集成高速串行接口的EMI濾波及ESD保護問題

　　表1：安森美半導(dǎo)體硅共模濾波器

　　值得一提提，將ESD保護構(gòu)建在共模濾波器襯底中并不會明顯降低信號完整性等級，能夠針對重復(fù)出現(xiàn)的ESD事件提供保護。這些更高集成度器件的占位面積比基于傳統(tǒng)線圈的共模濾波器(在500 MHz及3 GHz截止頻率時共模抑制比為15 dB)小，性能相當(dāng)，但覆蓋的噪聲抑制頻率范圍要大多得。這些硅共模濾波器的關(guān)鍵特性包括智能手機手機通信頻率范圍的寬帶衰減。設(shè)計人員在始于700 MHz的頻率能夠獲得-25 dB的共模衰減，而這是LTE及4G通信的重要頻率。

　　此外，這些硅共模濾波器的ESD保護動作非?？欤軌蛱峁?5 kV接觸放電的ESD保護，優(yōu)于反應(yīng)動作更慢的壓敏電阻ESD保護方案。壓敏電阻較慢的響應(yīng)時間會使接口的電壓更高，可能損壞ESD器件旨在保護的產(chǎn)品。在0.5 mm間距的塑料封裝中，這些硅共模濾波器與最流行的接口標(biāo)準(zhǔn)兼容及匹配，能夠通過HDMI 1080p 24位全彩色信號，而不會損及信號質(zhì)量。

　　圖5：安森美半導(dǎo)體EMI4182硅共模濾波器在HDMI 1.4環(huán)境下的信號完整性演示

　　總結(jié)

　　安森美半導(dǎo)體推出了集成共模EMI濾波和ESD保護的系列高集成度IC，如EMI2121、EMI4182及EMI4183等。與基于鐵氧體或陶瓷的共模濾波器相比，這種高集成IC在無線頻譜范圍內(nèi)為手機頻率提供更深的衰減曲線，配合智能手機及數(shù)碼相機等應(yīng)用的高帶寬連接需求，同時提升系統(tǒng)可靠性、減少元件數(shù)量及降低成本。