晶圓級CSP封裝技術(shù)趨勢與展望
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當(dāng)隔離層更厚（>5um）、線路圖形更厚（>5um）、線路阻抗更低（鋁的60％）時，電感通常比SoC中使用鋁線路的電感更優(yōu)越。WLCSP技術(shù)中制作銅電感可以實現(xiàn)芯片更低的功耗，使應(yīng)用擴張到移動產(chǎn)品中。線寬和空間分布L/S是實現(xiàn)高性能電路的重要指標，因此光刻和電鍍也成為整個工藝流程中最重要的技術(shù)。
未來的線路再分布技術(shù)
生成電路圖形是上文提到的基本技術(shù)的重復(fù)。它生成UBM層，涂上光刻膠并生成所需的圖形，然后進行電鍍，最后再去除不再需要的光刻膠和UBM層。可以說，這個工藝還是所謂的“浪費材料的技術(shù)”。
目前業(yè)界已經(jīng)開發(fā)出了一種不會“浪費材料”的技術(shù)，它可以直接實現(xiàn)圖形制作（圖4），以替代現(xiàn)有的“浪費材料的技術(shù)”。該技術(shù)采用納米膠（nano-paste）和刻印噴?SPANlang=EN-US>(inkjetprinting)技術(shù)。這種技術(shù)的L/S指標目前還不能達到現(xiàn)在采用光刻、電鍍技術(shù)實現(xiàn)的精細間距水平，然而，它是有益生態(tài)的技術(shù)，通過進一步的開發(fā)，這種技術(shù)可能會使用在更多的應(yīng)用中。
WLCSP技術(shù)的展望
WLCSP在2000年應(yīng)用在電子手表中之后，已經(jīng)應(yīng)用在手機、存儲卡、汽車導(dǎo)航儀、數(shù)碼設(shè)備中。未來幾年中，在手機這樣的高性能移動市場中，會更多采用WLCSP技術(shù)的芯片。
電子終端產(chǎn)品市場需要各種不同的系統(tǒng)級封裝（SiP，SystemInPackage），已有的形式包括在一個多芯片模塊（MCP，MultiChipPackage）封裝，以及封裝體堆疊（PoP，PackageOnPackage）等SiP的不同形式。手機設(shè)備中“SRAM+Flash”的封裝是推動SiP技術(shù)實現(xiàn)高性能電子設(shè)備的重要動力。
WLCSP技術(shù)為實現(xiàn)生產(chǎn)輕薄和小巧電子設(shè)備帶來了更多的可能性。WLCSP已經(jīng)應(yīng)用在電路板組裝上，近來它也成為SiP的重要組成部分，結(jié)合WLCSP和常規(guī)引線鍵合技術(shù)的MCP也已經(jīng)進入量產(chǎn)（圖5）。
集成電路通常通過回流焊貼裝在PCB板上。使用常規(guī)的表面貼裝技術(shù)，PCB的組裝密度將接近極限。將芯片嵌入到PCB板中的技術(shù)可以實現(xiàn)更高的功能，并已經(jīng)有量產(chǎn)。將WLCSP技術(shù)和芯片嵌入PCB工藝結(jié)合，可以確保PCB組裝質(zhì)量的穩(wěn)定，這是因為WLCSP不僅易于進行PCB板貼裝，而且具有“已知優(yōu)良芯片（KGD，KnownGoodDie）”的特性。
結(jié)論
WLCSP不僅是實現(xiàn)高密度、高性能封裝和SiP的重要技術(shù)，同時也將在器件嵌入PCB技術(shù)中起關(guān)鍵作用。盡管引線鍵合技術(shù)非常靈活和成熟，但是WLCSP技術(shù)的多層電路、精細線路圖形、以及能與引線鍵合結(jié)合的特點，表明它將具有更廣泛的應(yīng)用和新的機遇。
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