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          MOSFET柵漏電流噪聲分析
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2012-10-29
				來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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			TH: 0px; MAX-WIDTH: 90%; BORDER-RIGHT-WIDTH: 0px; border-image: initial" height=26 alt=公式 src="http://www.elecfans.com/uploads/allimg/111019/1134143Q2-3.jpg" width=24>
          為與靜電勢(shì)ψ(y)相關(guān)的柵電流，IG的雅可比矩陣，Gψ(x，x1)為氧化層x1處的單位電荷在氧化層x處的電勢(shì)ψ(x)的格林函數(shù)。
          　　氧化層中的陷阱可發(fā)射載流子至溝道或從溝道中俘獲載流子。對(duì)于近二氧化硅/多晶硅界面捕獲的載流子，若其再發(fā)射，進(jìn)入多晶硅柵，應(yīng)用朗之萬(wàn)方程，假定產(chǎn)生幾率不受再發(fā)射過(guò)程的影響，則單位體積內(nèi)占據(jù)陷阱數(shù)量漲落的譜密度為
          　　
          公式
          　　其中，
          公式
          　　
          柵電流分量示意圖
          　　由BSIM4提出的簡(jiǎn)易MOS模型的柵極電流分量模型
          　　
          公式
          　　其中，JG是柵極電流密度，L是溝道長(zhǎng)度，W是溝道寬度，x是沿溝道的位置(源極處x=0，漏極處x=L)，IGS和IGD是柵極電流的柵/源和柵/漏分量。通過(guò)線性化柵電流密度與位置的關(guān)系，簡(jiǎn)化這些等價(jià)噪聲電流分析表達(dá)式，所得的總柵極電流噪聲表達(dá)式為
          　　
          公式
          
				
          
					
					
		  			
		  			
					
				
          
			
          
                
			
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          關(guān)鍵詞：
            			            MOSFET
                        柵漏電流
                        噪聲分析
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
          評(píng)論
          					
		
          
		
          
			
          
			
				
          
					
					
          
						
                        
					
          
				
          
                		
						
						
			
          
		
          
		
          
		
          
            
			
            
		
          
	
          
	
          
	
          
		

          
	
          
		
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