LED芯片及封裝設(shè)計與生產(chǎn)動態(tài)

LED產(chǎn)商Epistar展示了他們關(guān)于能讓冷白色（5000k）LED達到162Lm/W的高電壓LED芯片的研究結(jié)果。

　　該芯片被描述為一個單片集成，直流多陣列的高電壓應(yīng)用LED芯片。 Epistar預(yù)計這個產(chǎn)品將成為普通照明的主流產(chǎn)品。

　　通過20 mA的驅(qū)動電流和47V電壓達到162Lm/W的發(fā)光效率，相應(yīng)的功耗為0.94W.在這些條件下，45-mil的芯片可以產(chǎn)生152Lm.

　　Epistar說HV-LED相對于傳統(tǒng)LED有著低電力需求和更高的插座效率， 因為其強大的新高電壓芯片的設(shè)計。據(jù)公司稱， HV-LED對電壓和電流變化的靈活性可以簡化LED的包裝和電路設(shè)計，從而使整體效率提高。

　　SMASH項目的進展

　　SMASH項目公開發(fā)表了第二封信。SMASH的目標是通過建立破壞性的方式通過納米結(jié)構(gòu)的材料制造LED, 達到高效率和低成本的設(shè)備。這些目標會通過超低缺陷的納米結(jié)構(gòu)模板組成的LED的外延生長和基于納米棒發(fā)射的LED結(jié)構(gòu)的發(fā)展來完成。這些方法會對生產(chǎn)費用有很大的影響，因為它們允許大面積但是低成本的基板（比如說硅）的增長。

　　最為關(guān)鍵的一個步驟是MOVPE的。這是由Osram Opto Semiconductor與布倫瑞克技術(shù)大學(xué)緊密合作而一起完成的。

　　SMASH的網(wǎng)站和信都包含了一份2010年International Workshop on Nitride Semiconductors（2010年9月19-24）的總結(jié)。

　　Verticle展示了第一款六角形的LED芯片

　　Semiconductor Today上的一篇文章提到： 座落在美國加州都柏林的Verticle公司發(fā)表了他們稱作為第一款六角形的LED芯片。這種蜂窩型的LED芯片是豎向結(jié)構(gòu)的，以InGaN為基礎(chǔ)的藍色 LED芯片， 它們是特別為高壓應(yīng)用制造的。CEO Mike（M.C.）說，和傳統(tǒng)的正方形或者長方形結(jié)構(gòu)的LED芯片相比，一個六角形的芯片在各個方面比如成本，光輸出效率和束流剖面都會獲得收益。

　　住友電工開發(fā)出6英寸的GaN基板

　　據(jù)日本的一本雜志上說，住友電工開發(fā)了世界上第一塊直徑為6英寸的應(yīng)用在白色LED上的GaNg基板。 之前，該公司為藍紫色激光器生產(chǎn)2英寸的GaN基板， 這使藍光DVD播放機得以發(fā)明和生產(chǎn)。 住友電工開始大規(guī)模的生產(chǎn)為白色LED燈使用的2英寸GaN基板， 與此同時也在發(fā)展大直徑基板。

　　這個新開發(fā)出來的6英寸基板的表面是一個一極化c面。住友電工現(xiàn)在正在努力的嘗試著大規(guī)模的生產(chǎn)它，并且希望這種材料能被白色LED燈和功率器件廣泛的使用。

　　納米棒的陣列產(chǎn)生天然白色的LED

　　據(jù)OptolQ上的一篇論文所述， 國立清華大學(xué)（臺灣新竹市）的研究員為無磷白色LED燈發(fā)明了一種新的配方。這種模式是把GaN納米棒排列在硅（Si）基板上，這為日益增長的無壓力 InGaN/GaN的異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米棒提供了一個模板，這項技術(shù)可以用來消除壓電極化效應(yīng)。

　　LED的包裝和組裝

　　在MEPTEC半導(dǎo)體封裝發(fā)展藍圖研討會（2010年10月份在圣克拉拉，加利福尼亞舉行）上， ElectrolQ采訪了TechSearch International的總裁Jan Vardaman.他說LED的包裝和組裝還有可發(fā)展的空間。

　　在這場和Debra Vogler（一個資深的技術(shù)編輯）的采訪中，Vardaman 討論了藍寶石基板和SiC基板， 順帶著討論了一下LED生產(chǎn)商現(xiàn)在所使用的多種多樣的方法。 還討論了基板晶片的尺寸和LED的生產(chǎn)準則。

　　藍色的半極化GaN LED

　　來自于圣巴巴拉的加州大學(xué)（UCSB）和三菱化學(xué)株式會社（日本茨城縣）的研究人員們?yōu)橐缘墸℅aN）為基礎(chǔ)的藍色LED新開發(fā)了一項背面粗化技術(shù)。據(jù)OptolQ網(wǎng)站上的一篇論文聲稱， 這一技術(shù)使以氮化鎵（GaN）為基礎(chǔ)的藍色LED在性能和生產(chǎn)方法上可以和纖維鋅礦c平面LED相提并論