差分放大器的不匹配效應(yīng)及其消除

隨著微電子制造業(yè)的發(fā)展，制作高速、高集成度的CMOS電路已迫在眉睫。在短溝道CMOS電路中由于不匹配性引起的特性變化可能會(huì)限制器件尺寸的減小而影響工藝水平的發(fā)展，這樣不匹配性的消除就顯得更重要。

　　1 差分放大器性能

　　差分放大器的目的是抑制共模輸出，增大差模輸出。期望差模輸出電壓隨差模輸入電壓的變化而成比例變化。任意信號(hào)中的共模輸入部分在電路中必須受到抑制。在理想對(duì)稱的差分放大器中，每邊的輸出值都等于另外一邊的輸出值。當(dāng)Vi1=-Vi2時(shí)，有Vo1=-Vo2，此時(shí)放大器是理想對(duì)稱的。換言之，當(dāng)輸入是理想的差模電壓(Vic=0)時(shí)，輸出也是純粹的差模形式的電壓(Voc=0)，因此Adm-cm=0。類似的，當(dāng)只輸入共模電壓(Vid=0)時(shí)，Acm-dm=0。但是，即使在理想對(duì)稱的差分放大器中，也不可能做到Acm=0。何況，即使標(biāo)稱相同的器件也會(huì)因?yàn)橹圃旃に嚨脑?，存在有限的不匹?失配)。因此非理想差分放大器本身還存在不匹配現(xiàn)象。

　　差分放大器性能的一個(gè)重要方面就是所能檢測(cè)到的最小直流和交流差模電壓。放大器的不匹配效應(yīng)和溫漂都在輸出端產(chǎn)生了難以區(qū)分的直流差模電壓。同樣，不匹配效應(yīng)和溫漂會(huì)使非零的共模輸入一差模輸出增益非零的差模輸入一共模輸出增益增大。非零的Acm-dm對(duì)于放大器尤其重要，因?yàn)樗鼘⒐材］斎腚妷恨D(zhuǎn)換為差模輸出電壓，但在下一級(jí)輸入時(shí)，卻被當(dāng)作差模電壓信號(hào)。

　　如圖1所示，當(dāng)Vin=0，且完全對(duì)稱，Vout=0，但在失配存在的情況下，Vout≠0。對(duì)于差分放大器來說，不匹配效應(yīng)對(duì)直流性能的影響主要在兩個(gè)方面：輸人失調(diào)電壓和輸入失調(diào)電流，這兩個(gè)參量描述了差分放大器中直流性能的一些輸入?yún)⒖夹?yīng)。如圖2所示，一個(gè)匹配的放大器的直流特性和一個(gè)失調(diào)電壓源串聯(lián)在輸入端、失調(diào)電流源并聯(lián)在輸入端的時(shí)理想放大器的直流特性完全一致。只有當(dāng)這兩個(gè)參量都存在的情況下，失調(diào)模型才是正確的。

　　2 工藝消除失配

　　將處在飽和區(qū)的MOS管的特性表述為：

1/2μCoxW/L(VGS-VTH)2。對(duì)于兩個(gè)標(biāo)稱相同的晶體管，μ,Cox，W，L以及VTH之間的失配導(dǎo)致了漏極電流的失配(VGS固定)或柵源電壓的失配(漏極電流固定)。直觀上可以認(rèn)為，隨著W與L的增加，他們的相對(duì)失配，△W/W與△L/L會(huì)分別減小，也就是越大的器件表現(xiàn)出越小的失配。一個(gè)更重要的觀察結(jié)果是，隨著晶體管面積(W/L)的增加，所有的失配都減小。例如，增大W會(huì)使△W/W與△L/L都減小。這是因?yàn)殡S著WL，的增加，隨機(jī)變化經(jīng)歷更大的“求平均”過程，因此其幅值下降了。對(duì)于圖3所示的情況，有△L2△L1。這是因?yàn)?，如果該器件被看成許多小晶體管的并聯(lián)，如圖3所示，若每一個(gè)寬度為W0，那么可以得出等效長度為：