采用綜合學科研究法有效封裝MEMS加速儀（二）

圖字：storage modulus （MPa）：儲能模量（MPa）；Temp：溫度

圖6 固晶膠E的存儲模量

用內(nèi)部確定的固晶E的性能對封裝進行的模態(tài)分析表明，它的固有頻率大于20 kHz。此外，圖4顯示了固晶E的裂紋擴展能量與固晶A相似，因此不會產(chǎn)生芯片斷裂的問題。因此，固晶膠E被用于替換固晶膠D，因為它非常柔韌，不會使芯片斷裂，同時也具有足夠的硬度，滿足共振要求。對這種新的固晶材料進行鑒定檢測和試封裝后發(fā)現(xiàn)，整個測試樣本中沒有出現(xiàn)任何芯片斷裂。

結語

本文16引線SOIC加速儀封裝的完整工藝流程進行了評估解以了解造成低ppm水平芯片斷裂的裂紋擴展和傾向。找出了兩個危害最大的關鍵工序。影響最大的是焊接回流工序，其次是引線粘結工序。引起芯片斷裂的主要參數(shù)是感應單元固晶膠的硬度。目前使用的固晶膠D使感應單元基片芯片非常容易出現(xiàn)斷裂。通過反向工程確定了可以同時滿足感應單元固有頻率和封裝可靠性需求的固晶材料。采用推薦的固晶膠E后，封裝在處理通常會引入裂紋和感應單元固有頻率要求的工藝時表現(xiàn)更加強韌。