綠色電源需求攀升 高性能功率器件看俏

　 　飛兆半導(dǎo)體充分利用其高端工藝和前沿封裝技術(shù)，不斷推出高性能半導(dǎo)體產(chǎn)品，積極應(yīng)對功率管理挑戰(zhàn)，以優(yōu)化電源、便攜式、照明、電機(jī)、計(jì)算以及消費(fèi)應(yīng)用產(chǎn) 品的能效。飛兆推出的超級結(jié)MOSFET，采用先進(jìn)制造工藝降低EPI電阻，解決了HV MOSFET中RDS（ON）的主要影響因素。超級結(jié)MOSFET技術(shù)能夠有效隔離導(dǎo)電區(qū)域與電壓阻斷區(qū)域，在導(dǎo)通狀態(tài)下，重?fù)诫s外延區(qū)域可確保導(dǎo)通電阻 足夠低；在關(guān)斷狀態(tài)下，夾斷導(dǎo)電區(qū)域，充當(dāng)電壓持續(xù)層，可謂是突破硅限制的超級MOSFET。超級結(jié)MOSFET優(yōu)勢明顯，在較低的輸出電容（Eoss） 可獲得輕載條件下較高的效率；較高的體二極管耐用性和較小的反向恢復(fù)電荷（Qrr）能為諧振轉(zhuǎn)換器提供更可靠的系統(tǒng)。

　　飛兆半導(dǎo)體 MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示，在超級節(jié)（Super-junction）結(jié)構(gòu)中，通過增加N-epi摻雜濃度可以實(shí)現(xiàn)較低電阻而不犧牲擊穿電壓，因?yàn)樵诒砻鎝- well下增加了p-pillar。這對于既有的平面MOSFET來說是不可能的，因?yàn)閾诫s濃度的增加會降低擊穿電壓。

　　飛兆的超級節(jié)產(chǎn)品（SuperFET? MOSFET， SupreMOS? MOSFET）采用控制良好的工藝來制造。因此，在保持穩(wěn)定的工藝、保持高性能和高品質(zhì)的同時獲得具有較低RDS（ON） 和導(dǎo)通狀態(tài)電阻的產(chǎn)品。

　　SupreMOS MOSFET是第一個商業(yè)應(yīng)用的超級節(jié)產(chǎn)品之一，它使用了基于飛兆先進(jìn)工藝成功推出的溝道技術(shù)。相比競爭產(chǎn)品，SuperFET MOSFET具有高的dv/dt強(qiáng)度。

　　創(chuàng)新技術(shù)--高性能功率晶體管 SiC BJT

　 　為了實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，滿足嚴(yán)格的能效規(guī)則和系統(tǒng)正常運(yùn)行時間要求，工業(yè)和電力電子設(shè)計(jì)人員正在挑戰(zhàn)他們自己，以便在他們的設(shè)計(jì)中降低功率損耗并改進(jìn) 可靠性。然而，這些在比如可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、高密度電源、汽車和高溫工業(yè)鉆探等應(yīng)用設(shè)計(jì)中的努力會使他們的設(shè)計(jì)復(fù)雜化并導(dǎo)致整體系統(tǒng)成本更高。為 了幫助設(shè)計(jì)師滿足這些挑戰(zhàn)，在創(chuàng)新的高性能功率晶體管技術(shù)方面，隨著可理想適用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅（silicon carbide，SiC）技術(shù)解決方案的推出，飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)大了它的領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　通過在它的產(chǎn)品組合中推出基于SiC的產(chǎn)品，飛兆在創(chuàng)新 的、高性能功率晶體管技術(shù)方面加強(qiáng)了它的產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)力。在飛兆的SiC產(chǎn)品組合中，第一個推出的產(chǎn)品系列是先進(jìn)的SiC雙極結(jié)型晶體管（bipolar junction transistors，BJT），可提供高效、大電流密度、穩(wěn)健性、和高溫工作的能力。通過采用格外有效的晶體管，飛兆的SiC BJT實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率，因?yàn)槠渚哂懈偷膶?dǎo)通和開關(guān)損耗（范圍從30 - 50%），在相同的系統(tǒng)外形尺寸下提供了多達(dá)40%的更高輸出功率。

　　這些穩(wěn)健的BJT使用了更小的電感、電容和散熱器，能夠降低總體系統(tǒng)成本達(dá)20%。由于具備更高效率和卓越的短路能力和反向偏壓安全工作區(qū)域，在優(yōu)化大功率變換應(yīng)用的電源管理中，這些行業(yè)領(lǐng)先的SiC BJT將起到至關(guān)重要的作用。