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          淺談功率半導體的技術(shù)與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展（一）
          
						
          
				作者：
				時間：2013-10-14
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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			頻器件，一般工作在幾十至幾百赫茲，少數(shù)可達幾千赫茲。然而功率電路在更高頻率下工作時將凸顯許多優(yōu)點，如高效、節(jié)能、減小設(shè)備體積與重量、節(jié)約原材料等。因此在二十世紀八十年代發(fā)生了“20kHz革命”，即功率半導體電路中的工作頻率提高到20kHz以上。這時傳統(tǒng)的功率半導體器件如SCR和GTR（巨型晶體管或稱為電力晶體管）等因速度慢、功耗大而不再適用，以功率MOS和IGBT為代表的新一代功率半導體器件因此應(yīng)運而生。新一代功率半導體器件除具有高頻（相對于傳統(tǒng)功率器件而言）工作的特點外還都是電壓控制器件，因而使驅(qū)動電路簡單，逐漸成為功率半導體器件的主流和發(fā)展方向，在國際上被稱為現(xiàn)代功率半導體器件（ModernPowerSemiconductorDevices）。
          　　現(xiàn)代功率半導體器件的制造技術(shù)與超大規(guī)模集成電路一樣都是以微細加工和MOS工藝為基礎(chǔ)，因而為功率半導體的集成化、智能化和單片系統(tǒng)化提供了可能，進而促進了將功率半導體器件與過壓、過流、過溫等傳感與保護電路及其驅(qū)動和控制電路等集成于同一芯片的單片功率集成電路的迅速發(fā)展。
          　　目前市場主流的功率半導體器件是硅基器件，包括部分SOI（SOI：SilicononInsulator）基高壓集成電路，隨著以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導體材料制備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和硅基GaN電力電子器件逐漸成為功率半導體器件的重要發(fā)展領(lǐng)域。
                     
				
            
                
			
							
          
                
			            
          
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