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          不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)

          作者: 時間:2013-01-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。常見電路有耗能式和回饋式緩沖電路。回饋式又有無源式和有源式兩種,詳細電路設(shè)計可參見所選用器件的技術(shù)手冊。

            橋臂共導(dǎo)損壞

            在UPS 中,逆變橋同臂支路兩個驅(qū)動必須是互鎖的,而且應(yīng)該設(shè)置死區(qū)時間(即共同不導(dǎo)通時間)。如果發(fā)生共導(dǎo), 會迅速損壞。在控制電路應(yīng)該考慮到各種運行狀況下的驅(qū)動問題控制時序問題。

            過熱損壞

            可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強制風(fēng)扇制冷,設(shè)置過溫度保護等方法來解決過熱損壞的問題。

            此外還要注意安裝過程中的靜電損壞問題,操作人員、工具必須進行防靜電保護。

            5. 結(jié)論

             兼具有功率MOSFET 和GTR 的優(yōu)點,是UPS 中的充電、旁路開關(guān)、逆變器,整流器等功率變換的理想器件。

            只有合理運用,并采取有效的保護方案,才可能提高IGBT 在UPS 中的可靠性。

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          關(guān)鍵詞: 不間斷 電源 IGBT

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