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          高介電常數(shù)柵電介質/金屬柵極的FA CMP技術

          作者: 時間:2013-05-27 來源:網絡 收藏
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            結論

            良好的WID、WIW和WTW厚度控制是制造基于HKMG技術的高性能邏輯芯片的關鍵。ILD0化學機械研磨工藝利用對不同尺寸大小和密度的芯片結構均提供優(yōu)異的表面形貌和平坦度控制,并且通過使用FullVision實時終點控制系統(tǒng)進一步確保穩(wěn)定的WTW厚度控制。


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