，d是兩條鍵合線之間的距離，εr是EMC的介電常數(shù)（干燥時和高壓滅菌測試之后）。
象體積電阻率一樣，EMC材料的介電常數(shù)也可以通過攝取水分來改變（圖4）。干燥條件和吸水條件下的介電常數(shù)變化可能高達兩個數(shù)量級。在低頻率范圍（小于1Hz），這種影響更明顯。在較高頻率范圍，差別通常小很多。測試 MEMS 加速計的 QEN封裝所用的特定EMC材料與 MEMS器件采用相同的高壓滅菌器測試條件。表1顯示了EMC材料的介電常數(shù)在高壓滅菌器壓力前后可能增加2.8%。
表1 EMC的介電性能： 96小時的高壓滅菌器測試之后
| 項目 | 體積電阻率（ohm-cm） | 介電常數(shù) | 耗散因子（%） | |
| RT | 150C | |||
| T=0 | 5.00E+16 | 1.00E+10 | 3.6 | 0.5 |
| PCT96h | 1.00E+16 | 2.00E+10 | 3.7 | 0.7 |
EMC 介電常數(shù)出現(xiàn)2.8%的變化可能產(chǎn)生1.4fF的電容變化。如此小的電容變化要使用 LCR 儀表測量出來是不可能的，但它足以在9位輸出上產(chǎn)生15個計數(shù)的偏移變化。高壓滅菌器壓力產(chǎn)生的寄生電容變化很難控制，因為它是EMC材料特征的一部分。但有幾種設(shè)計對策可以緩解此問題。一種方法是提高傳感器靈敏度，從而只需要較低的調(diào)制器增益。我們的觀察也支持這種方法，發(fā)現(xiàn)用不同的MEMS加速計設(shè)計（具有2倍靈敏度）在高壓滅菌器測試中有更好的表現(xiàn)。另一種方法是采用不同前端/架構(gòu)設(shè)計，將屏蔽節(jié)點從中間節(jié)點分離出來，這樣敏感節(jié)點和屏蔽節(jié)點之間的寄生電容不會產(chǎn)生偏移。
V. 結(jié)論
本文共討論了MEMS加速計的三種高壓滅菌器失效機理。分別說明了每一種失效機理的FA方法（通過建模和測量）和設(shè)計改進。排除了封裝應(yīng)力作為高壓滅菌器失效的根源。傳感單元內(nèi)的漏電通過調(diào)制器掃頻測量得到了確認。依據(jù)EMC材料的介電性能測量研究了寄生電容。我們認為漏電和寄生電容變化都存在于高壓滅菌失效器件中。最后還為所確定的每個根源建議了設(shè)計對策。當測試結(jié)果一出來，就會按照報告的測試結(jié)果進行這些改進。
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