布局存儲器封測 臺廠競爭卡位

　　存儲器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。

　　展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴(kuò)大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。

　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。

　　為進(jìn)一步集成DRAM封測業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測伙伴，計畫在中國大陸西安建立標(biāo)準(zhǔn)型DRAM(CommodityDRAM)封裝產(chǎn)線，配合美光原先在西安設(shè)立的DRAM測試廠。

　　產(chǎn)業(yè)人士指出，美光在西安計畫新設(shè)DRAM封裝產(chǎn)線，除了業(yè)務(wù)集成外，也希望穩(wěn)定自身DRAM封裝與測試產(chǎn)線于同一定點(diǎn)。從市場考量，西安持續(xù)提供招商優(yōu)惠，美光也可就近供應(yīng)中國大陸市場需求。

　　產(chǎn)業(yè)人士表示，美光計畫擴(kuò)大委外DRAM后段封裝，以專注開發(fā)前端存儲器高階制程，今年集成DRAM后段封測業(yè)務(wù)，腳步會加快。

　　法人透露，美光已陸續(xù)與日月光、力成、華東、南茂和矽品等封測臺廠，洽商在西安合作DRAM封裝產(chǎn)線事宜。

　　產(chǎn)業(yè)人士指出，日月光計畫重回存儲器封測領(lǐng)域，擴(kuò)大營收規(guī)模，日月光與美光雙方合作意愿頗高，不排除日月光與美光今年合作DRAM封裝的可能性。

　　不過法人表示，美光DRAM封裝合作對象尚未定案，目前仍在洽談中。

　　從封裝設(shè)備角度來看，產(chǎn)業(yè)人士表示，邏輯芯片和存儲器之間封裝設(shè)備大同小異，DRAM封裝產(chǎn)線也多采用打線封裝，彼此可相互支持，加上日月光先前也曾透過日月鴻切入存儲器封測領(lǐng)域，日月光若重回存儲器封裝領(lǐng)域，預(yù)估封裝設(shè)備機(jī)臺支出不大。

　　若日月光布局DRAM存儲器封裝，對南茂、力成和華東存儲器封測臺廠將形成激烈競爭壓力。

　　觀察美光DRAM封裝委外比重，法人預(yù)估，其中大約4成到5成由美光自力完成，約2成多委外由南茂封裝，約1成多到2成由力成封裝。

　　特定封測臺廠也曾仔細(xì)考慮與美光合作存儲器測試的可能性，測試毛利率較高，而在DRAM后段封裝，臺廠沒有太多主動空間。

　　其它封測臺廠考量西安設(shè)廠環(huán)境、距離與自身發(fā)展規(guī)劃，對與美光合作DRAM封裝態(tài)度相對觀望，但持續(xù)關(guān)注美光委外DRAM后段封裝的發(fā)展態(tài)勢。

　　另一方面，東芝(Toshiba)和晟碟(SanDisk)合資興建的NAND型快閃存儲器(NANDFlash)新廠，預(yù)估今年可開始量產(chǎn)采用先進(jìn)細(xì)微化技術(shù)的高性能NANDFlash產(chǎn)品。

　　法人表示，目前東芝NAND型快閃存儲器主要委由力成和艾克爾(Amkor)封測。東芝新廠和既有NAND型快閃存儲器封測委外訂單，包括力成、華東和南茂等，今年積極布局，競爭勢必相當(dāng)激烈。

　　產(chǎn)業(yè)人士指出，美光也規(guī)劃逐步委外釋出位于新加坡NAND型快閃存儲器封測廠的測試業(yè)務(wù)。目前美光NAND型快閃存儲器測試，除了美光自己測試外，部分也委由力成。若美光計畫擴(kuò)大釋出測試訂單，力成以及華東也將積極切入。

　　整體觀察，國際存儲器大廠今年集中火力開發(fā)前端制程，進(jìn)一步集成封測業(yè)務(wù)，擴(kuò)大后段封測委外，封測臺廠正積極布局，密切觀察局勢發(fā)展。今年臺廠在存儲器封測領(lǐng)域，競爭卡位態(tài)勢將較以往更加激烈。