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          32位元MCU功耗再降

          作者: 時(shí)間:2013-09-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          位電路漏電+隨機(jī)存取記憶體(RAM)保持電流+LDO工作電流+降壓偵測(cè)或重置電路(BOD)工作電流總和必須小于1微安培,對(duì)于快閃記憶體、RAM越來(lái)越大,及功能越來(lái)越多的低MCU設(shè)計(jì)廠商而言,是十分艱鉅的挑戰(zhàn)。

            運(yùn)行、待機(jī)和喚醒時(shí)間不容忽視

            在系統(tǒng)級(jí)要兼顧低及高效能,必須考慮實(shí)際應(yīng)用面的需求,如無(wú)線環(huán)境感測(cè)器可能讓MCU主時(shí)脈及CPU關(guān)閉,只開(kāi)啟低頻時(shí)脈,定時(shí)喚醒周邊電路進(jìn)行偵測(cè);當(dāng)符合設(shè)定條件的事件發(fā)生時(shí),快速啟動(dòng)CPU進(jìn)行處理;即使沒(méi)有任何事件發(fā)生,也必須定時(shí)喚醒CPU,維持無(wú)線感測(cè)器網(wǎng)路的連線。

            在遙控器的應(yīng)用中,則可能完全將所有時(shí)脈源都關(guān)閉,當(dāng)使用者按鍵時(shí),快速喚醒時(shí)脈源及CPU進(jìn)行處理。另外,許多應(yīng)用都會(huì)加入一個(gè)MCU做為主處理器的輔助處理器,用于監(jiān)控鍵盤(pán)或紅外線輸入、刷新顯示器、控制主處理器電源及智慧電池管理等任務(wù)。此時(shí),平均比單純的運(yùn)行功耗或待機(jī)功耗,更具指標(biāo)性意義。

            平均功耗由運(yùn)行功耗和運(yùn)行時(shí)間、靜態(tài)功耗和待機(jī)時(shí)間,以及不同運(yùn)行模式之間的切換時(shí)間等主要參數(shù)組合而成。茲以圖1進(jìn)行說(shuō)明。

            32位元MCU功耗再降

            圖1 不同運(yùn)行時(shí)間電流大小的變化

            平均電流(IAVG)=(I1xT1+I2xT2+I3xT3+I4xT4+I5xT5+I6xT6)/(T1+T2+T3+T4+T5+T6)

            因?yàn)檫M(jìn)入待機(jī)模式時(shí)間很短,忽略此段時(shí)間的電流消耗,公式可以簡(jiǎn)化為:

            平均電流(IAVG)=(I1xT1+I3x 3+I4xT4+I5xT5+I6xT6)/(T1+T3+T4+T5+T6)

            由以上公式觀察到,除了降低運(yùn)行電流及靜態(tài)待機(jī)電流外,降低運(yùn)行時(shí)間、喚醒時(shí)間及高低速運(yùn)行模式切換時(shí)間,亦為降低整機(jī)功耗的重要手段。另外,圖1同時(shí)指出,低功耗MCU支援動(dòng)態(tài)切換運(yùn)行時(shí)脈頻率是必要的功能。

            實(shí)現(xiàn)低功耗MCU設(shè)計(jì) 開(kāi)發(fā)商考量須面面俱到

            低功耗MCU設(shè)計(jì)考量包括制程選擇、低功耗/高效能CPU核心、低功耗數(shù)位電路、支援多種工作模式、電源系統(tǒng)、豐富的喚醒機(jī)制/快速喚醒時(shí)間、低功耗類(lèi)比周邊與記憶體等,以下將進(jìn)一步說(shuō)明之。

            制程選擇至關(guān)重要

            為了達(dá)到低功耗的運(yùn)作,并能有效地在低耗電待機(jī)模式下,達(dá)到極低的待機(jī)功耗,制程的選擇極為重要。在不強(qiáng)調(diào)速度極致的某些制程分類(lèi),選擇極低元件截止電流制程(圖2)進(jìn)行邏輯閘制作,并進(jìn)行數(shù)位設(shè)計(jì)是方法之一。

            32位元MCU功耗再降

            圖2 不同制程元件截止和晶片待機(jī)電流變化

            選擇這種策略的額外效益是,通常也能降低動(dòng)態(tài)操作電流,達(dá)到較佳的表現(xiàn)。另外,由于高溫大幅增加靜態(tài)電流,當(dāng)溫度由攝氏25度增加到攝氏85度時(shí),一個(gè)典型比例約增加十倍的靜態(tài)電流。以非低功耗0.18微米制程,開(kāi)發(fā)邏輯閥門(mén)數(shù)200K、4KB SRAM的為例,在核心電壓1.8伏特、攝氏25度的靜態(tài)耗電約為5?10微安培;當(dāng)溫度升高到攝氏85度時(shí),靜待電流將會(huì)飆高到50~100微安培;而若采用低功耗制程,在攝氏85度時(shí),靜態(tài)電流僅約10微安培。



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