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          MAX2640低噪聲放大器(LNA)的S參數(shù)測(cè)量和穩(wěn)定性分析

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          作者: 時(shí)間:2007-01-26 來(lái)源:《Maxim公司》 收藏
           

           

           

           

           

           

          注:輸入功率為每音調(diào)-30dbm


          圖1. max2640 lna應(yīng)用于315mhz時(shí)的頻率特性

          s參數(shù)測(cè)量
          測(cè)試環(huán)境的建立
          對(duì)max2640進(jìn)行s參數(shù)測(cè)量時(shí)使用了兩套評(píng)估板和一個(gè)網(wǎng)絡(luò)分析儀(hp8753d)。將第一套評(píng)估板(kit #1)的ic去掉用于校準(zhǔn),利用第二套評(píng)估板(kit #2)進(jìn)行實(shí)際測(cè)量,該套評(píng)估板保留了ic,但無(wú)匹配元件。
          對(duì)雙口網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行了完整的校準(zhǔn)操作,校準(zhǔn)范圍包括與網(wǎng)絡(luò)分析儀相連接的電纜。
          當(dāng)我們測(cè)量第二套評(píng)估板(kit #2)上不帶匹配元件時(shí)ic的s參數(shù)時(shí),將短接線放置到了第一套評(píng)估板(kit #1)上max2640輸入和輸出引腳的焊接位置。(參見圖2)
          調(diào)整網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口延時(shí),使315mhz時(shí)輸入端和輸出端的阻抗都盡可能接近于短路狀態(tài)。此時(shí),我們就可以利用該校準(zhǔn)在第二套評(píng)估板(kit #2)上的max2640器件引腳處進(jìn)行s參數(shù)測(cè)量。
          然后修改第一套評(píng)估板(kit #1),將上面的短接線移置到上次匹配元件的放置點(diǎn)。再一次調(diào)整網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口延時(shí),使315mhz時(shí)輸入端和輸出端的阻抗都盡可能接近短路狀態(tài)。
          接著將匹配元件放回到第二套評(píng)估板(kit #2)上,對(duì)評(píng)估板上帶有匹配元件的ic進(jìn)行s參數(shù)測(cè)量。
          為了證實(shí)僅測(cè)試ic時(shí)(上述步驟3) s參數(shù)的正確性,將所測(cè)得的s參數(shù)導(dǎo)入ads (微波仿真軟件),并在所建模型中加入匹配元件和傳輸線。同時(shí)為了模擬板上存在的寄生效應(yīng),在模型的輸入引腳和輸出引腳加一只0.5pf電容。(見附錄中圖18的ads仿真圖。)然后將所建立模型的仿真性能曲線與評(píng)估板上帶有匹配元件時(shí)所測(cè)得的ic s參數(shù)(上述步驟5)進(jìn)行比較。


          圖2. 用于max2640的s參數(shù)測(cè)量的校準(zhǔn)電路

          測(cè)試結(jié)果
          圖3至圖8曲線標(biāo)注定義如下:

          max2640_epcos_1ghz_simulation:只對(duì)工作臺(tái)上不帶匹配元件的ic進(jìn)行了測(cè)量,利用所測(cè)得的s參數(shù)進(jìn)行仿真,并在ads的仿真模型中加入了匹配元件。
          max2640_epcos_1ghz_bench:在評(píng)估板上加入了匹配元件后再對(duì)ic進(jìn)行s參數(shù)測(cè)量。


          圖3. 仿真和性能測(cè)試s11 (db)的比較
          圖4. 仿真和性能測(cè)試s11 (相位)的比較
          圖5. 仿真和性能測(cè)試s22 (db)的比較
          圖6. 仿真和性能測(cè)試s22 (相位)的比較
          圖7. 仿真和性能測(cè)試s21 (db)的比較
          圖8. 仿真和性能測(cè)試s21 (相位)的比較 上述數(shù)據(jù)表明所進(jìn)行的兩個(gè)測(cè)試中,幅值和相位性能都非常接近。除去微小的頻率偏移,仿真結(jié)果(利用不帶匹配元件的ic的測(cè)試s參數(shù)建立模型,并在ads模型中加入匹配元件后對(duì)模擬工作臺(tái)進(jìn)行仿真測(cè)量)非常接近于實(shí)際性能測(cè)試(在評(píng)估板上加入匹配元件后,對(duì)實(shí)際性能進(jìn)行測(cè)試)。所以可以得到這樣的結(jié)論:對(duì)max2640進(jìn)行測(cè)量所得的s參數(shù)是可靠的,可用于仿真和穩(wěn)定性分析。

          注:評(píng)估板上加入匹配元件后進(jìn)行測(cè)試時(shí),不能測(cè)試參數(shù)s12。因?yàn)樾盘?hào)的幅值很低,導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)分析儀不能精確測(cè)量。所以上面的圖表中沒有s12的幅值和相位曲線。


          穩(wěn)定性分析
          為了進(jìn)行max2640的穩(wěn)定性分析,我們按照上述同樣的步驟對(duì)100mhz到5ghz之間的s參數(shù)進(jìn)行了測(cè)量。包括如下三個(gè)測(cè)試實(shí)例:第一,max2640的vcc引腳和去耦電容之間存在9mm長(zhǎng)的傳輸線;第二,電容盡可能的靠近vcc引腳放置;第三,電容放置在相距vcc引腳5mm處。
          第一個(gè)測(cè)試實(shí)例
          我們將去耦電容放置在了距離max2640的vcc引腳9mm遠(yuǎn)處。傳輸線寬度是42mil。這是一個(gè)具有50受控阻抗的四層電路板,介質(zhì)材料是fr4,1oz覆銅,介電常數(shù)約為4.5。頂層和內(nèi)部地層(第二層)之間的介質(zhì)厚度是24mil。利用這些信息可以仿真得到vcc引腳處的電感值,在315mhz時(shí)仿真結(jié)果大約為j5.5,相當(dāng)于2.5nh電感。圖9顯示了只針對(duì)ic進(jìn)行的穩(wěn)定性測(cè)試、穩(wěn)定系數(shù)、源端穩(wěn)定系數(shù)和負(fù)載端穩(wěn)定系數(shù)。圖10是源端穩(wěn)定性圓圖和負(fù)載端穩(wěn)定性圓圖。


          圖9. 第一個(gè)測(cè)試實(shí)例的穩(wěn)定性測(cè)試、穩(wěn)定系數(shù)、源端穩(wěn)定系數(shù)和負(fù)載端穩(wěn)定系數(shù)
          圖10. 第一個(gè)測(cè)試實(shí)例的源端穩(wěn)定性圓圖和負(fù)載端穩(wěn)定性圓圖

          第二個(gè)測(cè)試實(shí)例

          在該實(shí)例中,電容盡可能靠近vcc引腳放置。此時(shí),傳輸線的寬度是40mil,315mhz時(shí)感應(yīng)系數(shù)值大約為j0.6,相當(dāng)于0.3nh電感。下圖11顯示了穩(wěn)定性測(cè)試、穩(wěn)定系數(shù)、源端穩(wěn)定系數(shù)和負(fù)載端穩(wěn)定系數(shù)。圖12表示的是源端穩(wěn)定性圓圖和負(fù)載端穩(wěn)定性圓圖。


          圖11. 第二個(gè)測(cè)試實(shí)例的穩(wěn)定性測(cè)試、穩(wěn)定系數(shù)、源端穩(wěn)定系數(shù)和負(fù)載端穩(wěn)定系數(shù)
          圖12. 第二個(gè)測(cè)試實(shí)例的源端穩(wěn)定性圓圖和負(fù)載端穩(wěn)定性圓圖

          第三個(gè)測(cè)試實(shí)例

          現(xiàn)在我們將去耦電容放置在相距max2640的vcc引腳5mm遠(yuǎn)處。傳輸線寬度是42mil,315mhz時(shí)大約為j3,相當(dāng)于1.5nh電感。圖13顯示了只針對(duì)ic進(jìn)行的穩(wěn)定性測(cè)試、穩(wěn)定系數(shù)、源端穩(wěn)定系數(shù)和負(fù)載端穩(wěn)定系數(shù)。


          圖13. 第三個(gè)測(cè)試實(shí)例的穩(wěn)定性測(cè)試、穩(wěn)定系數(shù)、源端穩(wěn)定系數(shù)和負(fù)載端穩(wěn)定系數(shù)

          由以上幾個(gè)圖可知,在整個(gè)測(cè)試頻率范圍內(nèi),三個(gè)測(cè)試實(shí)例的穩(wěn)定性系數(shù)均大于1。符合無(wú)條件穩(wěn)定要求。而且,穩(wěn)定性圓圖在整個(gè)測(cè)試頻率范圍內(nèi)也都在史密斯圓圖的外部。

          第一個(gè)測(cè)試實(shí)例的數(shù)據(jù)表明,在2.5ghz到4.5ghz的頻率范圍內(nèi),穩(wěn)定性系數(shù)絕對(duì)大于1,但是在5ghz時(shí)接近于1。這表明max2640在5ghz以上時(shí)是有條件地穩(wěn)定的。但是第二個(gè)測(cè)試實(shí)例的穩(wěn)定性系數(shù)卻是在2.5ghz到4.5ghz的頻率范圍內(nèi)接近于1,而在5ghz時(shí)絕對(duì)大于1。這意味著該測(cè)試條件下的max2640器件在2.5ghz到4.5ghz的頻率范圍內(nèi)是有條件穩(wěn)定的。在第三個(gè)測(cè)試實(shí)例中,我們將電容放置在了與vcc引腳相距5mm遠(yuǎn)處。所測(cè)得的穩(wěn)定性系數(shù)在2.5ghz到4.5ghz的頻率范圍內(nèi)絕對(duì)大于1,在5ghz時(shí)也比1大很多。

          通過(guò)以上分析,我們可以得出結(jié)論:為了保證器件的穩(wěn)定性,去耦電容的最佳放置位置是距vcc引腳4mm到5mm處。


          原理圖和匹配網(wǎng)絡(luò)
          綜上所述,我們使用一臺(tái)標(biāo)準(zhǔn)的網(wǎng)絡(luò)分析儀(hp8753d)對(duì)315mhz時(shí)max2640低噪聲放大器(lna)的輸入/輸出端進(jìn)行了s參數(shù)測(cè)量,并通過(guò)反復(fù)的仿真和測(cè)量確定了最佳阻抗匹配電路。該器件在315mhz時(shí)的性能和所需匹配適用于汽車無(wú)線門禁系統(tǒng)。為了得到最好的增益和噪聲系數(shù),對(duì)匹配進(jìn)行優(yōu)化,最優(yōu)阻抗匹配電路如圖14和圖15所示。
          圖14. max2640工作在315mhz時(shí)的評(píng)估板原理圖

          max2640 低噪聲放大器(lna)的材料清單


          圖15. 低噪聲放大器(lna)工作在315mhz時(shí)輸入端與輸出端的匹配網(wǎng)絡(luò)

          下面是低噪聲放大器(lna)增益和三階輸入交調(diào)截取點(diǎn)(iip3)的測(cè)量環(huán)境的建立(見圖16)。

          利用標(biāo)準(zhǔn)的雙音互調(diào)對(duì)三階輸入交調(diào)截取點(diǎn)(iip3)進(jìn)行測(cè)試。
          將兩個(gè)射頻信號(hào)發(fā)生器通過(guò)一個(gè)功率合成器連接到低噪聲放大器(lna)的輸入端。
          設(shè)置第一臺(tái)信號(hào)發(fā)生器(hp8648b)使其產(chǎn)生314.5mhz的信號(hào),使第二臺(tái)信號(hào)發(fā)生器(hp8648b)產(chǎn)生315.5mhz的信號(hào)(相距1mhz),雙音測(cè)量均在-30dbm功率下產(chǎn)生。
          利用一臺(tái)頻譜分析儀(agilent 8562ec)來(lái)測(cè)量增益以及低噪聲放大器(lna)輸出端所需音頻和三階交調(diào)失真之間的差異。
          我們利用這些測(cè)量結(jié)果以及每一音調(diào)的輸入功率就可以找到低噪聲放大器(lna)的三階輸入交調(diào)截取點(diǎn)(iip3)。


          圖16. 低噪聲放大器(lna)增益和三階輸入交調(diào)截取點(diǎn)(iip3)的測(cè)量裝置

          噪聲系數(shù)測(cè)量環(huán)境的建立

          利用一臺(tái)噪聲系數(shù)分析儀(agilent n8973a)和噪聲源(hp346a)進(jìn)行低噪聲放大器(lna)噪聲系數(shù)的測(cè)試。測(cè)試框圖如下圖17所示。


          圖17. 噪聲系數(shù)測(cè)量裝置

          附錄:ads仿真原理圖


          圖18. ads仿真

           


          關(guān)鍵詞: 模擬IC 電源

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