D類音頻功率放大器設(shè)計基礎(chǔ)
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4、 D類功放中MOSFET的選擇
在功放中要達(dá)到高性能的關(guān)鍵因素是功率橋電路中的開關(guān)。在開關(guān)過程中產(chǎn)生的功率損耗、死區(qū)時間和電壓、電流瞬時毛刺等都應(yīng)該盡可能的最小化來改善功放的性能。因此，在這種功放中開關(guān)要做到低的電壓降，快速的開關(guān)時間和低雜散電感。
由于MOSFET開關(guān)速度很快，對于這種功放它是你最好的選擇。它是一個多數(shù)載流子器件，相對于IGBT和BJT它的開關(guān)時間比較快，因而在功放中有比較好的效率和線性度。而MOSFET的選擇是基于功放規(guī)格而定。因而在選擇器件以前要知道輸出功率和負(fù)載阻抗(如100W 8Ω)，功率電路拓?fù)?如半橋梁或全橋)，調(diào)制度(如89%—90%)。
5、 MOSFET中的功率損耗
功率開關(guān)中的損失在AB線性功放和D類功放之間是截然不同的。首先看一下在線性AB功放中的損耗,其損耗可以定義如下：
K是母線電壓與輸出電壓的比率。
對于線性功放功率器件損耗，可以簡化成下面的公式：
需要說明的是AB功放功率損耗與輸出器件參數(shù)無關(guān)。
現(xiàn)在一起看一下D類功放的損失，在輸出器件中的全部損耗如下：
Ptotal=Psw+Pcond+Pgd
Psw是開關(guān)損耗
Pcond是導(dǎo)通損耗，
Pgd是柵極驅(qū)動
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