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          集成高速串行接口的EMI濾波及ESD保護(hù)問(wèn)題

          作者: 時(shí)間:2011-12-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          近年來(lái),智能手機(jī)已經(jīng)成為整體手機(jī)市場(chǎng)中增長(zhǎng)速度最快的領(lǐng)域。對(duì)于智能手機(jī)而言,在連接顯示屏、攝像頭及數(shù)據(jù)端口I/O的接口方面,正越來(lái)越多地通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)提供差分信令。這些標(biāo)準(zhǔn)有如移動(dòng)行業(yè)處理器接口(MIPI?)、通用串行總線(xiàn)(USB)、高清多媒體接口(HDMI)及移動(dòng)高清連接(MHL)等,它們支持的數(shù)據(jù)傳輸速率比傳統(tǒng)的并行接口高得多,而且減少線(xiàn)路數(shù)量、配合采用更高像素的攝像頭及更高分辨率的顯示屏,從而優(yōu)化用戶(hù)體驗(yàn)。此外,也支持更低工作電壓,幫助減少耗電量及延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。

            集成串行接口的挑戰(zhàn)

            雖然采用串行接口既支持高數(shù)據(jù)率,又滿(mǎn)足當(dāng)代智能手機(jī)設(shè)計(jì)的空間限制,但集成串行接口也會(huì)帶來(lái)不少挑戰(zhàn)。首當(dāng)其沖的便是電磁干擾()挑戰(zhàn),因?yàn)槎鄺l射頻及時(shí)鐘線(xiàn)路與接口耦合,會(huì)產(chǎn)生串?dāng)_。其次,集成串行接口時(shí),復(fù)雜的剛性及柔性電路板布線(xiàn)會(huì)影響串行接口性能。此外,需要提供高信號(hào)完整性;如果信號(hào)完整性較差,會(huì)導(dǎo)致手機(jī)通話(huà)掉線(xiàn)、數(shù)據(jù)傳輸中斷及用戶(hù)體驗(yàn)較差。當(dāng)然,如今智能手機(jī)中也在使用采用更精微幾何尺寸工藝制造的芯片組,而這些芯片組更易于在發(fā)生靜電放電()事件時(shí)遭受損傷。

            現(xiàn)有抑制方法及問(wèn)題所在

            由于在智能手機(jī)設(shè)計(jì)中集成高速串行接口存在上述挑戰(zhàn),設(shè)計(jì)人員就需要采取適當(dāng)?shù)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/EMI">EMI抑制及保護(hù)方案。我們先來(lái)審視EMI抑制問(wèn)題。

            實(shí)際上,對(duì)于高速串行接口而言,差分信令已經(jīng)成為其事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。與使用單端信號(hào)的相同接口相比,差分信令提供更強(qiáng)的噪聲抑制。圖1左側(cè)中接收器作為基本的差分放大器,顯示了差分信令的基本優(yōu)勢(shì)。由于兩路差分信號(hào)呈180°異相,反相信號(hào)又被差分放大器反相后,兩路差分信號(hào)在放大器輸出端累加。圖1右側(cè)顯示的是差分放大器輸入相同的信號(hào)。它們稱(chēng)作共模信號(hào),因?yàn)榻邮掌鞯膬陕份斎胄盘?hào)相同。這類(lèi)信號(hào)可能是手機(jī)功率放大器與數(shù)據(jù)線(xiàn)路通過(guò)對(duì)線(xiàn)路直接輻射或?qū)Φ伛詈隙a(chǎn)生的耦合導(dǎo)致的射頻(RF)干擾造成的。這時(shí)差分放大器將消減共模信號(hào),如圖所示。

            

          圖1:差分信令示意圖

            圖1:差分信令示意圖

            無(wú)源共模器通過(guò)變壓器耦合電感的動(dòng)作提供類(lèi)似的共模及差模特性,如圖2所示。在圖左側(cè),輸入電流波形呈180°異相,用于傳輸差分信令。此電流與另一個(gè)線(xiàn)圈的感應(yīng)電流同相,故僅會(huì)這線(xiàn)圈的串聯(lián)阻抗削弱。圖右側(cè)顯示的是耦合電感輸入的共模或同相電流波形。

            

          圖2:共模濾波(180°異相及同相)

            圖2:共模(180°異相及同相)

            上述使用共模器(CMF)的無(wú)源濾波就是一種現(xiàn)有的EMI抑制方法,使高速差分信號(hào)能夠通過(guò)濾波器,而不會(huì)影響信號(hào)完整性。差分信令衍生的共模噪聲得到衰減,防止噪聲與智能手機(jī)和無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)之間的數(shù)據(jù)及語(yǔ)音通信產(chǎn)生干擾。對(duì)于移動(dòng)手持設(shè)備而言,濾除蜂窩射頻工作頻率的共模噪聲尤為重要,因?yàn)楣材k娏鞯妮椛鋱?chǎng)強(qiáng)度會(huì)隨著頻率而線(xiàn)性增加。因此,如果沒(méi)有恰當(dāng)濾除共模噪聲,手機(jī)中易受高頻噪聲影響的任何傳輸線(xiàn)路都可能是電磁干擾源。這種無(wú)源共模濾波方法明顯減輕了干擾程度,而且對(duì)信號(hào)完整性不會(huì)有重大影響,而這對(duì)智能手機(jī)的普及尤為重要。

            

          圖3:共模濾波

            圖3:共模濾波

            但對(duì)無(wú)源共模濾波方案而言,還是會(huì)滋生問(wèn)題信號(hào)完整性?;阼F氧體及陶瓷的方案擁有相當(dāng)淺的共模噪聲衰減曲線(xiàn),并不能強(qiáng)效地抑制700 MHz至2,500 MHz蜂窩射頻頻段的噪聲。不僅如此,基于鐵氧體的共模濾波器會(huì)衰減低頻噪聲,但在較高頻率時(shí)衰減噪聲能力會(huì)退化,造成蜂窩射頻頻段的噪聲污染。其次,還有機(jī)械強(qiáng)固性問(wèn)題?;阼F氧體及陶瓷的方案的構(gòu)造及封裝會(huì)使用鐵氧體或低溫共燒陶瓷(LTCC)作為構(gòu)建線(xiàn)圈的襯底?;谳^大鐵氧體及陶瓷構(gòu)建的方案性能最佳,但會(huì)占用大部分的電路板面積。基于較小鐵氧體的方案衰減的共模噪聲較少。此外,某些基于陶瓷或鐵氧體的方案并未在其共模濾波器陣列中集成保護(hù)功能,或者使用的是基于壓敏電阻的保護(hù)方案,不能完好地保護(hù)接口及基帶或應(yīng)用處理器。

            差分信令通常出現(xiàn)在多對(duì)線(xiàn)路中。以HDMI信令為例,有4條數(shù)據(jù)通道,表示有4對(duì)共模濾波器。MIPI差分信令、相機(jī)串行接口(CSI)及顯示屏串行接口(DSI)要求最少2對(duì)差分信令(1對(duì)用于傳輸數(shù)據(jù),1對(duì)傳輸數(shù)據(jù)接口的時(shí)鐘信號(hào))。

            基于鐵氧體或陶瓷的共模濾波器方案通過(guò)提供更大的LTCC襯底及將多對(duì)共模濾波器置于一起,解決了多對(duì)線(xiàn)路的共模濾波問(wèn)題。增大襯底能夠適應(yīng)并排多個(gè)共模濾波器的需要,但也會(huì)帶來(lái)機(jī)械強(qiáng)固性問(wèn)題。鐵氧體及LTCC襯底易碎,發(fā)生偶然墜落等事件時(shí),可能遭受毀滅性損壞。鐵氧體或LTCC襯底也可能會(huì)出現(xiàn)破裂,損壞共模濾波器結(jié)構(gòu)的核心,致使元件不能用于EMI抑制或ESD濾波。

          傳統(tǒng)共模濾波器在商業(yè)溫度范圍內(nèi)(特別是在+85℃時(shí))也會(huì)出現(xiàn)性能問(wèn)題。溫度升高時(shí),鐵芯飽和,阻抗增加,濾波性能發(fā)生變化。而在功率放大器工作及無(wú)線(xiàn)設(shè)備在蜂窩系統(tǒng)中通信時(shí),智能手機(jī)內(nèi)部溫度可能高達(dá)+85℃。

            基于鐵芯或陶瓷襯底的傳統(tǒng)共模濾波器的尺寸相對(duì)較大,目的單一(即共模濾波)。它們抑制EMI,但從節(jié)省空間或成本的角度而言,并不高效,而且不足以解決ESD保護(hù)問(wèn)題,而ESD保護(hù)是使用最新基帶及應(yīng)用處理器的智能手機(jī)的一項(xiàng)關(guān)鍵問(wèn)題。這些器件的性?xún)r(jià)比、電路板空間/性能比并不具備吸引力。

            集成EMI抑制及ESD保護(hù)的途徑

            如果智能手機(jī)持續(xù)演進(jìn),傳統(tǒng)共模濾波器就會(huì)成為束縛,這些產(chǎn)品的復(fù)雜度及能夠支持的功能就會(huì)存在局限。但有利的是,業(yè)界開(kāi)發(fā)出了創(chuàng)新的半導(dǎo)體技術(shù),使手機(jī)制造商能夠提供豐富功能的智能手機(jī)。硅濾波器的出現(xiàn),能夠幫助智能手機(jī)設(shè)計(jì)持續(xù)進(jìn)步。安森美半導(dǎo)體率先意識(shí)到了從并行接口到串行接口的過(guò)渡,開(kāi)發(fā)出了集成EMI抑制及ESD保護(hù)的串行接口硅方案產(chǎn)品線(xiàn)。安森美半導(dǎo)體運(yùn)用為低通濾波器產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的構(gòu)建銅鋁(copper over aluminum)電感工藝中獲得的專(zhuān)知,擴(kuò)展了這種工藝,創(chuàng)建出嵌入在硅襯底中的共模濾波器線(xiàn)圈,能夠有效地抑制共模噪聲,同時(shí)對(duì)差分信令的影響甚微,使差分信號(hào)事實(shí)上順暢無(wú)陰地通過(guò)。

            將不同的單獨(dú)裸片共同封裝在一起,能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)提供一種總體方案,提供強(qiáng)固的噪聲抑制及ESD保護(hù)能力,適用于最流行的接口,如USB、MIPI、DSI、CSI及HDMI等。后續(xù)還會(huì)衍生出將這些共模濾波器結(jié)構(gòu)構(gòu)建在極低電容ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)上的新方案,進(jìn)一步提升集成度及簡(jiǎn)化制造流程。

            

          圖4:硅共模濾波器制造流程

            圖4:硅共模濾波器制造流程

            安森美半導(dǎo)體身為應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商,為了應(yīng)對(duì)智能手機(jī)等便攜設(shè)備高速串行接口的EMI抑制及ESD保護(hù)需求,推出了集成了ESD保護(hù)的EMI2121、EMI4182及EMI4183等新的硅共模濾波器,用于抑制噪聲及提供高信號(hào)完整性,除了適合智能手機(jī),還可用于平板電腦、無(wú)線(xiàn)連接底座、數(shù)碼攝像機(jī)及機(jī)頂盒和DVD播放機(jī)等應(yīng)用。這些新的共模濾波器不同于傳統(tǒng)的EMI濾波器,乃是基于硅片制造,更適合以更深度及更高頻率抑制EMI,非基于陶瓷或鐵氧體的方案可比。這些集成ESD保護(hù)及EMI抑制功能的新器件,比競(jìng)爭(zhēng)方案節(jié)省空間多達(dá)50%,從而可以可觀的節(jié)省物料單(BOM),且為無(wú)線(xiàn)手機(jī)設(shè)計(jì)人員提供了整體(turnkey)解決方案。

          EMI2121是單對(duì)共模濾波器,EMI4182是雙對(duì)共模濾波器,EMI4183是三對(duì)共模濾波器,全都提供500 MHz時(shí)典型值15 dB的共模抑制,及500 MHz時(shí)典型值僅1.0 dB的插入損耗。它們的


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