綠色電源需求攀升 高性能功率器件看俏

日前，電子發(fā)燒友網(wǎng)攜手飛兆半導體等業(yè)界五大知名廠商，成功舉辦“2013電源管理技術研討會”，200多位技術研發(fā)工程師積極參與，同行業(yè)領 袖和技術專家圍繞綠色電源系統(tǒng)解決方案、電源設計軟件工具、電源電路保護、平板、手機散熱以及電源測試展開互動討論，共同探討技術發(fā)展和產(chǎn)業(yè)前景。

　　會上，飛兆半導體技術行銷部高級工程師閔江威先生發(fā)表精彩演講，詳細介紹了飛兆半導體綠色電源系統(tǒng)解決方案，包括分立式解決方案--高性能IGBT、超級結MOSFET和新型碳化硅晶體管解決方案，與會觀眾收獲頗多。

　　圖1：飛兆半導體技術行銷部高級工程師閔江威先生

　 　在節(jié)能和綠色的大趨勢下、在各機構和政府制定的規(guī)范推動下，電源和電子設備必須遵守強制性能效規(guī)范，以及智能便攜設備小型化多功能的發(fā)展趨勢，要求電源 與電源管理必須提高電源效率、降低待機功耗、改善功率因數(shù)、高功率密度、高可靠性、高集成度、小尺寸、智能化、安全和低成本。電源制造商、半導體制造商均 積極開發(fā)能夠提高效率的新型解決方案。

　　飛兆半導體MOSFET技術開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示，由于增加了便攜式設備的使用，在目前的電力系統(tǒng)中，對于電信網(wǎng)絡基礎建設（3G / LTE LTE-A通訊網(wǎng)絡）和云系統(tǒng)的各種需求正成為核心議題。因此，針對電信基礎建設和計算包括云系統(tǒng)，對于能夠滿足來自電源管理應用各種要求的半導體產(chǎn)品和 電子產(chǎn)品需求也已增加。尤其在大中華區(qū)，華為（Huawei）、中興（ZTE）和聯(lián)想（Lenovo）專注于電信和計算電源業(yè)務。

　　為了滿足此市場中對更高功率等級、效率、功率密度等要求，半導體供應商正致力于為市場提供采用小型化封裝的高開關速度、大電流、低RDS（ON）的SJ/MV MOS， IGBT器件。

　　而且，來自目前材料（例如，硅）的上述既有器件的局限性可以通過下一代寬帶隙半導體產(chǎn)品，比如SiC和GaN開關來克服，它們將會在不久的將來應用于這個市場中。

　　圖2：飛兆半導體MOSFET技術開發(fā)工程師Jaegil Lee先生

　　以高性能IGBT、MOSFET解決功率管理的挑戰(zhàn)

　 　功率管理的發(fā)展重心將逐漸集中在能效方面。飛兆半導體的高能效解決方案在應對當前功率管理挑戰(zhàn)方面扮演著關鍵的角色。飛兆半導體推出的場截止IGBT具 備高電流能力、低傳導損耗和低開關損耗、易于并聯(lián)運行的正溫度系數(shù)、最大結溫： Tj=175℃ 、良好的一致性、更大的SOA（安全工作區(qū)）等優(yōu)勢，能夠在高頻應用中滿足低能量損耗的要求。

　　飛兆半導體MOSFET技術開發(fā)工程師 Jaegil Lee先生表示，我們相信飛兆的600V平面型場截止 （Field Stop Planar） IGBT是能夠用來滿足客戶需求的最好產(chǎn)品之一。對于高頻應用中的低能量損耗要求，飛兆的600 V平面型場截止（Field Stop Planar） IGBT為客戶提供了解決方案。為繼續(xù)滿足客戶對于高功率密度的期望，并兼容各種市場應用，飛兆在2012年推出了650 V溝槽型場截止（Field Stop Trench） IGBT。其目標應用為工作在中頻開關頻率上的不間斷電源（uninterruptable power supply，UPS）和電焊機應用。650 V溝槽型場截止（Field Stop Trench） IGBT擁有非常嚴格的關鍵參數(shù)控制，并通過加固設計來來保證短路特性來滿足目標應用。

　　飛兆650 V溝槽型場截止（Field Stop Trench） IGBT會繼續(xù)在高頻應用中降低能量損耗和降低EMI等級等方面發(fā)展。

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