芯片設(shè)計(jì)問題須知及設(shè)計(jì)策略

　　3．執(zhí)行無厚度和寬度變化的寄生阻抗提取。這會(huì)讓提取產(chǎn)生錯(cuò)誤，導(dǎo)致電流密度計(jì)算的錯(cuò)誤。

　　4．在增加金屬填料之前就通過厚度計(jì)算執(zhí)行寄生提取。正確的步驟是首先插入金屬填料，再改變寬度和厚度來執(zhí)行提取。

　　5．不采用通孔雙置。由于應(yīng)力遷移（Stress migration）可能導(dǎo)致通孔中沉積的金屬更少，這會(huì)增大不良通孔中的阻抗，使電流密度更高。

　　6．使用平坦仿真引擎（flat simulation engine）。利用分層架構(gòu)將大幅度改善仿真時(shí)間，減少內(nèi)存使用。

　　7．計(jì)算電流密度時(shí)忽略晶體管效應(yīng)。由于流經(jīng)一個(gè)網(wǎng)格的電流量取決于寄生參數(shù)及相關(guān)元件，故在執(zhí)行EM分析時(shí)進(jìn)行晶體管級(jí)的仿真是很重要的。