基于UCC27321高速MOSFET驅(qū)動芯片的功能與應(yīng)用

　　1　引言

　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動芯片層出不窮，為驅(qū)動電路的設(shè)計提供了更多的選擇和設(shè)計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321就是一種外圍電路簡單，高效，快速的驅(qū)動芯片。

　　2　UCC27321的功能和特點

　　TI公司推出的新的MOSFET驅(qū)動芯片能輸出9A的峰值電流，能夠快速地驅(qū)動MOSFET開關(guān)管，在10nF的負載下，其上升時間和下降時間的典型值僅為20ns。工作電源為4—15V。工作溫度范圍為-40℃—105℃。圖1給出了芯片的內(nèi)部原理圖，表1為輸入、輸出邏輯表。表2為各個引腳的功能介紹。

圖2工作在共源極的電路圖

　　B、MOSFET的最佳驅(qū)動特性應(yīng)具有：

　?、俟β使荛_通時，驅(qū)動電路提供的柵極電壓應(yīng)有快速的上升沿，并一開始有一定的過沖，以加速開通過程。

　　②功率管導通期間，應(yīng)能在任何負載情況下都能保證功率管處于導通狀態(tài)，且使功率管Vds在管子導通的前提下壓降較低，以保證低的導通損耗。

　　③關(guān)斷瞬時，驅(qū)動電路應(yīng)提供足夠的反壓，使漏極電流迅速下降，加速關(guān)斷過程。（圖3為最佳柵極驅(qū)動電壓波形）

圖3 最佳柵極驅(qū)動電壓波形

　　4　UCC27321使用注意事項

　?、烹娐凡季稚系目紤][2，3]：

　　UCC27321的最大輸入電流為500mA，輸入信號可以由PWM控制芯片或邏輯門產(chǎn)生。我們不需要對輸入信號進行整形而刻意減小驅(qū)動速度。若想限制其驅(qū)動速度，可在其輸出端與負載間串一個電阻，有助于吸收驅(qū)動芯片的損耗。

　　驅(qū)動芯品的低阻抗和高di/dt,都會帶來寄生電感和寄生電容產(chǎn)生的振鈴。為盡可能消除這些不良影響，我們在電路布局上應(yīng)加以注意：

　　總的來說，驅(qū)動電路應(yīng)盡可能的靠近負載。在UCC27321的輸出側(cè)VDD和地之間跨接一個1uF的低ESR電容以濾除電源高頻分量。將PIN1和PIN8、PIN4和PIN5相連；輸出端PIN6和PIN7相連后接至負載。

　　PGND、AGND之間，兩個VDD引腳之間都存在一個較小的阻抗。為了使輸入、輸出電源和地之間進行解耦，同時利用上述特征，可在5腳和8腳之間跨接一個1uF的低ESR電容（有助于獲得大的驅(qū)動電流），在1腳和4腳之間跨接一個0.1uF的陶瓷電容以降低輸出阻抗。若想獲得進一步的解耦，可在PIN1和PIN8之間串一小磁環(huán)以消除電流振蕩；在PIN4和PIN5之間加一對反并聯(lián)二極管，實現(xiàn)PGND和AGND之間的解耦。

　　由于在MOSFET開通時UCC27321能提供很大的充電電流，根據(jù)公式,可知驅(qū)動電壓在開通時有很高的電壓尖峰。為防止柵源電壓過高，MOSFET被擊穿，可在輸出端與地之間并一個18V的穩(wěn)壓管。

　?、乞?qū)動電流和功率要求[4，5]

　　在MOSFET開通時UCC27321能提供幾百納秒的9A峰值電流，使其迅速開通；為求迅速關(guān)斷，驅(qū)動芯片應(yīng)能對地提供同樣高的放電電流。由于功率MOSFET為容性負載，開通時MOSFET柵極電壓偏置為Vg，則給電容的充電能量可簡單地看作為：

　　Ciss為MOSFET輸入電容，Vg為柵極偏置電壓。

　　當電容放電時，對地傳輸?shù)哪芰恳矠镋。這樣芯片提供的功率損耗為：

　　其中： fs為開關(guān)管的工作頻率

　　如果驅(qū)動芯片與柵極之間沒有串接額外的電阻，則電路回路的阻抗會消耗這一部分能量即所有的能量會損耗在驅(qū)動芯片內(nèi)部：電容充電和放電時各消耗一半能量。以下舉例說明這一情況：

　　根據(jù)以上方程式可以確定功率MOSFET的所需柵極電壓。

　　5　應(yīng)用實例

　　圖4給出了應(yīng)用于推挽正激的驅(qū)動電路：

　?。╝）為運用UCC27321的光耦隔離驅(qū)動。由于上管和下管不共地，為了實現(xiàn)電氣上的隔離，在UC3525的輸出與UCC27321的輸入之間增加了快速光耦隔離芯片HCPL4504。采用光耦隔離，使得外圍電路簡單，設(shè)計較容易，但需兩路激勵電源。

　?。╞）為傳統(tǒng)推挽變壓器隔離驅(qū)動,由于采用變壓器實現(xiàn)電氣隔離，進行電流、電壓變換，應(yīng)用范圍較廣。但缺點是體積重量較大，驅(qū)動變壓器容易激磁飽和，設(shè)計相對困難。

　　實驗中所采用的MOSFET為IRFP460，其典型參數(shù)為：Ciss=4.1nF；Qg=120nC;VDS=500V;ID=20A;VGS=±20V。 測試電路為圖4所示電路，開關(guān)頻率為50kHz。從導通和關(guān)斷時間來看：采用推挽式驅(qū)動電路時，開關(guān)管的導通時間和關(guān)斷時間將近為180ns；而采用UCC27321驅(qū)動芯片后，導通時間僅為80ns，關(guān)斷時間則為70ns。從波形（見圖5）來看：采用UCC27321驅(qū)動芯片后，功率管開通時，驅(qū)動電路提供的柵極電壓具有快速的上升沿，并一開始有一定的過沖；關(guān)斷瞬時，提供了較大的反壓，使管子可靠關(guān)斷，開關(guān)管的導通特性和關(guān)斷特性明顯改善。所以采用UCC27321驅(qū)動芯片構(gòu)成的驅(qū)動電路，開關(guān)管的開通和關(guān)斷損耗都將會大大減小。

　　6　結(jié)論

　　通過實驗驗證UCC27321驅(qū)動芯片具有良好的驅(qū)動特性，能快速驅(qū)動MOSFET，從而減小了開通和關(guān)斷損耗。同時，通過設(shè)置使能端能設(shè)計出性能優(yōu)異的保護電路，具有外圍電路簡潔，實現(xiàn)電源，輸入、輸出地之間的解耦，可靠性高等優(yōu)點。能很好地應(yīng)用于高速MOSFET的驅(qū)動電路設(shè)計。