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          差分放大器的不匹配效應(yīng)及其消除
          
						
          
				作者：
				時間：2012-10-29
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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          公式
          　　
          由于寬度的增加而使長度不匹配減小
          　　式中：△L0是寬為W0的晶體管長度變化的統(tǒng)計值。等式表明，對于給定的W0，隨著n的增加，Leq的變化減小，如圖4所示。
          　　
          寬的MOSFET被看成窄器件的關(guān)聯(lián)
          　　上述結(jié)論也可以擴展到其他器件參數(shù)。例如，假定：器件面積增加，μCox與VTH有更小的失配。如圖5所示，理由是，大尺寸晶體管可以分解為寬長分別為W0和L0小單元晶體管的串并聯(lián)。其中，每個單元都呈現(xiàn)出(μCox)j與VTHj。對于給定的W0與L0，μCox與VTH經(jīng)歷更大的平均過程，致使大尺寸晶體管之間的失配更小。
          　　
          大尺寸MOSFET可看成小尺寸器件的組合
          　　3 版圖方法減少失配
          　　針對電路設(shè)計中，特別是全差動電路中的不對稱而產(chǎn)生的電路失調(diào)，盡管有些失配是不可避免的，但是在版圖設(shè)計中，可通過器件對稱設(shè)計，使晶體管方面優(yōu)化，對所關(guān)心的器件及周圍環(huán)境進(jìn)行對稱性設(shè)計，盡量減少因工藝制造原理而引起的失配。
          　　如圖6(a)所示，如果兩個MOS管按圖6(b)那樣沿不同方法放置，由于在光刻及圓片加工的許多步驟中沿不同軸向的特性大不一樣，就會產(chǎn)生很大失配。因而圖6(c)和(d)的方案更合理一些。這兩者的選擇是由一種稱作“柵陰影”的細(xì)微效應(yīng)決定的。
          　　
          版圖上的對稱性設(shè)計
          
				
          
					
					
		  			
		  			
					
				
          
			
          
                
			
								
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                        放大器
                        不匹配效應(yīng)
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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