晶圓級(jí)CSP封裝技術(shù)趨勢(shì)與展望

晶圓級(jí)CSP封裝（WLCSP）技術(shù)不同于傳統(tǒng)的切割、芯片粘貼、引線鍵合、模塑的封裝流程，它在結(jié)束前端晶圓制作流程的晶圓上直接完成所有的操作。在封裝過(guò)程中再將芯片從晶圓上分離，從而使WLCSP可以實(shí)現(xiàn)與芯片尺寸相同的最小的封裝體積，這幾乎是最終的封裝縮微技術(shù)。

自1998年可行性的WLCSP技術(shù)宣布以來(lái)，近年市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)了各種不同類型的WLCSP。這種技術(shù)已經(jīng)使用在移動(dòng)電子設(shè)備中，比如用于移動(dòng)電話的電源供給芯片，并且延伸到邏輯產(chǎn)品的應(yīng)用中。

WLCSP技術(shù)分類

WLCSP主要有三種形式（圖1），即樹(shù)脂封裝類型（withEpoxyResinEncapsulation）、無(wú)樹(shù)脂封裝類型（w/oEpoxyResinEncapsulation）和玻璃類型（withglassType）。

樹(shù)脂封裝類型自從1998年面世以來(lái)，就成為最普遍的一種形式。它的結(jié)構(gòu)類似于常規(guī)FBGA（FinePitchBallGridArray）塑膠封裝。由于表面環(huán)氧樹(shù)脂封裝了表層，它可以使用常規(guī)的回流焊工藝，貼放在印刷電路板（PCB）上。

無(wú)樹(shù)脂封裝類型又被稱作倒裝芯片類型。為了保護(hù)芯片表面和提高可靠性，芯片表面“生成”有一層薄的有機(jī)體或玻璃薄膜層。近年來(lái)，由于防潮性能提高，這種類型也已經(jīng)采用在傳統(tǒng)的回流焊工藝中。

玻璃類型是指在芯片表面有玻璃的結(jié)構(gòu)，它應(yīng)用于CCD和C-MOS傳感器中。

WLCSP技術(shù)和工藝

在WLCSP中，傳統(tǒng)封裝中使用金線進(jìn)行電路連接的方法被取而代之，而采用光刻和電鍍技術(shù)在晶圓上進(jìn)行電路的刻印。以下流程是對(duì)已經(jīng)完成前道工藝的晶圓進(jìn)行WLCSP封裝的操作步驟，必要時(shí)需要重復(fù)這些步驟：

●隔離層流程(IsolationLayer)

●接觸孔流程(ContactHole)

●焊盤下金屬層流程(UBMLayer)

●為電鍍作準(zhǔn)備的光刻流程(PhotolithographyforPlating)

●電鍍流程(Plating)

●阻擋層去除流程(ResistRomoval)

在上述電路刻印流程完成后，需要在表面再生成一層防護(hù)層，然后進(jìn)行其它流程，包括終端成型(TerminalFormation)、打標(biāo)（Marking）、電性能測(cè)試。在最后的工序中進(jìn)行芯片分割，從而結(jié)束整個(gè)流程。最后的電性能測(cè)試可以在晶圓級(jí)進(jìn)行，也可以在切割后進(jìn)行。

電路刻印技術(shù)

WLCSP的電路生成使用了光刻和電鍍技術(shù)。2000年樹(shù)脂封裝類型的WLCSP開(kāi)始大量生產(chǎn)時(shí)，線路圖形的線寬和間隙大約是50/50um?，F(xiàn)在，精細(xì)刻印已經(jīng)發(fā)展到約15/15um，而且5/5um級(jí)別的也已經(jīng)在研發(fā)中。

精細(xì)的線路刻印能力直接關(guān)系到WLCSP的兩個(gè)特性——引腳數(shù)量和高性能。由于WLCSP在芯片表面形成終端連接，高的引腳數(shù)量意味著窄的終端寬度。

因?yàn)樾酒慕K端引線焊腳多是為常規(guī)的引線鍵合技術(shù)設(shè)計(jì)的，WLCSP的量產(chǎn)通常需要將周邊的鍵合襯墊進(jìn)行再分布的流程（RedistributionProcess），即刻印流程（PatternProcess），線路生成在表面的區(qū)域陣列焊盤之間。線路和間隙的設(shè)計(jì)規(guī)則可由下列公式得出（圖2）：L/S=P/2/(2n+1)。